公开/公告号CN108483516B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201810224548.2
申请日2018-03-19
分类号C01G53/00(20060101);H01M4/505(20100101);H01M4/525(20100101);H01M10/0525(20100101);
代理机构11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人崔自京
地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 12:11:24
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂
机译: 具有高比放电容量的锂离子电池用正极材料及其合成方法
机译: 具有高比放电容量的锂离子电池正极材料及其合成方法