功函数

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法研究了GaN/g-C_(3)N_(4)异质结的稳定性、电子结构、光学性质及功函数,同时考虑了电场效应.结果表明:GaN/g-C_(3)N_(4)范德瓦耳斯异质结的晶格失配率(0.9%)和晶格失配能极低(-1.230 meV/Å^(2),1Å=0.1 nm),说明该异质结稳定性很好,且该异质结在很大程度上保留了GaN和g-C_(3)N_(4)的基本电子性质,可作为直接带隙半导体材料.同时,GaN/g-C_(3)N_(4)异质结在界面处形成了从GaN指向g-C_(3)N_(4)的内建电场,使得光生电子-空穴对可以有效分离,这有利于提高体系的光催化能力.进一步分析可知,外加电场使GaN/g-C_(3)N_(4)异质结的禁带宽度有着不同程度的减小,使得电子从价带跃迁至导带更加容易,有利于提高体系的光催化活性;此外,当外加电场高于0.3 V/Å以及低于-0.4 V/Å时,异质结的能带排列由Ⅰ型向Ⅱ型过渡,更好地实现光生电子-空穴对的分离,进一步提高了体系的光催化活性.因此,本文提出的构建异质结及施加外电场是提高体系光催化活性的有效手段.

摘要： 利用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的方法,系统地研究了边修饰Net-Y纳米带的电子结构和器件特性的应变调控效应.计算表明:本征纳米带为金属,但边缘的氢或氧原子端接能使其转变为半导体.应变能有效地调控纳米带带隙的大小,适当的应变使能带结构从间接带隙转变为较小的直接带隙,这有利于光的吸收.应变也能改变纳米带的功函数,压缩应变能明显减小功函数,这有利于纳米带实现场发射功能.特别是应变能有效地调控纳米带相关器件的I-V特性,能使其开关比(I_(on)/I_(off))达到10^(6),据此,可设计一个机械开关,通过拉伸及压缩纳米带使其可逆地工作在“开”和“关”态之间.这种高开关比器件也许对于制备柔性可穿戴电子设备具有重要意义.

摘要： 采用含有F、Cl、Br、I的苯肼小分子修饰石墨烯量子点(GQDs),制备了卤素功能化石墨烯量子点(X-GQDs)。通过较高电负性的卤族元素p型掺杂,提高了X-GQDs修饰的电极的功函数。将这种可溶液加工的X-GQDs用于聚合物太阳能电池的阳极界面层,与基于GQDs的器件的能量转换效率(PCE,9.01%)相比,基于X-GQDs的器件的PCE均得到了提高,基于F-GQDs的聚合物太阳能电池器件的PCE最高,达到11.75%。实验结果表明,基于X-GQDs的聚合物太阳能电池性能的提高是X-GQDs的高导电性与修饰后电极的高功函数共同作用的结果。因此,应用X-GQDs提高阳极功函数是一种制备高性能聚合物太阳能电池的方法。

摘要： 二元单晶稀土六硼化物(REB_(6))具有丰富的物理性质,其中单晶LaB_(6)具有优异的电子发射特性,影响二元REB_(6)发射性能的物理机理及其他二元REB_(6)是否具有良好的发射特性,需要进一步研究.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对典型二元单晶REB_(6)(RE=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd)的电子结构、功函数进行了理论分析,并对区熔法制备的高质量单晶REB_(6)的热发射性能进行了测试.电子结构计算结果表明,二元REB_(6)费米能级附近具有很高的态密度,宽域分布的稀土元素的d电子决定了REB_(6)优异发射性能的电子态,局域分布的f轨道对发射性能不利.功函数理论计算表明具有d态价电子的二元REB_(6)(RE=La,Ce,Gd)具有较低功函数.热发射测试结果表明,以上单晶REB_(6)(100)晶面功函数热发射测试值与理论计算值基本相符.最终理论计算结合实验结果表明,LaB_(6)和CeB_(6)具有良好的热发射和场发射性能,GdB_(6)具有良好的场发射性能.

摘要： 基于SCAPS-1D,以CH3NH3SnI3为吸收层,以PCBM和NiO分别为电子传输层和空穴传输层构建反式无铅钙钛矿太阳电池并进行仿真。仿真结果表明,随着金属背电极功函数逐渐增大,电子传输受到阻碍,电池性能下降;增加界面缺陷态密度,使得复合中心和陷阱增多,导致开路电压减小而影响器件性能。NiO和CH3NH3SnI3间的界面缺陷对电池性能影响更为明显;工作温度升高,电池性能不断下降,因此应尽量避免电池工作温度过高;ITO功函数越大,电池内部传输势垒越小,促进空穴运输,使得界面复合减弱,电池输出较佳性能。

摘要： 电子发射材料的性能通常与功函数和表面稳定性有关。本文利用基于密度泛函理论的第一性原理,计算五种四硼化物(RB,R为稀土金属La、Ce、Gd、Tb、Dy)的功函数和表面能。计算表明,RB表面性质取决于晶体表面取向和终结面原子。当终结面为稀土原子时,等化学计量和非化学计量表面的功函数和表面能都会降低。其中功函数降低约1.5 eV,非化学计量比的表面能平均降低0.3 J/m~2。LaB的理论发射性能最好,是一种潜在的新型电子发射材料。

摘要： 论述了动能定理在静力学问题求解中的应用.提出了功函数概念,指出物体系统在功函数驻点位置静止时所受力系一定是平衡力系,而在其他任何非驻点位置静止时所受力系都不是平衡力系.或者动能守恒系统静止时一定受力平衡.静止和动能守恒是确保系统受力平衡的2个充分条件,二者缺一不可.提供了用动能定理求解静力学问题时的4种具体方法:功函数求导法、速度分析法、矢量分析法和坐标解析法,后3种方法与虚位移原理有异曲同工之处.

摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了单层MoS_(2)、单层SnS_(2)和MoS_(2)/SnS_(2)异质结体系的几何结构、电子结构和功函数等性能.结果表明,MoS_(2)/SnS_(2)异质结的带隙明显小于单层MoS_(2)(001)和单层SnS_(2)(001),这有利于降低光子激发能,提高光吸收能力.通过计算MoS_(2)/SnS_(2)异质结的差分电荷密度,发现电荷的重新分布主要发生在MoS_(2)的界面附近,SnS_(2)内部的电荷密度变化很小,这表明构建的异质结可以有效改善复合体系的电荷转移能力,抑制光生电子和空穴的复合,从而提高材料的催化性能.

摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了单层MoS2、单层SnS2和MoS2/SnS2异质结体系的几何结构、电子结构和功函数等性能.结果表明,MoS2/SnS2异质结的带隙明显小于单层MoS2 (001)和单层SnS2(001),这有利于降低光子激发能,提高光吸收能力.通过计算MoS2/SnS2异质结的差分电荷密度,发现电荷的重新分布主要发生在MoS2的界面附近,SnS2内部的电荷密度变化很小,这表明构建的异质结可以有效改善复合体系的电荷转移能力,抑制光生电子和空穴的复合,从而提高材料的催化性能.

摘要： 基于高温裂解光刻胶制备的碳薄膜(PPF)是一种新型的性能优异的碳基电极.为了拓展其在功能器件中的应用,利用电化学重氮还原法在PPF电极表面生长了三氟甲基苯胺重氮盐(CF3-PD)和对氨基苯甲醚重氮盐(OCH3-PD)两种组分的混合膜.通过调节两组分溶液在混合膜中的摩尔浓度比例,实现了对PPF电极功函的可控调节.紫外光电子能谱(UPS)和开尔文探针显微镜(KPFM)对修饰前后PPF电极功函(?)的表征表明,随着混合溶液中CF3-PD组分的摩尔分数从0增至100％,PPF电极的?(4.75 eV)从4.5 eV梯度增至5.14 eV.研究结果实现了可在一定范围内"定制"PPF电极功函,为碳膜电极在分子光电器件中的应用奠定了基础.

摘要： 本文基于经典金半势垒模型构建了石墨烯/硅肖特基太阳能电池的二维工艺仿真模型,实现异质结特性参数(如结深、理想因子、串联电阻等)和器件光伏特性参数(如短路电流、开路电压、填充因子、内外量子效率等)的提取,研究了MS结构下石墨烯功函数对器件性能的影响,重点讨论了石墨烯功函数对器件性能优化的制约因素.

摘要： 本文介绍了北京真空电子技术研究所(BVERI)在长寿命阴极试验的基础上，对于阴极表面功函数随时间变化的关系进行了研究与分析。对短管结构(或称“电子枪+收集极”结构)中阴极功函数的累积数据进行了分析，通过阴极功函数的变化规律，显示BVE租的阴极在宏观电流稳定不变的情况下，不同工作载荷对阴极产生微观的影响，通过功函数表现出不同的变化规律，研究认为合适的老练载荷对阴极寿命有着积极影响。

摘要： 本文利用第一性原理计算的方法研究了锂原子吸附对于完整的和点缺陷的带帽(5，5)单壁碳纳米管功函数和电子结构的影响。锂原子吸附在无缺陷的碳纳米管的顶端后，碳纳米管由半导体性转变为金属性，功函数从4.20 eV降低到了3.34eV，同时碳纳米管的侧壁功函数从4.28 eV降低到了3.40eV。锂原子吸附在缺陷的碳纳米管的顶端后功函数同样降低。功函数变化的原因主要在于锂原子吸附所造成的电荷的重新分布和费米能级的提高。

摘要： 利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了碱金属和氯吸附原子对石墨烯的功函数的影响.计算结果表明,碱金属原子吸附不仅可以显著降低石墨烯的功函数,而且功函数以及费米能级的变化与碱金属原子的电负性呈现线性关系;而氯原子的吸附可以显著提高石墨烯的功函数.由于石墨烯的屏蔽效应的影响,吸附原子对石墨烯的另一侧功函数的影响被削弱.

摘要： 我们研究了超顺排碳纳米管线的场发射性质，并基于这种材料研究了碳纳米管场发射中的凡个基本 问题。首先研究了超顺排碳纳米管线的端部场发射，并采用真空熔断法制备了发射性能良好的碳纳米管 线发射尖端以及碳纳米管单尖发射体;其次，用热发射法测量了碳纳米管线样品的功函数，并进一步采 用低功函数材料对碳纳米管线进行了修饰，同时研究了耐轰击材料对碳纳米管线的修饰;还采用碳纳米管线作为发射体研究了气体吸附脱附对其场发射性质的影响;并探索了此类发射体在像素管等真空电子器件中的应用。

摘要： 场发射阴极由于具有独特的电子特性而广受关注，其在超薄平板显示器以及其他真空微电子器件方 面有着巨大的应用潜力。我们通过在Si衬底上构造40-50nm的GaN纳米结构薄膜实现了场发射性能的显著提高。对于半导体材料，在高电场下表面能带将会发生显著的弯曲，在几纳米的超小尺度下，电子输运界面与电子发射表面的相互作用 将不可忽略。因此通过构建纳米尺度下的精确原子模型，进行基于密度泛函理论第一性原理的场发射计算是十分必要的。在本工作中，我们构建了在金属Al衬底上外延六方纤锌矿GaN或AIN纳米薄膜的原子模型。在模型中首次考虑了衬底及衬底/薄膜界面对薄膜表面场发射性能的影响。研究结果显示通过仅几个纳米薄膜厚度的结构调制，场发射电流可得到2-3个数量级的提高。综合考虑表面与界面效应，发现厚度调制的显著效应来源于表面功函数的变化，几纳米的调制可以使功函数下降0.6ev。另一方面，当总膜厚大于10nm时，表面功函数不再随厚度变化，这也可推知纳米薄膜可能存在最佳场发射的薄膜厚度。进一步地，通过其晶格参数、电子结构分析，发现半导体纳米薄膜场发射性能的显著厚度调制效应来源于表面、界面的电荷转移作用以及金属衬底界面态的形成。

摘要： 利用第一原理计算研究了碱金属吸附对碳纳米管功函数的影响。计算结果表明，碳纳米管吸附碱金属 原子之后功函数显著降低，并与被吸附碱金属原子的电负性成线性关系。功函数的降低主要来自于吸附碱金属以后碳纳米管和碱金属原子之间电荷转移所造成的费米能级的提高和诱导偶极矩所造成的真空能级的变化。

摘要： 阳极界面修饰作为简单易行的工艺和方法,可以有效地改善有机电致发光器件的性能而得到广泛应用.本文综述了有机电致发光器件中阳极界面修饰的基本特征和类型.结合修饰材料制备工艺和特性,介绍了各种ITO阳极界面修饰的原理和应用.

摘要： 阳极界面修饰作为简单易行的工艺和方法,可以有效地改善有机电致发光器件的性能而得到广泛应用.本文综述了有机电致发光器件中阳极界面修饰的基本特征和类型.结合修饰材料制备工艺和特性,介绍了各种ITO阳极界面修饰的原理和应用.

摘要： 阳极界面修饰作为简单易行的工艺和方法,可以有效地改善有机电致发光器件的性能而得到广泛应用.本文综述了有机电致发光器件中阳极界面修饰的基本特征和类型.结合修饰材料制备工艺和特性,介绍了各种ITO阳极界面修饰的原理和应用.

摘要： 本发明提出了一种基于评价函数的多区域互联电力系统有功调度方法，步骤为：根据电力系统分区情况，分别建立各个单区域电力系统有功调度模型，由单区域电力系统有功功率调度模型得到多区域互联电力系统有功功率调度模型；根据各区域电力系统之间互联系数，构建评价函数；根据评价函数将多区域互联电力系统有功功率调度模型转化为单目标约束条件下有功调度问题；设定所有区域电力系统中电机节点有功功率初始值，构建评价函数迭代算法，利用设定的初始值对评价函数迭代算法进行迭代，直到满足迭代终止条件，得到总成本最优值。本发明不仅能快速得到满足约束条件的全局最优解，且可以有效节省电力系统运营成本，为电力系统有功调度提供新的指导方法。

摘要： 本公开涉及使用相同功函数材料的复合功函数层的形成。方法包括在半导体区上形成栅极电介质层，和使用第一含铝前驱物沉积第一含铝功函数层。所述第一含铝功函数层在所述栅极电介质层上方。使用第二含铝前驱物沉积第二含铝功函数层，所述第二含铝前驱物不同于所述第一含铝前驱物。所述第二含铝功函数层沉积在所述第一含铝功函数层上方。在所述第二含铝功函数层上方形成传导区。

摘要： 本公开内容涉及一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包括：调节基板温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和使基板与钨前驱物、钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触以在所述基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。

摘要： 本发明涉及一种双功函数栅极的上栅极结构、制造方法和晶体管。双功函数栅极的上栅极结构包括：与下栅极接触的金属掺杂层和在金属掺杂层内的钨层；所述金属掺杂层为掺杂镧的氮化钛。通过在氮化钛中掺杂镧形成的金属掺杂层实现调节功函数范围，将P型功函数调整至N型功函数范围，方便刻蚀且不需要额外工艺。因为只需要在氮化钛注入镧即可完成，因此不会在工艺上有大变化，并且不更改工艺与物质，只需要透过沉积的镧的厚度就能调整功函数，有利于晶体管的特性设计。由于金属掺杂层的电阻低，从而能够满足电阻系数和功函数。在氮化钛中掺杂镧,使现在使用的氮化钛和钨的栅极能够继续使用,也不需要增加步骤。

摘要： 本发明涉及磁场探测装置技术领域，具体涉及基于功函数变化的磁场探测装置，包括导电金属层、光敏半导体层、透明导电材料层、磁致伸缩颗粒，光敏半导体层置于导电金属层上，透明导电材料层置于光敏半导体层上，光敏半导体层内设有多个磁致伸缩颗粒。应用时，导电金属层和透明导电材料层分别通过电极连接外电路的电压源和电流表，用以测量测量导电金属层和透明导电材料层之间的电流。同时，应用光照射光敏半导体层。本发明通过测量外电路中电流的变化实现磁场探测，本发明具有磁场探测灵敏度高的优点，在磁场探测领域具有良好的应用前景。

摘要： 本发明公开一种功函数金属栅极装置，包含一栅极、一漂移区、一源极、一漏极以及一第一绝缘结构。栅极设置于一基底上，其中栅极包含一中突的阶梯状功函数金属堆叠结构或者一中凹的阶梯状功函数金属堆叠结构。漂移区设置于栅极的一部分下方的基底中。源极位于基底中，以及漏极位于栅极侧边的漂移区中。第一绝缘结构设置于栅极以及漏极之间的漂移区中。

摘要： 本发明提供一种保护功函数金属层的方法，提供衬底和物理气相沉积机台，衬底上形成有功函数金属层；将物理气相沉积机台的偏压电源设置为零，之后利用物理气相沉积机台在功函数金属层上淀积第一保护层；提供偏置电压，偏置电压用于增加物理气相沉积机台形成的溅射原子的能量；偏压电源采用偏置电压，之后利用物理气相沉积机台在第一保护层上形成第二保护层。本发明通过不采用偏置电压在功函数金属层上形成第一保护层，之后采用偏置电压在功函数金属层上形成第二保护层，从而使得功函数金属层得到充分保护，提升了器件阈值电压的性能。

摘要： 本发明公开了一种抑制负电容鳍式晶体管功函数变异影响的方法。本发明通过在源/漏极与栅极之间引入两种不同介质和不同厚度的双层侧墙，形成在靠近金属栅极的一定区域内同时引入high‑k侧墙和low‑k侧墙的结构。本发明通过调节双层侧墙结构中的low‑k与high‑k侧墙的材料种类和厚度，增加有效栅极长度和栅极面积，从而有效的抑制金属栅极功函数的随机分布而导致的器件性能波动的问题，进而提高芯片的成品率和可靠性。

摘要： 本发明提供一种氧化镓深紫外透明电极的制备及其功函数调控的方法，包括如下步骤：(1)将高纯SiO2和Ga2O3粉末或SiO2、Ga2O3和In2O3粉末充分研磨后倒入等静压成型模具，压制成片状靶材；(2)压制好的靶材置于高温马弗炉内，通过固相烧结制备硅掺杂氧化镓或硅掺杂铟镓氧化物的多晶靶材；(3)在氧气条件下，利用脉冲激光沉积法在氧化铝衬底上生长(SixGa1‑x)2O3或(SixInyGa1‑x‑y)2O3薄膜，其中0.0001≤x≤0.05，0.01≤y≤0.2。本发明所制得的薄膜具有良好的导电性和深紫外透明性，满足深紫外透明电极的需求；同时采用氧化铝衬底，价格低廉，与现有的工业设备及技术兼容度高，可实现商业化生产；铟的引入能够增大薄膜材料的功函数，有效增强氧化镓半导体器件的欧姆接触。

摘要： 本发明公开一种功函数可调的WCN薄膜沉积方法，包括以下步骤：先将钨前驱体加热到80‑150°C，前驱体运输管路及ALD腔体预热；通过NH