MOCVD AlxGa1-xNGaN多层异质结构的表面与界面表征

摘要

CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1-xN/GaN超晶格结构的表面与界面进行了表征。