制备工艺对(100)取向PT-PZT压电厚膜取向和性能影响研究

摘要

以PT 为过渡层,用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Cr/SiO2/Si 衬底上制备了(100)取向PZT 压电厚膜.研究了制备工艺对PT-PZT 压电厚膜(100)取向度和铁电、介电性能的影响.结果表明,退火温度提高,退火时间缩短可以促进PZT压电厚膜 (100) 取向生长.厚膜退火时间的增加导致剩余极化强度的减小和矫顽场的增大.在 1 kHz的测试频率下,退火时间分别为 5 min,10 min和15 min的厚度为1.5 mm的样品介电常数分别为 1356,831和 780,介电损耗分别为0.31,0.20和0.22.