单刀双掷开关

摘要： 基于0.13μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种应用于LTE;DD/FDD接收发射模块的低插入损耗的单刀双掷(SPDT)射频开关电路。该电路通过使用绝缘体上硅(SOI)工艺,以及特殊的MOS器件,让设计的开关具有比传统CMOS器件拥有更好的隔离性能,同时实现了更低的插入损耗,该电路通过流片后验证,在0.1~3GHz的频率范围内,插入损耗都低于0.5dB,隔离度平均大于30dB,输入功率0.1dB压缩点达到了34dBm,可以满足4代通信的标准。

摘要： 电磁继电器在生活中有着广泛的应用,自动控制就是其中一个方面,近年来,与此有关的中考题也是层出不穷.这类考题既涉及电磁继电器的工作原理,又需要应用欧姆定律、电热等知识进行计算,与实际生活联系密切.电磁继电器的原理是电流的磁效应;作用实质上是一个利用电磁铁来控制工作电路通断的开关(两种情况:单刀单掷开关、单刀双掷开关).

摘要： 介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构,每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成,并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理,可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15μm GaAs pHEMT工艺实现了一款应用于毫米波通信频段的单刀双掷(SPDT)开关芯片,整体面积为2.1 mm×1.1 mm.测试结果表明,在23～30 GHz频率范围内,该开关芯片的整体插入损耗小于1.3 dB,隔离度大于23 dB,输入输出回波损耗均大于10 dB.

摘要： 本文研究了一种基于100 nm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计的24～30 GHz单片集成单刀双掷(SPDT)开关.该开关采用1/4波长微带线并联HEMT开关器件的结构,通过采用两级并联HEMT实现低插入损耗同时获得更好的隔离度.测试结果显示,在24～30 GHz的5G毫米波频段内以及0/-5V的控制电压下,该开关的插入损耗低于1.5 dB,隔离度优于28 dB,输入功率1 dB压缩点大于27 dBm.测试结果能够很好地验证仿真结果.

摘要： 介绍了一种机械式的具有逻辑功能的密码锁,该密码锁是能直观应用与、或非、异或非等门电路功能的实验装置,它通过单刀双掷开关的开关闭合方向实现门电路的逻辑功能.16个单刀双掷开关构成了8个逻辑单元,构成每个逻辑单元的2个单刀双掷开关向同一方向闭合时,电路导通,否则电路断开.根据实验教学的需要,密码锁装置可以通过设置密码状态实现1～8位密码的破译过程.

摘要： 单刀双掷开关是生产、生活中常用的一种开关,也是初中学段一种较为复杂的开关.学生对这种开关的设计原理往往理解不透,对接线方法容易搞错.本文从学生熟悉的单刀单掷开关入手,通过一系列问题设计,逐步迁移到单刀双掷开关,从而使学生对为什么要设计单刀双掷开关、单刀双掷开关如何接线有了深刻的理解,便于学生掌握.

摘要： 近日,美国Macom公司发布新的MASW-011102SPDT非反射开关,扩展了其RF开关技术组合。基于Macom的GaAs基单刀双掷（SPDT MASW）系列开关的既定性能标志,新型MASW-011102针对跨越测试和测量、电子战和宽带通信系统的应用进行了优化。Macom的新型MASW-011102低功耗SPDT非反射型开关支持从直流到30GHz的宽带操作，插入损耗低至1．8dB，30GHz时的高隔离度为40dB。

摘要： 本文介绍了一种C波段高功率单刀双掷开关设计,采用0～π/2铁氧体移相器来设计实现单刀双掷开关，其中移相器采用介质加载的铁氧体槽波导方案。经过以上0～π/2移相器的设计，加上折叠双T和三分贝电桥组成单刀双掷开关，能够实现设计指标:在C波段13％带宽下,承受2kW平均功率,开关时间小于10us,插入损耗小于0.3dB,隔离度大于20dB.。

摘要： 以AIGaAs梁式引线PIN二极管MA4AGBLP912为基础,介绍了W波段单刀双掷(SPDT)开关设计仿真过程,采用微带线分布参数设计,实现了单刀双掷开关的匹配网络.该设计中采用了二极管串并联型结构,获得了较好的电性能,结果表明在中心频率93GHz附近,插入损耗IL＜0.5dB,关断状态下隔离度ISO＞45dB,在92GHz-94.5GHz通带内驻波比VSWR≤1.5.

摘要： 本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RF MEMS单刀双掷开关，利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明：驱动电压为22V，开关时间为22μs，在中心频率30GHz处，开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB，回波损耗为43dB，隔离度为29dB：而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB，回波损耗为19dB，隔离度为28dB，该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。

摘要： 采用SiGe BiCMOS工艺设计了一个X波段六位移相器.该移相器工作频率8～12GHz,移相范围为360°,步进5.625°.移相器采用高通/低通滤波器结构,通过六级移相单元以多及个单刀双掷开关级联实现.测试结果显示,芯片在1.2V的电源电压下,10GHz频率处插损约为15dB,在64种移相状态下,RMS相位误差1.6°,幅度偏差0.3dB,端口回波损耗小于-16dB.芯片不包含焊盘的尺寸约为2.65mm×0.81mm.

摘要： 本文简要介绍了PIN管开关的工作原理和一般的设计方法,提出了一种新型单刀双掷开关的拓扑网络,并在陶瓷基片上制作了Ka波段的单刀双掷开关.通过理论分析和仿真得到了非常低的插入损耗、很低的回波损耗、较高的隔离度,同时此开关网络还具有级联特性。最后通过实验验证了设计的准确性,制作的开关在34GHz～36GHz范围内插入损耗低于1.5dB,最优处0.3dB,回波损耗低于-20dB,隔离度大于20dB.

摘要： 利用GaAs双栅结构FET管的高功率处理能力,以GaAs PHEMT工艺平台和集成电路设计技术为基础,研制开发了一种适用于移动通信基站和手机的GaAs MMIC单刀双掷大功率开关集成电路,并且采用低费塑料封装,封装形式为SC70-6,具有承受功率大,体积小等特点,在0.9GHz,插入损耗为0.3dB,隔离度典型值为25dB,承受功率在2W以上,产品性能指标达到国外同类产品水平.

摘要： 本文利用Ku-波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种Ku-波段MEMS单刀双掷膜开关.模拟结果为阈值电压19V左右,工作于Ku-波段(8～12)GHz,在中心频率15GHz处,导通开关的插入损耗为-0.15dB,截止开关的隔离度为-33dB,开关的回波损耗为-27dB.

摘要： 提出了一种基于串并联型单刀双掷(SPDT)微带开关模型上的复合网络分析方法,混合利用Z矩阵和A矩阵求出了一种串并联结构SPDT微带开关S参数表示式.然后建立了的PIN管开路、短路的等效电路模型,最后借助于Serenade软件进行了串并联型SPDT电路仿真和参数优化,得到了很好的结果,其主要参数可与市场上的同类微波开关产品参数相媲美,从而验证了该方法的可行性及有效性。

摘要： 提出了一种基于串并联型单刀双掷(SPDT)微带开关模型上的复合网络分析方法,混合利用Z矩阵和A矩阵求出了一种串并联结构SPDT微带开关S参数表示式.然后建立了的PIN管开路、短路的等效电路模型,最后借助于Serenade软件进行了串并联型SPDT电路仿真和参数优化,得到了很好的结果,其主要参数可与市场上的同类微波开关产品参数相媲美,从而验证了该方法的可行性及有效性。

摘要： 提出了一种基于串并联型单刀双掷(SPDT)微带开关模型上的复合网络分析方法,混合利用Z矩阵和A矩阵求出了一种串并联结构SPDT微带开关S参数表示式.然后建立了的PIN管开路、短路的等效电路模型,最后借助于Serenade软件进行了串并联型SPDT电路仿真和参数优化,得到了很好的结果,其主要参数可与市场上的同类微波开关产品参数相媲美,从而验证了该方法的可行性及有效性。

摘要： 本发明公开了一种单刀单掷射频开关，包括：半导体开关器件其第一端通过第一电容连接该单刀单掷射频开关第一端并通过第一电阻连接第一状态控制信号输入端；其第二端通过第二电阻连接第二状态控制信号输入端；其第三端通过第四电阻接地并连接第一二极管正极，第一二极管负极连接第二二极管负极并通过第六电阻接电源电压，第二二极管正极通过第五电阻接地；其第四端通过第二电容连接该单刀单掷射频开关第二端并通过第三电阻连接第三状态控制信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成串联电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本发明公开一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 一种单刀单掷射频开关，包括：开关器件T1第一端通过电阻R1接输入端S1并通过电容C1、C2接该开关第二端P2，第二端通过电阻R2接输入端S2并通过电感L1和电容C3接该开关第一端P1，第三端通过电阻R3接输入端S3；开关器件T2第一端通过电阻R4接输入端S4并通过电容C4、C3接该开关第一端P1，第二端通过电阻R5接输入端S5并接开关器件T3第二端，第二端接于电容C6和电感L2之间，第三端通过电阻R6接输入端S6；电容C5并联开关器件T1和电容C1；电容C6和电感L2串联于电容C3和C2之间；开关器件T3，其第一端接开关器件T1第二端，其第三端通过电阻R7接输入端S7。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本发明公开一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本发明公开了一种单刀单掷射频开关，包括：半导体开关器件其第一端通过第一电容连接该单刀单掷射频开关第一端并通过第一电阻连接第一状态控制信号输入端；其第二端通过第二电阻连接第二状态控制信号输入端；其第三端通过第四电阻接地并连接第一二极管正极，第一二极管负极连接第二二极管负极并通过第六电阻接电源电压，第二二极管正极通过第五电阻接地；其第四端通过第二电容连接该单刀单掷射频开关第二端并通过第三电阻连接第三状态控制信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成串联电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 一种单刀单掷射频开关，包括：开关器件T1第一端通过电阻R1接输入端S1并通过电容C1、C2接该开关第二端P2，第二端通过电阻R2接输入端S2并通过电感L1和电容C3接该开关第一端P1，第三端通过电阻R3接输入端S3；开关器件T2第一端通过电阻R4接输入端S4并通过电容C4、C3接该开关第一端P1，第二端通过电阻R5接输入端S5并接开关器件T3第二端，第二端接于电容C6和电感L2之间，第三端通过电阻R6接输入端S6；电容C5并联开关器件T1和电容C1；电容C6和电感L2串联于电容C3和C2之间；开关器件T3，其第一端接开关器件T1第二端，其第三端通过电阻R7接输入端S7。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本实用新型公开一种单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关，单刀单掷射频开关包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；ESD结构跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本实用新型还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本实用新型的单刀单掷射频开关占用面积更小，具有更好的静电保护。

摘要： 本实用新型公开一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本实用新型还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本实用新型的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本发明涉及一种滤波集成单刀双掷开关及微带线滤波集成单刀双掷开关，通过四个耦合电容连接一个不加载开关电路的共用级并联LC谐振电路和两组加载开关电路的中间级并联LC谐振电路与末级并联LC谐振电路构成两条信号流通路径；在绝对值相同极性相反的直流偏置电压控制下，一条信号流通路径呈低损耗、高选择性带通滤波特性，另一条信号流通路径在较宽的频率范围内呈高抑制度阻带特性，从而形成滤波集成单刀双掷开关功能。本发明具有以下优点：融合开关与滤波器两种元器件功能，电路简单且尺寸紧凑，导通状态具有陡峭的宽带带通滤波特性，截止状态具有高抑制度全阻特性，端口间具有高隔离度，对谐波在较宽频率范围内有较高抑制功能。

摘要： 本发明涉及一种滤波集成单刀双掷开关及微带线滤波集成单刀双掷开关，通过四个耦合电容连接一个不加载开关电路的共用级并联LC谐振电路和两组加载开关电路的中间级并联LC谐振电路与末级并联LC谐振电路构成两条信号流通路径；在绝对值相同极性相反的直流偏置电压控制下，一条信号流通路径呈低损耗、高选择性带通滤波特性，另一条信号流通路径在较宽的频率范围内呈高抑制度阻带特性，从而形成滤波集成单刀双掷开关功能。本发明具有以下优点：融合开关与滤波器两种元器件功能，电路简单且尺寸紧凑，导通状态具有陡峭的宽带带通滤波特性，截止状态具有高抑制度全阻特性，端口间具有高隔离度，对谐波在较宽频率范围内有较高抑制功能。