1100kV GIS用隔离开关绝缘和抑制VFTO的研究

摘要

1100kV隔离开关的绝缘性能、抑制隔离开关操作引起的VFTO是隔离开关研发过程中的两大难点。对1100kV隔离开关的绝缘性能及操作所引起的VFTO进行了仿真计算，计算结果表明其绝缘结构能够满足要求；500Ω的并联电阻可以将VFTO的幅值由2.2p.u.降低到1.52p.u.。研制的1100 kV隔离开关顺利通过绝缘试验和开合母线充电电流试验并已成功地应用于南阳1000kV特高压示范工程。