单片集成

摘要： ST发布高集成度车规音频放大器,意法半导体的TDA7901车规功放单片集成G类功放开关管降压控制器,并支持高清音频,这个独步市场的特性组合带来出色的听觉体验和高能效。在G类放大中,TDA7901降压控制器根据音频信号电平,自动优化桥接负载(BTL)功率级的电源电压,最终的平滑的模拟音频在正常音量下具有接近D类功放的能效。因为耗散功率比传统A/B类放大器低很多,所以降低了对散热器的要求。单片集成降压控制器有助于系统减重瘦身,还可以降低物料清单成本,简化电路设计,无需开发电压轨控制固件。

摘要： 自偏置环行器比传统的铁氧体环行器尺寸小,集成度高,可满足当前电子装备微型化发展的紧迫需求。介绍了自偏置环行器及其集成研究的最新进展,自偏置环行器采用自偏置磁性材料作基片来替代常规微波铁氧体基片和永磁体,因而体积相较传统环行器大大缩小,甚至缩小了90%,并实现了与GaN MMIC有源芯片的集成,有助于组件向片上系统发展。

摘要： 文章的目的是概述光学相控阵激光雷达(OPA-LiDAR)系统的原理及其单片集成化的发展近况。介绍了目前已发表的0PA-LiDAR的集成方案和架构。主要包括了采用FM-CW模式的激光雷达的架构;外围驱动电路的和光子电路的集成方案;应用于单片集成雷达的数据转换电路、片上电源电路的发展近况。

摘要： 针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从而降低有源区色散对脉冲的影响并提升脉冲峰值功率,最终在1.5μm波段实现了重复频率24.3 GHz、脉冲宽度680 fs的亚皮秒光脉冲输出,脉冲光谱宽度为7.2 nm,脉冲峰值能量为525 mW。

摘要： 对宽带有源巴伦电路结构进行了研究,基于0.13μm GaAs pHEMT工艺,采用电磁仿真软件设计一款2 GHz~18 GHz单片集成宽带有源巴伦芯片。经过流片加工及装配测试,有源巴伦芯片在2 GHz~18 GHz工作频段范围,输入到两输出端小信号增益分别为3.0 dB~3.5 dB、3.5 dB~4.7 dB,两输出端口幅度差≤1.2 dB,相位差180±5°以内,输出P1 dB功率值大于4 dBm,直流功耗约5 V/50 mA。芯片尺寸为1.4 mm×1.9 mm×0.07 mm。实测与仿真结果具有一定的一致性。

摘要： 国内新闻中科院微电子所在新型垂直互补场效应晶体管(CFET)结构设计与仿真研究方面取得进展近日,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心殷华湘/吴振华研究团队利用业界主流的设计工艺协同优化(DTCO)方法全面探索了互补场效应晶体管(CFET)的器件架构优势。据中科院微电子所介绍,CFET结构是对新一代先进工艺节点全环绕栅极(GAA)晶体管的进一步改进,将不同导电沟道类型(N-FET和P-FET)的GAA器件在垂直方向进行高密度三维单片集成,从而突破了传统N/P-FET共平面布局间距的尺寸限制.

摘要： 利用微机电系统(MEMS)工艺,设计并制造了一种基于法拉第电磁感应定律的单片集成MEMS三轴磁场传感器。将两种不同结构的器件通过MEMS工艺集成到单一芯片上,完成单片集成MEMS三轴磁场传感器的制作。测试结果表明:在大气环境下,2S梁耦合器件对Z轴磁场的开环灵敏度为7.435μV/mT,非线性度为0.436%。当其用于Z轴磁场测量时,其对于X轴磁场的交叉轴抑制比γ_(z,x)为49.749 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γ_(z,y)为46.324 dB;在大气环境下,扭转框结构器件对X轴磁场的开环灵敏度为2.223μV/mT,非线性度为0.49%。当其用于X轴磁场测量时,其对于Z轴的交叉轴抑制比γx,z为44.687 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γ_(x,y)为41.138 dB。

摘要： GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有工作频率高、导通损耗小等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中,而拥有更高集成度的全GaN单片集成电路可进一步提高基于GaN HEMT器件功率变换器的性能.介绍了不同类型的全GaN集成工艺平台以及GaN功能子电路的研究进展,并对全GaN单片集成功率IC的研究现状进行了综述.

摘要： Micro-LED技术是近几十年来随着电子信息化进程加快而发展的显示技术,它凭借微型化、功耗低、响应速度快和分辨率高等独特之处,成熟运用在空间显示、医疗探测和可见光通信等领域。若要实现基于Micro-LED的实用显示系统,驱动技术至关重要。首先介绍了Micro-LED显示原理及结构,随后对Micro-LED的显示驱动技术进行对比分析。

摘要： 随着深空探测技术的发展,火星探测、小行星探测已成为21世纪深空探测的重要内容之一.光电敏感器如星敏感器、太阳敏感器是航天器必备测量传感器.传感器的质量、性能对整个任务的完成与否至关重要.为了满足航天器使用要求，需提高卫星平台关键测量单机的性能。军民两用单片集成数字太阳角计是航天器系统运行在空间环境恶劣的MEO轨道、GEO轨道以及HEO轨道，而我国目前卫星研制电子元器件依赖于国外进口的一般等级的军级产品达不到整个系统的长寿命、高可靠的要求。单片数字式太阳敏感器采用多芯片系统封装集成SiP技术。SiP技术可以实现对系统已有芯片的进行封装集成，通过叠层的封装，改变了传统基于印制板的电路设计模式，使系统更紧凑、性能更好。通过这种技术可以设计出国产的SiP单片集成数字式太阳敏感器。极大的提高系统的可靠性，减少成本。在航天器上可以比较大规模的使用SiP单片集成数字式太阳敏感器，改变现有的航天器姿态的测量模式，使航天器具有高可靠性、高精度、高速、高机动的性能，从而在空间环境中具有极好的适应性和生存能力。

摘要： 三轴加速度传感器是汽车电子和消费类电子产品市场发展的一个重要方向,有着巨大的市场份额.本项目为了解决热对流加速度传感器在三维空间测试的难题,开展了单片集成的应力弯曲悬臂梁式三轴热对流加速度传感器设计理论与CMOS兼容制造中所涉及的基础问题研究,为三维微纳机械结构和功能器件的设计提供了崭新的思路.

摘要： 基于硅集成电路工艺，开展了单片集成压力传感器的研究，解决了深槽腐蚀、三维MEMS加工与IC加工兼容、弱信号电路设计技术难题，研制出单片压力传感器样品，输出幅度0.3～4.7V，精度达到±2％.

摘要： 具有高出光功率和宽调谐范围的取样光栅分布布拉格反射(salpled grating distribute Bragg reflector ,SG-DBR)激光器与半导体光放大器(semiconductor optical amplifier,SOA)单片集成器件被成功制备。倾斜的SOA波导以及前后端面的增透膜成功的抑制了端面反射对于器件性能的影响。我们制备的集成SOA的SG-DDBR激光器调谐范围大于38nm,且波长覆盖良好,并实现调谐范围内光输出功率均大于9mW.

摘要： 一种新型的数字式太阳敏感器.采用SiP设计,将滤光片直接安装于探测器上.减小了数字式太阳敏感器的体积与质量,提高其可靠性.可用于深空探测卫星系统的太阳捕获和太阳定向,同时,也是星上其他光电敏感器的监护仪器,防止其他光学敏感器被强光损坏.首先,建立了SiP单片数字式太阳敏感器的指标体系;其次,论述了其组成及工作原理;再次,详细阐述了其光学设计和电子学设计;最后,介绍了原理样机研制情况和试验情况.

摘要： 在这篇文章中,主要通过标准的F离子注入技术实现增强型metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors(MIS-HEMT)器件,8nm的LPCVD-Si3N4作为栅介质的同时,也用作离子注入的能量吸收层来降低注入损伤.制作的增强型MIS-HEMT的阈值电压为+3.3V,饱和电流约为200mA/mm,同时具有一个较高的开关比～10 9.这个技术有利于工业化生产和器件的单片集成。

摘要： AlGaN/GaN异质结器件因其高的临界击穿电场、高电子迁移率和良好的温度特性在下一代大功率和高频应用中展现出了巨大的潜力,二极管是电力电子应用中不可或缺的器件,制造一个具有开启电压(VT低、反向漏电小(IR＜1μA/mm)和击穿电压(BV)高的二极管成为了设计者面临的主要挑战,本文提出了一种硅基氮化镓横向栅控混合阳极功率二极管新结构，器件开启电压仅有0.3V(@lmA/mm)，BV>1100V(IR<1μA/mm)，该二极管还与GaN HEMT工艺兼容，进一步可实现GaN功率模块的单片集成。

摘要： 宽禁带氮化镓基发光二极管(LED)集中了节能、环保、长寿命、轻便等众多优点,在通用照明、装饰照明、辅助照明及显示等方面得到广泛应用,推动着固态照明领域的急速发展.目前,在大功率照明应用中,基本还是采用多个LED器件组合或多芯片模块,其封装成本和照明系统安装成本是制约价格的重要因素,从而影响了LED在大功率照明市场的竞争力.从降低LED器件及灯具成本的角度来看,LED照明的最理想方案是"单芯片LED灯具",即:一个灯具仅用一颗LED芯片.这样可使LED器件的封装成本、灯具的安装成本以及维护成本都降至最低.这就要求单颗LED芯片的功率必须达到灯具总功率的要求.近年的研究表明，基于串并联网络的单片集成设计能有效的解决大面积、大功率LED芯片的良率问题，并且应用这一方案研制成功了2”千瓦级功率的晶圆级LED芯片。整个晶圆级LED芯片由10个LED串联组构成，每个串联组包含有65级小LED单元。这10个LED串联组共享一个阳极，各自有一个阴极。为了克服外延片及芯片工艺的不均匀性造成的LED串联组开启电压的差异，芯片阴极与电源负极间加入了匹配电阻来平衡开启电压差异对各串联组电流分配的影响。利用这样一个晶圆级LED芯片去实现千瓦级光源，散热是关键问题。主动散热的液冷系统能很好地解决这一难题。目前，研制出的晶圆级蓝光LED光源在输入电功率～1000W的条件下，能够发射～300W的光功率，插墙效率为～30%。晶圆级LED芯片组装成大功率光源的优点可以归纳为以下几个方面：简洁的器件封装及光源组装工艺，能获得最佳性价比；光源系统的安装、维护更便捷；为更合理利用能源提供了可能。

摘要： 针对目前RFID 控制系统的实际需求，设计了一种低功耗有源RFID电子标签。该设计使用单片集成CC2500 构成射频前端，利用射频前端的不同工作模式，结合超低功耗单片机MSP430，实现了有源电子标签的低功耗设计要求。经测试结果表明该设计完全达到了低功耗应用要求，且已经在沙特磷酸盐漏斗车自动装卸控制系统中得到了成功运用。

摘要： 在需要温湿度变化剧烈的环境中,湿度准确测量的最佳方案是采用单片集成的具有除湿功能的湿度传感器,本文采用MEMS(Micro-electm-mechanical system)技术,研制出集成加热元件的双模块湿度传感器,可以实现湿度测量中交替加热除湿和交替测试功能,具有测试响应时间短、除湿功耗低、响应快速的特点。

摘要： 本发明公开了一种集成通道切换的功分网络单片微波集成电路，属于移动通信系统领域。该单片微波集成电路包括两个一级单刀双掷开关、四个二级单刀双掷开关、四个功分网络。本发明通过特定的连接方式融合了功分网络和开关电路，构成了多个射频信号通道，作为信号分配器可以对两个输入信号以一定比例在四个输出端口选择性输出，或者与之相反地，作为合成器可以将四个输出端口所接收到的信号以一定比例合成至两个输入端，实现复杂的射频信号流向，同时具备集成度高、插入损耗低以及工作频段高等优点。

摘要： 本发明涉及三维集成电路技术领域，具体涉及一种单片三维集成器件和单片三维集成电路。该单片三维集成器件中，配置层中设有一个或多个电子元件；第一埋氧层远离配置层的一侧还设置有金属‑氧化物半导体场效应MOSFET器件和配置层电极组；配置层电极组包括一个或多个电极；第一埋氧层中设有与一个或多个电极一一对应的导电通路；电极通过第一埋氧层中与其对应的导电通路连接配置层中与电极对应的电子元件的一端。本发明提供的单片三维集成器件采用单片堆叠方式，继承了SOI技术，提高了电路的集成度，同时单片三维集成器件设有两层埋氧层实现双层隔离，能够有效抑制衬底层对MOSFET器件的影响，从而提高了三维集成电路的可靠性。

摘要： 本发明公开了一种集成通道切换的功分网络单片微波集成电路，属于移动通信系统领域。该单片微波集成电路包括两个一级单刀双掷开关、四个二级单刀双掷开关、四个功分网络。本发明通过特定的连接方式融合了功分网络和开关电路，构成了多个射频信号通道，作为信号分配器可以对两个输入信号以一定比例在四个输出端口选择性输出，或者与之相反地，作为合成器可以将四个输出端口所接收到的信号以一定比例合成至两个输入端，实现复杂的射频信号流向，同时具备集成度高、插入损耗低以及工作频段高等优点。

摘要： 本发明提供了一种单片集成器件的制作方法，包括：选择一衬底；在衬底上外延生长多量子阱有源区；在多量子阱有源区上刻蚀光栅层和相位层，并对接生长无源波导层；在无源波导层上制作光栅；在多量子阱有源区上刻蚀电吸收调制区，并对接生长电吸收调制层；在多量子阱有源区、无源波导层、光栅和电吸收调制层上生长光限制脊波导层；在光限制脊波导层上生长电接触层；在电接触层上制作P电极；在衬底背面制作N电极；将经操作后的衬底解理成条状且一端蒸镀高反射膜、另一端蒸镀抗反射薄膜，并解理成单个管芯，进行封装。本发明提供的制作方法，能够有效地解决了TWDM‑PON的核心半导体光电子集成芯片和封装技术的问题。

摘要： 在一衬底上制造包括PIN二极管器件、HBT器件、HEMT器件和MESFET器件的组合的单片集成电路器件的方法，包括在衬底上淀积上述各器件之一的断面层，然后在该断面层上淀积第一介质层，刻蚀该断面层和介质层以限定第一器件断面，在露出的衬底上淀积第二断面层，选择性刻蚀第二断面以确定第二器件断面。该工艺可推广到在一公共衬底上单片集成两个以上的不同器件，只要先制作的器件稳定得足以承受制作后部器件所用的温度循环。

摘要： 本发明提供了一种单片集成波导装置，包括激光段以及调制器段，激光段包含波长选择元件，激光段和调制器段分别包含光模在其中传播的激光波导和调制器波导，调制器段用于调制相位和/或振幅。单片集成波导装置采用一个单片装置，由多个激光器段组成，每个激光器段都具有独立的激光条；或者采用由多个激光器段和多个用于调制相位的调制器段组成dev单片器件，并共同形成在同一个芯片上。一种集成半导体芯片，包括：单片集成波导装置以及前后视镜，单片集成波导装置具有多个段，与前后视镜成一定角度，激光器段发射的激光直接耦合到调制器段。

摘要： 本发明涉及使用集成电路铸造相容工艺的单片集成电阻式存储器，提供电阻式存储器的单片集成，其具有利用集成电路铸造相容工艺的互补金属氧化物半导体。提供一种存储器装置，其包括衬底﹑第一绝缘体层和单片堆栈，该衬底包含一个或多个互补金属氧化物半导体装置，该第一绝缘体层形成于该衬底上。该单片堆栈包含作为单片工艺的一部分而被制造在该第一绝缘体层上方的多个层。该多个层包含第一金属层、第二绝缘体层、和第二金属层。该电阻式存储器装置结构是在该一个或多个互补金属氧化物半导体装置的热预算内的情况下形成在该第二绝缘体层内。该电阻式存储器装置结构被实现为柱形装置或通孔装置。此外，该第一金属层耦合到该第二金属层。

摘要： 本发明提供了一种单片集成器件的制作方法，包括：选择一衬底；在衬底上外延生长多量子阱有源区；在多量子阱有源区上刻蚀光栅层和相位层，并对接生长无源波导层；在无源波导层上制作光栅；在多量子阱有源区上刻蚀电吸收调制区，并对接生长电吸收调制层；在多量子阱有源区、无源波导层、光栅和电吸收调制层上生长光限制脊波导层；在光限制脊波导层上生长电接触层；在电接触层上制作P电极；在衬底背面制作N电极；将经上述操作后的衬底解理成条状且一端蒸镀高反射膜、另一端蒸镀抗反射薄膜，并解理成单个管芯，进行封装。本发明提供的制作方法，能够有效地解决了TWDM‑PON的核心半导体光电子集成芯片和封装技术的问题。

摘要： 本发明提出了一种带有功率器件的单片集成的半导体装置和用于制造该半导体装置的方法，其中，在第一端子和第二区域之间设置有单片集成的电阻元件，并且在该电阻元件和该第二区域之间设置有穿过第一区域的相对低欧姆的电连接。

摘要： 本实用新型公开了一种集成电路芯片和毫米波单片集成电路多层混合展示台，包括展示板，展示板的顶部设置有展示卡槽，展示板的上表面连接有防护罩，展示板下表面的四端连接有伸缩杆，展示板的下表面连接有伸缩柱，伸缩柱的顶部设置有卡珠，伸缩柱的两侧设置有凹槽，伸缩柱的外壁连接有支撑柱，支撑柱外壁的两侧设置有拉柄，拉柄内壁的两侧连接有压缩簧，压缩簧与拉柄的一端连接有推板，推板的一侧连接有凸块，支撑柱的底部连接有基座，基座的中心处设置有存储箱，本实用新型中，通过与展示板相连结构的共同作用，可对其展示板的层数进行增加，便于对多组集成电路芯片和毫米波单片集成电路进行充分混合展示，使得其展示效果更佳。