一种新结构硅光电倍增器(SiPM)及其应用研究

摘要

报道了采用外延层体电阻为雪崩淬灭电阻的新结构硅光电倍增器(SiPM)的实验研究结果。器件具有高达104/mm2的APD单元密度，在460nm波长处的最大探测效率达到25.6％。与现有位于器件表面的多晶硅条为淬灭电阻的SiPM相比，其优点在于几何填充因子高、探测效率和动态范围能够得到较好的兼顾，并且制作工艺简单。报道了将其实际应用于辉光放电检测的结果。