蓝宝石图形化衬底的GaN基LED大功率芯片的研究和产业化

摘要

本篇对比研究了蓝宝石图形衬底(PSS)和平面衬底(non-PSS)上制备GaN基45mil功率型LED芯片的光电特性。相比较平面衬底，在PSS衬底上制备的大功率芯片的发光效率提升41.0％，将Pss制备的大功率芯片封装成白光在350mA下达到951m以上，其发光效率达851m/W。另外PSS制备的大功率芯片具有良好的可靠性和稳定性，350mA和700mA下老化1000光衰分别为-0.4％和2.8％，并成功解决了产业化的关键技术。