原子层沉积
原子层沉积的相关文献在1986年到2022年内共计1533篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、一般工业技术
等领域,其中期刊论文229篇、会议论文25篇、专利文献196104篇;相关期刊123种,包括材料导报、现代材料动态、电子显微学报等;
相关会议20种,包括2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会、第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)、第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议等;原子层沉积的相关文献由2641位作者贡献,包括夏洋、陈蓉、单斌等。
原子层沉积—发文量
专利文献>
论文:196104篇
占比:99.87%
总计:196358篇
原子层沉积
-研究学者
- 夏洋
- 陈蓉
- 单斌
- 李超波
- 林俊成
- 纪红
- 秦海丰
- 赵雷超
- 史小平
- 兰云峰
- 张文强
- 李哲峰
- 石莎莉
- 卢维尔
- 李春雷
- 曹坤
- 万军
- 不公告发明人
- 乌磊
- 刘潇
- 古家诚
- 张容华
- 李勇滔
- 李楠
- 丁玉强
- 李嘉伟
- 王燕
- 赵章琰
- 杜立永
- 陈强
- 陈波
- 任巍
- 张易军
- 曲锴
- J·约德伏斯基
- 冯嘉恒
- 阿德里安·拉沃伊
- 文艳伟
- 左雪芹
- 张跃飞
- 惠龙飞
- 秦利军
- 舒伯特·S·楚
- 覃勇
- 解婧
- 饶志鹏
- 龚婷
- 冯昊
- 刘明
- 吴典晔
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明帅强;
王浙加;
吴鹿杰;
冯嘉恒;
高雅增;
卢维尔;
夏洋
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摘要:
本工作以单晶硅为衬底、四(二甲氨基)锡和水为前驱体,研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能,并将其应用于钙钛矿太阳能电池。通过调节基底温度,详细研究了沉积温度对SnO_(2)薄膜的沉积速率、电学、光学等特性的影响,采用钙钛矿太阳能电池器件辅助验证SnO_(2)薄膜的性能。研究发现,随着基底温度的升高,沉积速率逐渐下降,原子层沉积的温度窗口在120~250°C;折射率随着温度的升高逐渐增大,带隙随温度升高而减小;沉积温度越高,表面氧空位缺陷浓度越大。SnO_(2)薄膜的工艺温度对钙钛矿太阳能电池性能有较大影响,采用160°C沉积的SnO_(2)薄膜作钙钛矿太阳能电池的电子传输层,可获得最优的电池性能,反扫最高效率为18.68%,此时器件的截止电压为1.077 V,短路电流密度为23.67 mA/cm^(2),填充因子为73.3%,且器件具有较小的迟滞效应。
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陈蓉
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摘要:
我是一名来自高校的科技工作者,是改革开放的同龄人,在成长过程中,有幸受到中国乃至全球最好的教育。我在美国斯坦福大学博士毕业后曾到世界高新技术创新最活跃的硅谷工作过。梁园虽好,非久恋之家。在我内心深处,家乡才是我魂牵梦萦的心之所系。2012年,我作为湖北省“高端人才引领培养计划”高层次人才,举家归国,回到武汉。十年来,我带领团队,在微纳制造、原子层沉积方法、工艺与装备领域取得前沿科技成果。
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周伟佳;
龚晓霞;
陈冬琼;
肖婷婷;
尚发兰;
杨文运
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摘要:
采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面固定正电荷,200°C和300°C退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200°C退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al_(2)O_(3)介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了200°C~300°C的退火处理可有效改善InSb/Al_(2)O_(3)界面质量。
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彭荣;
杨振波;
王珺
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摘要:
薄膜封装是有机电致发光器件柔性化亟需解决的关键技术难题。用NEA121树脂与Al_(2)O_(3)作为薄膜封装的有机膜与无机膜封装,封装薄膜的水氧阻隔性能通过钙膜测试。实验结果表明,3层堆叠Al_(2)O_(3)/NEA121封装后的水汽透过率(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)达到2.1×10^(-4) g/(m^(2)·d),封装薄膜的失效原因是水汽通过封装薄膜缺陷点渗透,不断腐蚀钙膜导致封装失效,而采用无机/有机堆叠封装的方法使薄膜的封装效果得到了改善。
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常晓萌;
李佳保;
周启航;
杨培志
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摘要:
二硫化钼(MoS_(2))是一种典型的过渡金属硫属化合物,其二维结构表现出优异的光学性能、热电性能及光电性能,在光电器件领域具有广阔的应用前景.MoS_(2)薄膜的带隙可通过原子层数进行调控,随层数减少其带隙呈逐渐增大趋势,当层数减至一层,将由间接带隙转为直接带隙.因此,制备层数可控的MoS_(2)薄膜是其应用的基础.原子层沉积(ALD)是可控制备MoS_(2)薄膜的重要方法之一,可实现在较低温度下制备均匀的薄膜,而前驱体种类、反应温度、衬底预处理和退火工艺参数等对薄膜质量均有影响.在总结二硫化钼结构及特性的基础上,综述了ALD法制备少层二硫化钼薄膜的进展,并着重探讨了影响薄膜质量的关键因素,最后对其未来发展趋势进行了展望.
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余姝君;
田春蓉
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摘要:
湿气阻隔涂层是指对水分渗透有一定阻隔性的涂层,可以便捷而有效地阻隔绝大部分湿气的进入,广泛用于对水汽敏感的物品和装置的包装中。无机纳米涂层由于其致密的结构而具有较好的湿气阻隔性能,但在制备和使用过程中不可避免地会产生缺陷使水分子能够自由通过,从而不具备长效阻隔的效果。聚合物涂层对气体小分子的阻隔性能较差,但具有较好的韧性且便于成型,与无机涂层复合,能够弥补无机涂层的缺陷,大幅提高涂层的湿气阻隔性能以及使用寿命,从而达到“1+1>2”的效果。通过采用不同的材料复合方式和优化工艺方法,研究者们在制备湿气阻隔性能优异的涂层方面取得了诸多成果。本文归纳了湿气阻隔涂层的阻隔机理,总结了不同类型湿气阻隔涂层材料制备方法的最新研究进展,分析了湿气阻隔涂层所面临的问题并展望了其发展前景。
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万露红;
邵秀梅;
李雪;
顾溢;
马英杰;
李淘
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摘要:
采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiN_(x)相比,通过原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)可以有效地抑制Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As界面的In2O3的含量。根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiN_(x)/Al_(2)O_(3)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度比SiN_(x)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度低一个数量级。因此,采用原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)作为钝化膜可以有效地降低Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As之间的快界面态密度,从而降低In_(0.74)Ga_(0.26)As探测器的暗电流。
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刘春艳;
王源;
殷成雨;
李泽;
王振宇;
范思雨;
姜文龙;
段羽
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摘要:
有机电致发光器件(Organic light emitting diode,OLED)具有轻薄、便于携带、自发光、能耗低、亮度更大、柔性显示等特点,可以增加显示产品的附加值,因此被科学和产业界广泛关注。然而,OLED器件中的有机材料对空气中的水汽和氧气十分敏感,若器件在无封装保护的情况下长期在空气中存放,将会严重影响OLED的工作性能和寿命。除了选择合适的传输层材料、表面层结构和利用界面工程提高材料水氧耐受能力之外,对器件进行可靠的封装是隔绝空气中水汽和氧气侵蚀的一种有效手段。原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)是一种已经在实验室验证的有效薄膜沉积封装技术,由于ALD的自限制反应特性,可以在低温下沉积出厚度精确可控且均匀致密的薄膜,利用ALD沉积的薄膜往往拥有良好的机械柔性、超高的阻隔性能和光学透过率。本文将回顾原子层沉积技术的原理,分析ALD制备薄膜的水汽透过率,比较ALD在单层、有机-无机叠层薄膜封装制备上的技术优势。
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罗浩;
张慧玉;
刘红燕;
刘海旭;
路万兵
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摘要:
金属电极与卤素之间的扩散反应是造成钙钛矿太阳电池(PSC)衰退的重要因素,而利用原子层沉积(ALD)技术在金属电极和钙钛矿活性层之间沉积致密且电学性能良好的缓冲层,是解决上述问题的优选方案之一.本文主要研究了利用ALD技术在金属有机卤化物钙钛矿材料上沉积SnO_(2)和TiO_(2)薄膜的工艺兼容性问题.通过X线衍射和紫外-可见吸收光谱等技术,表征了分别作为钛源和锡源的四(二甲氨基)钛(TDMATi)和四(二甲氨基)锡(TDMASn)脉冲以及不同温度下水脉冲对钙钛矿薄膜结构的影响,分析了不同前驱体源的脉冲及吹扫时间对薄膜沉积模式的影响,获得了与钙钛矿材料相兼容的SnO_(2)和TiO_(2)薄膜的优化ALD工艺.将优化后的SnO_(2)和TiO_(2)薄膜ALD工艺应用于倒置PSC制备,对电池的J-V曲线和大气环境下的稳定性测试结果表明,基于ALD技术沉积的SnO_(2)和TiO_(2)缓冲层的引入,使得PSC的稳定性明显改善,而且其功率转换效率也有所提高.
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孙彦庆;
周临震;
冯嘉恒;
吴有德
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摘要:
为了研究提高原子层沉积加热系统温度均匀性的有效解决方案,采用ANSYS仿真软件建立原子层沉积反应室模型。利用控制变量法,以提高衬底的温度均匀性为目标,观察气体入口流量、电阻片与加热盘的距离和加热温度对反应室热场的影响。随着气体流量的增加,底部流动边界层趋于稳定,加热盘的温度场分布更加均匀;随着加热盘与电阻片之间距离的增大,从电阻片到达石墨盘下表面的热量减少,石墨盘表面最高温度和温差都随之减小,温度均匀性得到提高;随着加热温度的升高,加热盘表面温度增高,因此,可以通过分区加热来提高加热盘表面温度均匀性。
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张小英;
连水养
- 《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》
| 2017年
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摘要:
随着微电子技术的快速发展,集成电路的集成度不断提高,器件尺寸不断减小.传统的SiO2栅氧化层介质在尺寸减小的情况下,出现了漏电流逐渐增大和可靠性下降等严重问题.因此,人们深入研究了高介电常数材料,使得器件在保持或增大栅极电容的同时能够减小由于隧穿引起的漏电流.本文采用远程等离子体辅助原子层沉积(RP-ALD)的方法在硅衬底上制备了15nm左右的Hf02薄膜,并在不同温度的氮气中退火10分钟。原子力显微镜(AFM)、掠射入X射线衍射分析(GIXRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪(SE)测试分析了退火前后样品的表面形貌、晶体结构、化学组分与光学性质。实验结果表明,Hf02薄膜特性与退火温度有着密切的关系。随着退火温度的增加,样品表面的均方根粗糙度逐渐增加,样品由非晶结构逐渐转向多晶结构,Hf02薄膜的折射率随着退火温度的增加,先增大后减小,在600°C退火时具有最大的折射率。
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陈宏彦;
卢红亮;
杨晓峰;
张卫
- 《第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会》
| 2017年
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摘要:
目前,研究人员对A12O3薄膜的光伏应用研究主要集中在硅基太阳能电池的背钝化上.然而,对于A12O3作为硅基太阳能电池正面钝化膜的研究却很少.主要原因是A12O3材料的折射率较低(~1.63@550),难以在硅基太阳能电池正面形成有效的减反射作用.为了克服这一问题,提出了基于原子层沉积(ALD)技术的一步法制备AlON薄膜新工艺.该工艺通过等离子增强型ALD设备(PEALD),可将反应温度降低至185°C.有别于传统ALD生长时两种前驱体交替通入的生长模式,本工作通过将两种气体前驱体(NH3、O2)同时通入反应腔,以实现N与O的同时掺杂.由图1可见,通过控制薄膜制备过程中的NH3与O2比例,所制得AION薄膜的折射率可以在1.63至2.1(@550nm)范围内连续可调,这为减反射膜系设计带来了极大便利.由图2所示,相于A1N与A12O3,经过折射率与膜厚优化后的AION膜可使硅表面的反射率在550nm处进一步降低5-8%.
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许佳辉
- 《2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会》
| 2018年
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摘要:
事实上,由于Al2O3突出的表面钝化效果,很多高转换率的硅电池都采用了Al2O3钝化层.原子层沉积(ALD , Atomic LayerDeposition)是一种新兴的半导体薄膜制备技术。H2O-ALD工艺沉积的Al2O3薄膜每循环生长速率更快;O3-Al2O3薄膜中C含量更高和H含量略低;O3基和H2O基Al2O3薄膜分别经过420 °C和400 °C的中等温度退火处理后,化学钝化效果和场效应钝化效果都有了显著提升;而在高温烧结后,O3-Al2O3薄膜显示出了更佳的热稳定性。
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杨扬;
熊细欢;
孙甲明
- 《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》
| 2017年
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摘要:
Er3+离子掺杂的氧化物由于在红外1530nm的光纤通讯波段具有广泛的应用前景而备受关注.Y2O3在红外波段的折射率高至1.9,光波导损耗低至1-1.5dB/cm,可用来制作硅基波导光放大器.本文采用原子层沉积(ALD)技术生长掺Er的Y203纳米层状复合薄膜(Y203:Er),研究了高温退火处理对薄膜物相的影响,制备基于硅基MOS结构的电致发光器件(MOSLED)并获得了Er3+离子红外发光。
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赵双易;
刘翔凯;
顾伟;
谭华;
黄琨;
倪朕伊;
梁骁勇;
颜聿聪;
余学功;
李东升;
金一政;
马向阳;
皮孝东;
杨德仁
- 《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》
| 2017年
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摘要:
对于量子点发光二极管(QLEDs)而言,利用界面层对其进行性能优化已经成为提升器件效率的最主要的方式之一.1,2,3选择合适的界面层可以有效地调控载流子的注入以使电子和空穴的注入尽量平衡,也可以降低由于载流子浓度过高而引起的发光淬灭,还能有效降低漏电流.利用原子层沉积(ALD)的方法在传输空穴的Ni0层与发近红外光的硅量子点(SiQDs)层之间插入不同厚度的A1203界面层。研究发现,当插入的A1203界面层厚度为5.7nm时,基于玻璃衬底的器件的光功率密度和外量子效率得到了明显的提升,分别达到了14μW/cm2和~0.1%(如图1),在把玻璃衬底换成柔性衬底后,有A1203界面层的SiQDs近红外发光二极管可以在被弯折情况下工作。
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裴海燕;
熊细欢;
孙甲明
- 《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》
| 2017年
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摘要:
稀土Er3+离子掺杂的硅基Al2O3氧化物具有良好的热稳定性并且在红外1530光纤通讯波段具有优异的光增益性质,因此在硅基光电子器件领域具有重要的应用价值.但是由于Er3+离子在Al2O3中掺杂固溶度较低(约1018/cm3限制了器件发光效率和强度的进一步提升).为了提高Er3+离子的浓度掺杂,本文采用原子层沉积技术制备Al2O3(Y2O3-Er2O3-Y2O3)纳米层状复合结构,制备了高效率的硅基MOS结构电致发光器件,并研究了其电致发光性质.
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