原子层

摘要： 瑞士科学家在最新一期《自然·纳米技术》杂志上发表论文称,他们利用石墨烯,制造出了首个超导量子干涉装置,用于演示超导准粒子的干涉。最新研究有望促进量子技术的发展,也为超导研究开辟了新的可能性。2004年石墨烯横空出世,自此引发广泛关注并获得大力发展。石墨烯是目前已知最薄、强度最高、导电导热性能最好的新型纳米材料。随着研究的不断深入,其更多特性也一一浮出水面。双层扭转石墨烯——两个原子层相对于彼此稍微有所扭转是近几年的研究重点。

摘要： 未来石墨烯产业会建立在“杀手锏”级的应用及处置上,不能满足仅仅只做“工业味精”而已。不可替代、非它不可的应用,才是未来石墨烯产业真正的基石。石墨烯是下一个新兴产业石墨烯被称为“新材料之王”,具有极其优越的性能,也是理论上最薄的材料,只有一个原子层的厚度。

摘要： 美国西北大学的工程师们首次创造出了基于双层原子结构的平坦硼酚,这一创举违背了硼在单原子层极限之外形成非平面团簇的自然趋势。尽管以其有前途的电子特性而闻名,但是硼酚-一种单原子层厚的硼片的合成是具有挑战性的。与其类似的二维材料石墨烯不同的是石墨烯可以用像胶带一样简单的东西从固有的层状石墨中剥离出来,而硼酚则不能仅仅从散装硼中剥离出来。相反,硼酚必须直接生长在一个基底上。如果生长一层是困难的,那么生长多层的原子平坦的硼酚似乎是不可能的。因为硼的物理性质不像石墨那样是分层的,超过单个原子层的硼的生长会带来簇状的形态而不是平面的薄膜。

摘要： 美国西北大学的研究人员首次创造出一种双层原子厚度的硼烯,打破了硼在单原子层限制之外形成非平面团簇的自然趋势。这种双层材料保持了硼烯所有理想的电子特性,同时提供了新的优势。例如,该材料包含两个原子层厚的薄片,它们之间黏合在一起,可用于能量存储。

摘要： 中国科学技术大学马骋教授课题组用球差校正透射电镜直接观测到了一种奇特的非周期性结构,该结构尽管只有一个原子层厚,却能对锂离子的传输产生显著影响,从而成为除了晶界、点缺陷以外的又一类需要受到固态锂电池研究者密切关注的非周期性结构。研究成果近日发表在国际学术期刊《自然·通讯》上。

摘要： 化学是分子、原子层面研究物质组成、结构以及变化的一门学科,所涉及的众多概念、定理和变化规律对学生而言相对较为抽象,仅仅利用精炼的化学语言难以深刻解释其内涵,而化学微观模型则可以直观展示物质原型的具体形态,呈现化学反应的具体过程,对于学生认识微观世界有一定的帮助,下面将结合实例讲解微观模型的应用。

摘要： 随着对原子层材料的研究不断增加,美国加州大学河滨分校的科学家们开发岀了一种原型光电探测器,它可以提高光电转换的效率,并有望在太阳能的收集方式方面取得重大进展。除了在太阳能电池中,微小的光电探测器一一仅测量几个微一一己经出现在日常设备中,如手机、相机和遥控器。它们把光转换成电子,电子的运动产生电子信号。

摘要： 清华大学物理系张定助理教授、徐勇助理教授和薛其坤教授研究团队报道了在薄至两个原子层厚度的灰锡-锡烯-中,发现了二维超导电性,并揭示了其拓扑非平庸物性,研究成果以薄层锡烯中的超导电性为题发表于《自然-物理》.锡烯的态密度受到了衬底的调制,导致了超导电性的出现.通过改变衬底厚度,实现了锡烯从单带超导体到双带超导体的转变.外延生长的锡烯薄膜极其稳定,在没有任何保护层的情况下其超导电性可以长久保持（超过1年）.

摘要： 由台湾成功大学物理系吴忠霖教授等人组成的团队,成功研发出仅单原子层厚度(0.7nm)且具优异逻辑开关特性的二硒化钨(WSe2)二极体。据团队介绍,负责运算的传输电子被限定在单原子层内,将大幅降低干扰并增加运算速度,若未来应用在数位装置,运算速度预期可超过现今电脑千倍、万倍。

摘要： In this paper,Al_2O_3 thin films are deposited on a hydrogen-terminated Si substrate by using two home-built electron cyclotron resonance(ECR) and magnetic field enhanced radio frequency plasma-assisted atomic layer deposition(PA-ALD) devices with Al(CH_3)_3(trimethylaluminum,TMA) and oxygen plasma used as precursor and oxidant,respectively.The thickness,chemical composition,surface morphology and group reactions are characterized by in situ spectroscopic ellipsometer,x-ray photoelectric spectroscopy,atomic force microscopy,scanning electron microscopy,a high-resolution transmission electron microscope and in situ mass spectrometry(MS),respectively.We obtain that both ECR PA-ALD and the magnetic field enhanced PAALD can deposit thin films with high density,high purity,and uniformity at a high deposition rate.MS analysis reveals that the Al_2O_3 deposition reactions are not simple reactions between TMA and oxygen plasma to produce alumina,water and carbon dioxide.In fact,acetylene,carbon monoxide and some other by-products also appear in the exhaustion gas.In addition,the presence of bias voltage has a certain effect on the deposition rate and surface morphology of films,which may be attributed to the presence of bias voltage controlling the plasma energy and density.We conclude that both plasma sources have a different deposition mechanism,which is much more complicated than expected.

摘要： 应用自旋极化的第一性原理对在Mo(110)衬底上生长Fe薄膜进行系统研究.计算结果表明:紧邻界面的Mo原子向外驰豫,而Fe原子则表现向内驰豫.Fe/Mo(110)系统的键合表现为各向异性,在平行于Mo(110)表面方向,各个原子之间都表现为金属键,而在垂至于Mo(110)表面方向,Fe原子之间、Fe原子和Mo原子之间却表现为金属键.Fe/Mo薄膜中,Fe原子的磁矩大于体材料Fe原子的磁矩,以铁磁方式排列,并且在紧邻界面的Mo原子诱导出少量的磁矩,这些磁矩与Fe原子以反铁磁的方式排列.

摘要： 应用自旋极化的第一性原理对在Mo(110)衬底上生长Fe薄膜进行系统研究.计算结果表明:紧邻界面的Mo原子向外驰豫,而Fe原子则表现向内驰豫.Fe/Mo(110)系统的键合表现为各向异性,在平行于Mo(110)表面方向,各个原子之间都表现为金属键,而在垂至于Mo(110)表面方向,Fe原子之间、Fe原子和Mo原子之间却表现为金属键.Fe/Mo薄膜中,Fe原子的磁矩大于体材料Fe原子的磁矩,以铁磁方式排列,并且在紧邻界面的Mo原子诱导出少量的磁矩,这些磁矩与Fe原子以反铁磁的方式排列.

摘要： 应用自旋极化的第一性原理对在Mo(110)衬底上生长Fe薄膜进行系统研究.计算结果表明:紧邻界面的Mo原子向外驰豫,而Fe原子则表现向内驰豫.Fe/Mo(110)系统的键合表现为各向异性,在平行于Mo(110)表面方向,各个原子之间都表现为金属键,而在垂至于Mo(110)表面方向,Fe原子之间、Fe原子和Mo原子之间却表现为金属键.Fe/Mo薄膜中,Fe原子的磁矩大于体材料Fe原子的磁矩,以铁磁方式排列,并且在紧邻界面的Mo原子诱导出少量的磁矩,这些磁矩与Fe原子以反铁磁的方式排列.

摘要： 应用自旋极化的第一性原理对在Mo(110)衬底上生长Fe薄膜进行系统研究.计算结果表明:紧邻界面的Mo原子向外驰豫,而Fe原子则表现向内驰豫.Fe/Mo(110)系统的键合表现为各向异性,在平行于Mo(110)表面方向,各个原子之间都表现为金属键,而在垂至于Mo(110)表面方向,Fe原子之间、Fe原子和Mo原子之间却表现为金属键.Fe/Mo薄膜中,Fe原子的磁矩大于体材料Fe原子的磁矩,以铁磁方式排列,并且在紧邻界面的Mo原子诱导出少量的磁矩,这些磁矩与Fe原子以反铁磁的方式排列.

摘要： 应用自旋极化的第一性原理对在Mo(110)衬底上生长Fe薄膜进行系统研究.计算结果表明:紧邻界面的Mo原子向外驰豫,而Fe原子则表现向内驰豫.Fe/Mo(110)系统的键合表现为各向异性,在平行于Mo(110)表面方向,各个原子之间都表现为金属键,而在垂至于Mo(110)表面方向,Fe原子之间、Fe原子和Mo原子之间却表现为金属键.Fe/Mo薄膜中,Fe原子的磁矩大于体材料Fe原子的磁矩,以铁磁方式排列,并且在紧邻界面的Mo原子诱导出少量的磁矩,这些磁矩与Fe原子以反铁磁的方式排列.

摘要： 应用自旋极化的第一性原理对在Mo(110)衬底上生长Fe薄膜进行系统研究.计算结果表明:紧邻界面的Mo原子向外驰豫,而Fe原子则表现向内驰豫.Fe/Mo(110)系统的键合表现为各向异性,在平行于Mo(110)表面方向,各个原子之间都表现为金属键,而在垂至于Mo(110)表面方向,Fe原子之间、Fe原子和Mo原子之间却表现为金属键.Fe/Mo薄膜中,Fe原子的磁矩大于体材料Fe原子的磁矩,以铁磁方式排列,并且在紧邻界面的Mo原子诱导出少量的磁矩,这些磁矩与Fe原子以反铁磁的方式排列.

摘要： 在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。

摘要： 在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。

摘要： 本发明涉及一种气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该装置的原子层沉积方法。所述气体喷注装置被配置成单管形状。气体通过所述气体喷注装置的中心部分被供应到衬底上。同时，通过在沿着供气管的外表面的特定部分中所形成的进气孔所供应的气体被吸入。因此，当所述气体喷注装置被设置在靠近所述衬底处时，气体的供应和吸入可以同时进行。此处，由于沉积工艺是在常压下进行，所以不需要提供额外的装置及设置额外的时间来建立真空。并且，因为能够实施连续的工艺，所以工艺前步骤或工艺后步骤可以同时一起进行。此外，可以提供多个来源气喷注装置来形成多组分化合物。在这种情况下，可以针对每一种来源气分解温度来单独地调整热源的种类和所供应的热量。

摘要： 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。

摘要： 为抑制于基板上形成的膜的膜质劣化，电浆原子层成长装置(1)具备：原料气体供给口(14)，设置于成膜容器(1)的成膜容器(1A)的第一侧壁，且还具有作为清洁气体供给口的功能；原料气体排出口(15)，设置于成膜容器(1A)的第二侧壁，且还具有作为清洁气体排出口的功能。

摘要： 本发明涉及一种气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该装置的原子层沉积方法。所述气体喷注装置被配置成单管形状。气体通过所述气体喷注装置的中心部分被供应到衬底上。同时，通过在沿着供气管的外表面的特定部分中所形成的进气孔所供应的气体被吸入。因此，当所述气体喷注装置被设置在靠近所述衬底处时，气体的供应和吸入可以同时进行。此处，由于沉积工艺是在常压下进行，所以不需要提供额外的装置及设置额外的时间来建立真空。并且，因为能够实施连续的工艺，所以工艺前步骤或工艺后步骤可以同时一起进行。此外，可以提供多个来源气喷注装置来形成多组分化合物。在这种情况下，可以针对每一种来源气分解温度来单独地调整热源的种类和所供应的热量。

摘要： 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。

摘要： 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。

摘要： 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。

摘要： 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。本申请的原子层沉积装置包括反应室、晶片承载器和多个喷嘴，晶片承载器设于反应室的内部，用于在同一平面内承载多个晶片，多个喷嘴设于晶片承载器的上方的反应室的侧壁或顶壁，用于向反应室内通入第一前驱体、第二前驱体和净化气体。根据本申请的原子层沉积装置，能够同时在多个晶片表面形成原子层，提高晶片生产效率，同时保证原子层的沉积厚度和范围的均匀性，提高晶片质量。