MEMS技术

摘要： 本文从多方面探讨了MEMS传感器技术的发展现状及市场规模,梳理了MEMS传感器的细分行业,着重分析和研究了MEMS声学传感器在智能手机、智能无线耳机、智能可穿戴设备、智能家居、汽车电子等领域的现状及市场前景。

摘要： TDK推出采用超低剖面设计的高精度AVD系列新型压力变送器。新系列有3种型号可供选择,可选压力测量范围有0~16 mbar、0~100 mbar和0~7 bar。这些压阻式压力变送器基于MEMS技术,具有诸多特点,如:尺寸紧凑,占用面积为31 mm×40 mm,插入高度仅为12.9 mm,适合狭窄空间应用;可高精度测量低压,压力范围为100 mbar时的测量精度可达±1.75%FS(满量程)。

摘要： 利用基于MEMS技术的SIMC-3120便携式近红外光谱仪,采集632个白酒酒醅样品的漫反射光谱,将所得的950~1650 nm波段范围内的光谱数据进行多元散射校正(MSC)预处理,结合偏最小二乘法(PLS)建立出入窖样品水分、酸度和淀粉的定性、定量分析模型。结果表明,SIMC-3120可以利用更少数量样本实现快速建模,实现酒醅入窖和出窖水分、酸度和淀粉含量的检测,并对模型和预测结果进行了详细分析,各项指标误差分别控制在1.2%、0.3 mmol/10 g和0.9%以内,与进口仪器水平相当,能满足酒醅参数准确检测和快速配粮的生产要求,且设备形小体轻、价格便宜、使用方便,可广泛应用于各大、中、小型白酒企业。

摘要： 为了实现真空测量仪器的小型化,开展了MEMS电容薄膜真空计的研制。首先研制了差压式结构,以验证感压薄膜的性能,之后研制了绝压式结构,通过不断优化迭代,最后完成绝压式MEMS电容薄膜真空计样机研制。性能测试结果表明,真空计的测量范围为0.2~103 Pa,分辨率0.1 Pa,全量程准确度0.1%FS。对研制过程中解决的关键技术,如“平整大宽厚比感压薄膜制备”“非蒸散型吸气剂薄膜制备”“传感器封装”等进行了介绍,并对未来工作进行了展望。

摘要： 机器人技术现在已在康复医学科、骨科、神经外科、普通外科多个专科得到应用,它提高了技术的准确性和可重复性,可改善临床效果,对于下肢残疾患者的康复前景广阔。文章针对如何高效利用下肢康复机器提高患者康复率的问题展开研究,提出了一种全新的便携式下肢机器人步态分析方法,探索下肢运动机理和运动实时估计方法,通过建立一种基于阵列MEMS姿态感知技术的改进四元数姿态解算机制,形成了下肢机器人运动感知系统,系统采用改进的模糊加权算法对MEMS姿态解算结果进行数据融合,最终实现可穿戴康复机器人行走步态分析与优化。

摘要： 北京遥测技术研究所MEMS工程中心位于北京市丰台区东高地四营门北路2号院,中心洁净厂房总面积约1700 m2,是集设计、制造于一体的MEMS传感器产业基地及MEMS技术创新平台。中心根据产品生产需求和先进的工艺设计加工理念,建立了薄膜压力传感器及石英角速率传感器两条批量产品生产线。经过多年来的发展,还建立了碳化硅高温压力传感器、谐振式高精度压力传感器、石英振梁加速度传感器、硅微压力传感器、射频微同轴MEMS器件等先进产品研试线。

摘要： 传统陀螺仪的测控电路是由分立的模拟电路组成,陀螺仪输出信号的性能易受温度等环境因素影响.针对以上问题,文章基于Altera公司的MAX系列FPGA芯片,设计实现了MEMS陀螺仪的驱动与检测电路系统.系统主要包含PLL模块、ADC控制模块、数据解算模块、DDS模块、自动增益控制模块和SPI控制模块.通过FPGA开发板进行下板测试,由PC端的信号采集与测试平台得出:扫频模式下MEMS陀螺仪三轴的谐振频率分别为5485、5513、5462 Hz;闭环模式下MEMS陀螺仪三轴的角速度分别为0.000193,0.003409和0.005329;同时系统运行稳定,实时性比较好,为后续的标定和测试奠定了一定的基础.

摘要： 北京遥测技术研究所MEMS工程中心位于北京市丰台区东高地四营门北路2号院,中心洁净厂房总面积约1700 m2,是集设计、制造于一体的MEMS传感器产业基地及MEMS技术创新平台。中心根据产品生产需求和先进的工艺设计加工理念,建立了薄膜压力传感器及石英角速率传感器两条批量产品生产线。经过多年来的发展,还建立了碳化硅高温压力传感器、谐振式高精度压力传感器、石英振梁加速度传感器、硅微压力传感器、射频微同轴MEMS器件等先进产品研试线。

摘要： 针对MEMS火工品低能化带来的安全性问题,设计了一种MEMS安全起爆芯片,包括Ni-Cr微加热器层、绝缘层、导线控制层。采用共聚焦显微镜、原子力显微镜、台阶仪对MEMS安全起爆芯片的形貌、表面粗糙度、厚度进行了表征分析,并进行了安全发火性能测试,测试结果表明:MEMS平面开关可以实现通断转换,安全起爆芯片的全发火电流为0.8 A,全发火电压7 V,作用时间22μs。MEMS安全起爆芯片能够提高本质安全性,可以为MEMS火工品提供技术支撑。

摘要： 北京遥测技术研究所MEMS工程中心位于北京市丰台区东高地四营门北路2号院,中心洁净厂房总面积约1700 m^(2),是集设计、制造于一体的MEMS传感器产业基地及MEMS技术创新平台。中心根据产品生产需求和先进的工艺设计加工理念,建立了薄膜压力传感器及石英角速率传感器两条批量产品生产线。经过多年来的发展,还建立了碳化硅高温压力传感器、谐振式高精度压力传感器、石英振梁加速度传感器、硅微压力传感器、射频微同轴MEMS器件等先进产品研试线。

摘要： 基于MEMS技术设计了一套地震预警拾振装置.采用GSK-166振动台对该装置进行测试,并与通过计量检定的标准传感器AC43进行比对,结果显示,该装置性能参数基本符合地震预警系统要求.

摘要： 基于MEMS技术设计了一套地震预警拾振装置.采用GSK-166振动台对该装置进行测试,并与通过计量检定的标准传感器AC43进行比对,结果显示,该装置性能参数基本符合地震预警系统要求.

摘要： 基于MEMS技术设计了一套地震预警拾振装置.采用GSK-166振动台对该装置进行测试,并与通过计量检定的标准传感器AC43进行比对,结果显示,该装置性能参数基本符合地震预警系统要求.

摘要： 基于MEMS技术设计了一套地震预警拾振装置.采用GSK-166振动台对该装置进行测试,并与通过计量检定的标准传感器AC43进行比对,结果显示,该装置性能参数基本符合地震预警系统要求.

摘要： 基于MEMS技术设计了一套地震预警拾振装置.采用GSK-166振动台对该装置进行测试,并与通过计量检定的标准传感器AC43进行比对,结果显示,该装置性能参数基本符合地震预警系统要求.

摘要： 本文基于法国LAAS-CNRS开发的固体微推力器进行了内流场仿真,研究了推力器工作过程及滑移边界条件对推力器内流场及推力幅值的影响,结果表明推力器喷喉处流速未达到当地声速,滑移对喷喉处流场速度影响较大,对喷管出口附近滑移的影响较小,滑移对稳态推力幅值影响很小.

摘要： 本文基于法国LAAS-CNRS开发的固体微推力器进行了内流场仿真,研究了推力器工作过程及滑移边界条件对推力器内流场及推力幅值的影响,结果表明推力器喷喉处流速未达到当地声速,滑移对喷喉处流场速度影响较大,对喷管出口附近滑移的影响较小,滑移对稳态推力幅值影响很小.

摘要： 本文基于法国LAAS-CNRS开发的固体微推力器进行了内流场仿真,研究了推力器工作过程及滑移边界条件对推力器内流场及推力幅值的影响,结果表明推力器喷喉处流速未达到当地声速,滑移对喷喉处流场速度影响较大,对喷管出口附近滑移的影响较小,滑移对稳态推力幅值影响很小.

摘要： 本文基于法国LAAS-CNRS开发的固体微推力器进行了内流场仿真,研究了推力器工作过程及滑移边界条件对推力器内流场及推力幅值的影响,结果表明推力器喷喉处流速未达到当地声速,滑移对喷喉处流场速度影响较大,对喷管出口附近滑移的影响较小,滑移对稳态推力幅值影响很小.

摘要： 本文概述了MEMS技术的定义、研究内容、发展趋势及应用，并对发展我国MEMS技术提出了若干建言。rn MEMS技术之所以越来越引起业界的广泛重视与共识，是因为MEMS技术形成的产品具有微型化、高性/价比、能大批量生产且与IC技术兼容等特点而成为一个全新的技术领域。rn 现将MEMS技术的一些基本情况概述如下，并对我国MEMS技术的发展提出看法。

摘要： 公开了电容式MEMS设备、电容式MEMS声换能器、用于形成电容式MEMS设备的方法以及操作电容式MEMS设备的方法。在实施例中，电容式MEMS设备包括：第一电极结构，包括第一导电层；以及第二电极结构，包括第二导电层，其中所述第二导电层至少部分地与第一导电层相对，并且其中第一导电层包括在第二导电层的至少三个部分之间提供电隔离的多分段。

摘要： 一种MEMS声换能器，包括具有从中穿过的空腔，以及包括多个在衬底空腔上方进行延伸的传导穿孔背板部分的传导背板单元。布置在相邻的传导穿孔背板部分之间的背板单元上的电介质间隔体，以及由电介质间隔体所支撑并且在传导穿孔背板部分上进行延伸的一个或多个石墨烯薄膜。

摘要： 提供了一种MEMS器件，MEMS器件包括层堆叠，层堆叠具有形成在第一层与第三层之间的至少一个第二层。在第二层中形成腔。MEMS器件进一步包括在腔内横向间隔开布置的两个横向可偏转元件。两个横向可偏转元件中的每一个包括连接至腔的侧壁的相应端部。另外，MEMS器件包括连接元件，连接元件连接至两个横向可偏转元件，以便耦接两个横向可偏转元件的移动。多个第一指状物在腔的侧壁上、离散地间隔布置在两个横向可偏转元件之间。进一步地，多个第二指状物在连接元件上、离散地间隔布置在两个横向可偏转元件之间。多个第二指状物与多个第一指状物交错。进一步地，在两个可横向偏转元件变形时，多个第二指状物能相对于多个第一指状物横向移位，使得多个第一指状物和多个第二指状物在腔内限定多个体积可变的子腔。多个子腔中的每一个经由相应的开口与MEMS器件的环境流体接触。在多个子腔的相邻子腔的情况下，相邻子腔中的一个子腔的相应开口形成在第一层、第二层和第三层中与相邻子腔中的另一个子腔的开口不同的层中。

摘要： 提供了一种MEMS器件，MEMS器件包括层堆叠，层堆叠具有形成在第一层与第三层之间的至少一个第二层。在第二层中形成至少一个第一腔。MEMS器件还包括可横向偏转元件，可横向偏转元件具有自由端部以及连接到第一腔的侧壁的端部。此外，MEMS器件包括无源元件，无源元件刚性地拴系至可横向偏转元件的自由端部，以跟随可横向偏转元件的移动。可横向偏转元件和无源元件将第一腔分成第一子腔和第二子腔。第一子腔经由至少一个第一开口与MEMS器件的环境流体接触。此外，第二子腔经由至少一个第二开口与MEMS器件的环境流体接触。至少一个第一开口形成在第一层和第三层的、与至少一个第二开口不同的层中。

摘要： 本发明的MEMS致动器具备：可动梳齿电极，通过在其与固定梳齿电极之间产生的静电力来驱动可动部；驱动电路，其在固定梳齿电极与可动梳齿电极之间施加驱动电压，该驱动电压具有周期性地反复上升和下降，并且包含在上升后且下降前成为恒定电压的期间的时间波形；和时刻检测电路，其将因固定梳齿电极与可动梳齿电极之间的电容的变化而在期间内从固定梳齿电极或可动梳齿电极输出的电流信号转换为电压信号，而生成表示电容的微分值的电容微分信号，并检测电容微分信号到达阈值的时刻。驱动电路将在时刻检测电路检测的时刻与驱动电压的下降的时刻的关系控制成恒定。

摘要： 公开了MEMS换能器、MEMS麦克风以及制造MEMS换能器的方法。MEMS换能器具有元件基底、多个悬臂梁和梁连接器。悬臂梁分别具有固定在元件基底上的基底部件和不固定在元件基底上的自由梁部件，并且悬臂梁通过层压压电材料膜和第一、第二电极膜形成。进一步，自由梁部件具有梁尖端，并且其以从基部部件到所述梁尖端宽度逐渐减小的锥形形状形成。所有悬臂梁的梁尖端朝向单个尖端点会聚，梁连接器形成在包括悬臂梁的梁尖端的会聚区域中，使得会聚在会聚区域中的梁尖端中的至少两个连接。

摘要： 本发明涉及MEMS封装、MEMS麦克风及制造MEMS封装的方法。MEMS封装包括：MEMS芯片；MEMS芯片粘附到其上的封装基板；以及粘附到封装基板或MEMS芯片的薄膜过滤器。薄膜过滤器包括：薄膜部分，具有膜表面和布置在膜表面的后侧的后膜表面；以及多个通孔，形成为从膜表面到后膜表面穿透薄膜部分。通孔形成在薄膜部分的粘合剂区域中。粘合剂区域粘附到封装基板或MEMS芯片。

摘要： 本发明涉及一种用于支撑MEMS部件的装置，尤其是压力传感器，其具有由陶瓷形成的基板，在基板上的MEMS部件和形成用于围绕MEMS部件的腔的壁，其中，壁由经机加工的陶瓷腔阵列形成。

摘要： 公开了电容式MEMS设备、电容式MEMS声换能器、用于形成电容式MEMS设备的方法以及操作电容式MEMS设备的方法。在实施例中，电容式MEMS设备包括：第一电极结构，包括第一导电层；以及第二电极结构，包括第二导电层，其中所述第二导电层至少部分地与第一导电层相对，并且其中第一导电层包括在第二导电层的至少三个部分之间提供电隔离的多分段。

摘要： MEMS麦克风包括：基板，其限定空腔，该空腔包括沿竖直方向延伸的第一侧壁；背板，其设置在基板上方并限定多个声孔；膜片，其设置在基板和背板之间，该膜片具有至少一个通气孔；锚固件，其从膜片的圆周开始延伸，将膜片的端部连接到基板的上表面；以及至少一个路径构件，其与通气孔连通，路径构件提供声压向下流向空腔的流动路径。