低温下CMOS集成电荷灵敏前放噪声特性研究

摘要

@@本文采用0.35微米的集成CMOS工艺，设计了一款能在低温下工作的低噪声电荷灵敏前放芯片，并完成了在低温下测试前放芯片的工作。测试结果表明，随着温度降低，CMOS集成电荷灵敏前放的噪声会有明显的改善。在零下55摄氏度时，CMOS集成前放的零电容噪声达到了6.5个电子的水平。