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石磊; 陈旭华;
上海第二工业大学工程训练中心;
上海201209;
安阳市环境监测中心站;
安阳455000;
微电子学; 固体电子学; 垂直双扩散金属氧化物半导体; 可靠性; 退化; 失效;
机译:高温栅极偏置应力下低压p沟道功率MOSFET的退化机理研究
机译:高功率和高温直流应力下GaN高电子迁移率晶体管的电和结构退化
机译:功率VDMOS中带缺陷带隧穿引起的高温反向偏置应力下的结漏电流退化
机译:长期短路应力下SiC功率MOSFET的退化机理与优化研究
机译:MOS器件超薄氧化物的可靠性表征和失效机理。
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:高功率和高温直流电压下GaN高电子迁移率晶体管的电学和结构退化
机译:非晶硅太阳能电池可靠性研究。陆地太阳能电池加速应力因子及失效/退化机理研究。第六次年度报告
机译:低温CVD工艺,在CMOS器件上具有选定的CVD层应力
机译:高温条件下研究陶瓷的应力应变行为的方法和装置
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