射频反应磁控溅射法制备ZnO：Al透明导电薄膜的光电性能

摘要

室温下采用射频(RF)反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积具有(002)择优取向的透明导电Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。XRD结果表明，制备的AZO薄膜为多晶，具有c轴择优取向。退火处理能提高其结晶度。在Al靶射频功率为40W，ZnO靶射频功率为250 W，氩气流量为15 mL／min的条件下，获得200 nm厚的薄膜电阻率约3．8×10-3 Ω·cm，在可见光范围内有很好的光透过率。