半导体制造商

摘要： 元器件数量更少,运行更稳定,有助于减少电源电路的设计工时全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一种新电源技术“QuiCurTM”,可改善包括DC/DC转换器IC在内的各种电源IC的负载响应特性*1(以下称为“响应性能”,指后级电路工作时的响应速度和电压稳定性)。近年来,在各种应用领域,数字化进程都在加速,随着所安装的电子元器件数量的增加,应用产品的设计工时也增加了。

摘要： 全球知名半导体制造商罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位于德国纽伦堡的SiC(碳化硅)晶圆制造商,通过25年的发展,目前已将业务范围扩大到全世界,并拥有200多名员工。虽然公司规模不是很大,但是其关键技术现已作为SiC功率半导体广泛应用于世界各地的电动汽车中,该公司已经成为SiC晶圆市场的先进企业之一。

摘要： 元器件数量更少,运行更稳定,有助于减少电源电路的设计工时全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一种新电源技术“QuiCurTM”,可改善包括DC/DC转换器IC在内的各种电源IC的负载响应特性*1(以下称为“响应性能”,指后级电路工作时的响应速度和电压稳定性)。近年来,在各种应用领域,数字化进程都在加速,随着所安装的电子元器件数量的增加,应用产品的设计工时也增加了。

摘要： 全球知名半导体制造商罗姆在2021财年(2021/4/1-2022/3/31)中,汽车和工业设备相关市场将继续保持良好势头,家电和办公设备等消费电子相关市场也将因生活方或的变化而呈现良好势头,预计销售额将超过财年初的预期。在销售利润方面,由于销售额增加而导致的边际利润增加,预计将超过财年初的预期。

摘要： 一边是以智能手机为代表的消费电子产品市场需求萎缩,多家终端企业甚至大幅缩减2022年全年订单,另一边却是上游半导体制造商开足马力扩充产能的同时,不断调高芯片价格。看似违背市场供需与价格规律的情势背后,到底隐藏着什么问题?

摘要： 2022年7月9日,法国轮胎制造商米其林的首席执行官Florent Menegaux表示,受半导体短缺影响,全球汽车市场预计将在2024年开始回暖。这与此前英飞凌、英特尔等知名半导体制造商所预测的2023年下半年回暖有所延后。Menegaux称,汽车产业近年一直面临着巨大的压力,受芯片供应紧张以及原材料生产成本上升等因素的影响,全球汽车产业很难在2023年迎来真正的复苏。

摘要： 赛米控与罗姆就碳化硅功率元器件展开新的合作,罗姆的碳化硅技术助力赛米控用于下一代电动汽车的eMPack®功率模块。赛米控(总部位于德国纽伦堡)和全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)在开发碳化硅(SiC)功率模块方面已经开展了十多年的合作。此次,罗姆的第4代SiC MOSFET正式被用于赛米控的车规级功率模块“eMPack®”,开启了双方合作的新征程。

摘要： 智能汽车搭载先进传感系统、决策系统、执行系统,运用信息通信、互联网、大数据、云计算、人工智能等新技术,具有部分或完全自动驾驶功能,使汽车由单纯交通运输工具逐步向智能移动空间转变的新一代汽车,对促进智能交通、智慧城市的发展起到重要作用。作为领先半导体制造商,安森美(Onsemi)多年来一直专注于汽车市场,以其自动驾驶、先进驾驶辅助系统(ADAS)、汽车电气化等技术的演进,以及汽车平台中使用的电子元器件的指数式增长,正在重新改写个人交通出行的边界。

摘要： 智能汽车搭载先进传感系统、决策系统、执行系统,运用信息通信、互联网、大数据、云计算、人工智能等新技术,具有部分或完全自动驾驶功能,使汽车由单纯交通运输工具逐步向智能移动空间转变的新一代汽车,对促进智能交通、智慧城市的发展起到重要作用。作为领先半导体制造商,安森美(Onsemi)多年来一直专注于汽车市场,以其自动驾驶、先进驾驶辅助系统(ADAS)、汽车电气化等技术的演进,以及汽车平台中使用的电子元器件的指数式增长,正在重新改写个人交通出行的边界。

摘要： 随着半导体技术的提升,以SiC和GaN为代表第三代半导体材料越来越受到关注。与传统硅工艺相比,Si C和Ga N等宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻(RDS)以及更小的器件物理尺寸。很多传统半导体巨头将其视作未来功率器件新战场,近年来纷纷加码该领域,这其中包括领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商United SiC(联合碳化硅)公司。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 模塑模具(51)具备：朝向型腔(52)注入成为模塑树脂的流动树脂的树脂注入浇口部(59)、积存在型腔(52)中流动来的流动树脂的树脂积存部(63)、以及树脂积存浇口部(65)。树脂积存部(63)设置于隔着型腔(52)与配置有树脂注入浇口部(59)的一侧相反的一侧。树脂积存浇口部(65)将型腔(52)与树脂积存部(63)之间连通。树脂积存浇口部(65)的开口截面积比树脂注入浇口部(59)的开口截面积小。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明的目的是提供一种在抛光处理、加热处理、曝光·显影处理、电镀处理及真空处理等各处理中的耐久性优异的半导体封装体制造用支承体、该半导体封装体制造用支承体的使用以及半导体封装体的制造方法，本发明的半导体封装体制造用支承体具有基材层和与上述基材层邻接的粘接层，上述基材层是由含脂环结构树脂膜形成的。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。