GaN基LED倒装芯片蓝宝石衬底半球型图形优化设计

摘要

为了提高GaN基LED芯片的光提取效率,以GaN基LED芯片为研究对象,建立了在蓝宝石衬底出光面和外延生长面上具有半球型图形的LED倒装芯片模型,并利用光学仿真软件对图形参数进行优化设计.实验结果表明:在蓝宝石衬底的出光面和外延生长面双面都制作凹半球型图形对芯片光提取效率的提高效果最好,并且当半球的半径为3 μm,周期间距为7 μm时,GaN基LED倒装芯片的最大光提取效率为50.8％,比无图形化倒装芯片的光提取效率提高了115.3％.