Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究

摘要

采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111)织构;同时,50nm厚的Ta阻挡层能够有效阻止Cu原子向Si体内的扩散.