半导体

摘要： 近年来降噪一直是冰箱等家电领域的研究热点。为探索实现静音冰箱的方案,通过密封压机舱的方法对某非底置冷凝器冰箱进行了实验测试。实验结果表明:压缩机的辐射噪声是整机主要噪声来源;密封压机舱可以有效改善压缩机的辐射噪声,冰箱整机声功率平均值降低4.3 dB(A);在32°C环温下冰箱耗电量增加0.8%。这为实现超静音冰箱提供了一种解决方案。

摘要： 着眼小型化、大功率,对宽禁带半导体中的GaN功率器件的宽带内匹配技术进行了研究。基于国产的GaN功率器件,采用切比雪夫宽带匹配理论,研制了一款工作频率覆盖2 GHz~6 GHz的宽带功率放大器,在设计过程中重点关注了功率放大器在各种工作条件下的稳定性。测试结果表明在漏源电压为36 V,连续波条件下,在2 GHz~6 GHz的带宽内实现了输出功率全部大于100 W,功率平坦度小于1.0 dB,功率附加效率大于38%,最高点达到了45%。

摘要： 提起高端制造,你会想到什么?机器人、半导体、核电、盾构机……很少有人会想到制造业非常基础的门类。但有一个基础行业,却实实在在支撑着制造业的发展,能不能高端化很关键。

摘要： 2021年是“碳中和”“碳达峰”的元年,是一种新型绿色发展理念,是全人类达成的共识和共同努力的方向。各个行业板块都在积极努力实现这一长远目标,AMD作为全球知名的半导体头部厂商,在不断投入研发提高算力、保证能效的同时,也不忘助力“碳中和”。

摘要： 锂-氧气电池以其超高的理论能量密度得到了人们广泛关注。然而,锂-氧气电池在充放电过程中,氧化还原反应和析氧反应反应动力学极其缓慢,存在过电势高、循环性能差等问题,极大限制了它的实际应用。研究发现构筑光辅助的锂-氧气电池,利用光半导体材料产生的电子-空穴对能够有效地改善电极的反应动力学,解决充放电的过电势问题。本文主要介绍了近些年光辅助锂-氧气电池在正极光催化剂选择、设计以及放电产物等方面的研究进展,并对其发展与挑战进行了展望。

摘要： 近日,思恩半导体湿法制程设备和微电子自动化设备项目通过“云签约”形式,顺利落户常熟经开区。记者了解到,思恩半导体项目由上海思恩装备科技股份有限公司投资建设,项目总投资5000万元,厂房面积4000平方米。一期开展半导体湿法制程设备和微电子自动化设备研发及产业化;二期将组建微电子自动化生产线,生产精密陶瓷,主要用于麦克风阵列、微型扬声器、MEMS传感器及其他电子元器件。两期全面达产后,预计年销售额可超亿元。

摘要： 在近期举行的一季度财报说明会上,全球光刻机巨头阿斯麦CEO彼得·温宁克表示,已经有一家大型工业集团开始购买洗衣机,并将其中的半导体拆出来,用于自己的芯片模块。一边是缺芯消息时不时爆出,一边是芯片股股价大跌。截止4月26日盘中,今年年初以来,半导体(申万)指数跌幅超38%,芯片ETF(159995)盘中跌破1元大关。

摘要： 几年间,大数据、人工智能、5G的相关产品越来越多地走入寻常百姓家。芯片半导体、量子科技、区块链这些对大众而言相对陌生的概念也逐渐变得耳熟能详。然而回过头来看,新兴技术在产业化进程中似乎总会经历一段时期的混沌。面对蜂拥而上的社会资本,不乏一些讲故事、吹泡沫的投机者,但在大浪淘沙下,也总会有一些硬科技企业站稳脚跟,准备迎接行业的朝阳。

摘要： 目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400°C氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500°C时可得到很小的比接触电阻率(10^(-6)Ω·cm^(2)),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400°C或高于500°C后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。

摘要： 德国,一个被冠以“欧洲最强工业国”“世界汽车王国”的国家,最近也被赋予了不一样的芯片使命。芯片巨头英特尔近期正式宣布,将投资约170亿欧元(约合190亿美元)在德国马德堡建造两个新工厂,尝试生产2nm以下芯片,新工厂预计2023年上半年开工,2027年量产。从投资金额来看,英特尔在德国投资的170亿欧元占据了首批欧洲投资计划(330亿欧元)的52%,可以说一半以上都用于打造德国芯片工厂。不仅如此,该建厂计划还将带动7000多个建筑工作岗位、 3000多个永久性的Intel工作岗位及数万个供应链合作伙伴的工作岗位。

摘要： 夏热冬冷地区的辐射供暖末端形式多样,主要包括连续运行的地暖、暖气片和间歇运行的小太阳、电油汀等局部电供暖末端.本研究提出了一种适用于夏热冬冷地区的间歇性辐射供暖末端,并对该末端的工作特性进行了实验研究.该辐射末端核心为半导体组件和平板热管,其具有稳定性高、间歇性强的特点.相比于传统的地暖、暖气片等辐射供暖系统,该新型末端间歇性更强,热响应速度更快;相比于小太阳、电油汀等电供暖末端,效率更高.实验结果表明,该末端达到均匀辐射供暖的时间小于600s,其辐射供暖表面垂直温差低于3.5°C/m;整个供暖过程中供热COP能达到1.02-1.53,其随半导体的电压降低而增加,随半导体的冷端温度升高而增加.

摘要： 针对MOCVD设备中衬底承载系统受到热、流场及其材料本构等因素耦合影响,容易发生振动或颤振导致产品合格率下降的问题,为实现基于大尺寸衬底承载盘的半导体外延一次装载、数字化,智能化制造提供有效理论和技术支撑,本文在前期分析衬底承载盘高速旋转动力学过程,提取振动影响因素的基础上,提出衬底承载盘高速旋转振动补偿预测PTS-FNN建模方法,通过MOCVD试验平台验证了模型的有效性,为MOCVD设备控制系统提供可参考的实现方案.

摘要： 通过对体育建筑照明节能的关键点进行分析,提出包括执行建筑照明设计标准、推进半导体照明、结合物联网升级为智慧照明等一系列节能策略,并在可再生能源利用方面,提出体育建筑在有条件的情况下充分利用太阳能能源的倡议.

摘要： 蒙脱石作为一种层状硅酸盐矿物,具有诸多优良特性,广泛地应用于各行各业.近年来,由于光催化技术无毒、无害、稳定、清洁、可持续,因而倍受科研工作者关注.以蒙脱石为载体,制备半导体与蒙脱石复合的光催化材料,可以有效地抑制纯催化剂的团聚,改善其晶粒尺寸与结晶状况,抑制载流子复合,提高量子效率,并且有利于回收和重复利用,因而得到科研工作者的广泛研究.本文主要论述了近年来以蒙脱石为载体制备的各种复合光催化剂的研究进展,简要阐述了各种光催化剂的性质与复合提升机理,并对蒙脱石基光催化复合材料的前景进行了分析与展望.

摘要： Ideas & Purposes-Self-organized nanostructures(nanopores,nanotubes,nanorods) have shown promising properties and interesting phenomena.Mechanism study helps better understanding on material formation and solvation of problems during fabrication and application.Deposition of dual- and multi-component semiconductor materials under external field。Wall thickness has not only beenInfluenced by anodic potential, butalso by the ambient temperature。Nanometer sized spheres can beFormed at low temperature (<0oC)and moderate anodic potential。

摘要： 文章对近几年来在固态照明中新材料、新技术发展作较全面介绍,重点描述量子点发光技术、石墨烯发光技术、纳米发光技术,以及OLED、激光照明、钨丝纳米晶体发光、碳点发光、磷烯发光、钙钛矿发光和二维半导体材料MX2发光等技术.这些新材料、新技术一旦应用技术成熟并产业化将是开拓性的创新,并进入照明领域,对半导体照明带来极大挑战.

摘要： 基于固态等离子体天线理论的研究,本文设计了一款基于半导体GaAs的频率可重构固态等离子体天线,通过电控的方式激发不同位置的半导体GaAsPIN单元,在保持方向图和增益基本不变的情况下,改变天线的结构,设计了三款工作在不同频率下的固态等离子体天线,仿真结果表明,此款天线易于实现频率的可重构,具有广泛的应用前景.

摘要： 单晶金刚石具有极其优异的性质,如高热导率、高载流子迁移率和高的击穿电压,是制作高可靠性、高稳定性微波功率器件和探测器的理想半导体材料,金刚石基器件可以应用于高温、高功率、强辐射的恶劣环境中.面对金刚石在电学领域与探测领域的潜在应用价值,发展高品质金刚石单晶生长技术尤为重要,而金刚石应用的首要问题是解决单晶和成本的问题.微波等离子化学气相沉积是实现低成本、大尺寸单晶金刚石生长的有效技术.针对如何提高单晶金刚石的生长速率,如何获得高质量、大尺寸单晶金刚石的问题,本文阐述了国内外微波等离子化学气相沉积法同质外延生长单晶金刚石技术研究方面取得的重要突破,详细介绍了提高MPCVD单晶金刚石沉积速率;金刚石晶片剥离技术;金刚石晶体三维生长扩大尺寸;金刚石单晶"马赛克"生长技术.

摘要： 自1986年极紫外光刻技术(Extreme ultraviolet lithography,EUVL)被提出,极紫外光刻光源的研发一直是实验室和半导体制造工业界的一个热点,商业化设备的发展已取得了长足的发展.由于多层Mo/Si反射镜在13.5nm波长上2％带宽内("内带")能够获得70％以上的反射率,13.5nm的EUV光源作为下一代光刻光源的理想选择.可选的靶材包括:Li(Li2+,1s-2p 跃迁)、Xe(Xe10+,4d8-4d75p 跃迁)和Sn(Sn8+-Sn14+,4p64dn-4p54dn+1+4dn-14f跃迁,1≤n≤7).Li是线状谱,Xe的4p64dn-4p54dn+1+4dn-14f跃迁组峰值在11nm附件,所以Sn是目前获得13.5 nm EUV光源的最理想靶材.尽管EUV光刻技术由于光源转化效率(Conversion efficiency,CE)不高和掩膜研发等方面的问题而一再延迟,有望于2017年底投入量产.随着13.5 nm EUV光刻光源研究的逐渐成熟，2009年，世界上最大的光刻机生产商一荷兰ASML公司宣布需要研发新的超极紫外光刻光源来延续极紫外光刻技术。随后6x nm光刻光源的研究成为了一个热点问题。这主要由于La/B/1C多层反射镜在6.7nm处0.06%带宽的反射率为20%。稀土元素Gd(2=64)和Tb(2=65)在6.7nm附件产生强的窄带共振辐射（n=4-n=4不可分辨跃迁组）而一度被认为是理想的靶材。目前，实验室报道的最高转化效率为0.8%。但是，6.xnm超极紫外光刻光源仍面临着严峻的挑战:一方面是多层反射镜内带的带宽非常窄（只有0.6%，相比于13.5 nm波段的2%带宽），另一方面，是光源的转化效率太低。本文将将回顾极紫外光刻光源的现状、挑战与机遇。

摘要： 以二水乙酸锌与六次亚甲基四胺(HMTA)为前驱体,利用水浴加热与不同频率微波加热水解合成纳米ZnO,并用X射线衍射与扫描电镜初步研究了ZnO的晶体结构与生长习性.结果表明,微波与极性分子的偶极极化作用显著改变了ZnO晶体各晶面的生长速度.水浴加热合成的ZnO呈团絮状的羽毛状,而微波加热条件下水解合成的纳米ZnO呈腰鼓型的空心正六棱柱,随着反应时间的延长,腰鼓型的空心正六棱柱逐渐生长成腰鼓型的实心正六棱柱.微波频率大小对ZnO晶体的生长习性无明显影响.

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。