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魏 萌; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领; 王晓亮; 李晋闽; 王占国;
中国电子学会;
外延生长; 表面形貌; 晶体质量; 缓冲层; 裂纹密度;
机译:在3c-SiC / Si(111)模板上通过C〜+离子注入Si(111)衬底形成的GaN有机金属气相外延生长
机译:超薄AIN / GaN超晶格中间层在等离子体辅助分子束外延生长在Si(110)和Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的应变工程中的作用
机译:超薄AlN / GaN超晶格中间层在等离子体辅助分子束外延生长在Si(110)和Si(111)衬底上生长的GaN膜的应变工程中的作用
机译:使用厚AlN缓冲层在3C-SiC / Si(111)衬底上进行GaN的分子束外延生长
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:通过Au辅助分子束外延生长后的GaAs(111)纳米线和Si(111)衬底之间的晶格参数调节
机译:(111)Si衬底上(111)CoSi_2的外延外延生长
机译:si(111)上GaN的横向外延生长
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
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