It(o)公式

摘要： 考虑在环境白噪音扰动下建立一类潜伏期和染病期均具有传染性的随机SEIQR模型.首先利用Lyapunov函数和Ito公式证明随机SEIQR传染病模型存在唯一的全局正解.其次讨论当基本再生数不大于1时,给出相应确定性模型的无病平衡点渐近稳定的充分条件,当白噪声较小时,疾病将灭绝;当基本再生数大于1时,给出相应确定性模型的地方病平衡点渐近稳定的充分条件,反应了在一定条件下,疾病将流行.

摘要： 针对具有庇护效应的C-M型功能反应的随机捕食系统,运用Lyapunov函数方法和Ito公式得到了系统正解的存在唯一性。

摘要： 研究了带跳混合高斯模型下的交换期权定价问题,给出了标的资产在带跳混合高斯模型下交换期权的定价公式.首先,将混合高斯模型下的Ito公式推广到带跳混合高斯模型的情况;其次,利用带跳混合高斯模型下的Ito公式,得到交换期权满足的Black-Scholes偏微分方程;最后,通过求出偏微分方程的解,得到了带跳高斯模型下交换期权的定价公式.

摘要： 随机微分方程解析解显式表达很难获得,数值解及其相关性质的研究成为关注热点。解析解的存在及唯一性是进行数值计算的前提。虽然关于线性随机微分方程及非线性随机微分方程解的存在唯一性及有界性相关研究结论已经很丰富了,但是关于依赖于过去状态变化的G-布朗驱动下的中立型随机延迟微分方程解的研究却尚未发现。文中首先将G-布朗驱动下的中立型随机延迟微分方程等价为积分微分方程,利用矩阵范数的定义及Holder不等式、Gronwall不等式、BDG不等式及Cp不等式的性质给出G-布朗运动驱动下的非线性中立型随机延迟微分方程解析解的有界估计。之后通过定义Picard迭代格式,利用文献[8]中的推论8及Doob鞅不等式、Chebyshev不等式及Borel-Cantelli引理证明了G-布朗运动驱动下的非线性中立型随机延迟微分方程解析解的存在性。

摘要： 本文研究了具有Markov切换的随机COVID-19传染病模型的动力学行为。首先通过构造合适的V函数,并利用Ito公式证明了随机COVID-19传染病模型全局正解的存在唯一性,然后根据定义的阈值参数大小分析出该传染病灭绝的充分条件,最后结合来自印度的马哈拉施特拉邦和德里的真实新冠肺炎数据对所建立的模型进行了数值模拟,证明了理论结果。

摘要： 潜蚤病是贫困地区的一种人畜共患病,其发病过程极易受到随机波动环境因素的影响。因此,建立并讨论了一类以正确卫生习惯为控制策略的随机潜蚤病模型。首先,通过构造恰当的Lyapunov函数并利用ItO公式证明了随机系统全局正解的存在唯一性。其次,在一定的条件下证明了随机系统的正解围绕在确定性系统平衡点附近的振荡行为。最后,通过数值模拟验证了理论结果的正确性。数值结果表明,当随机干扰强度足够大时将会导致疾病灭绝。

摘要： 众所周知,三维随机本原方程组是描述大气和海洋动力学行为的基本方程组,本文将主要研究其初值问题解的整体存在性理论。首先,运用Littlewood-Paley理论和Bony仿积分解技巧,建立了Stokes-Coriolis-Stratification半群新的双线性估计。然后,建立相应随机线性初值问题解的有界性估计,结合叠加原理以及不动点定理,在小初值和小随机外力的假设条件下,证明了三维随机本原方程组在Fourier-Besov空间中温和解的整体存在性和唯一性。本文的主要结果是对经典三维本原方程组初值问题解的整体存在性理论在随机情形下的推广。

摘要： 考虑一类受环境噪声影响,具有饱和发生率和心理作用的随机SIR传染病模型.通过构造Lyapunov函数并利用It(o)公式,得到该模型正解的全局存在唯一性,并证明:当随机基本再生数R*≤1时,无病平衡点是随机渐近稳定的,此时疾病将灭绝;当R*＞1时,疾病将随机持续下去.数值模拟结果验证了理论结果的正确性.

摘要： 研究了一类具有非线性发生率且受环境Markov切换和白噪声扰动的随机SIRS传染病模型.首先通过构造Lyapunov函数讨论了模型正解的存在唯一性及有界性;然后根据阈值参数和It(o)公式分析了疾病的灭绝性与持久性;最后通过数值模拟验证了理论结果.

摘要： 本文主要研究了具有染病者筛查和性别结构的随机AIDS传染病模型,利用ITO公式,讨论了该系统的动力学行为。首先,我们证明了该模型解的极限性质;其次,通过选取合适的对数函数,给出了疾病灭绝的充分条件;进一步,选取恰当的V函数,分析了系统唯一正的遍历平稳分布的存在性;最后,通过数值模拟,验证了本文的理论结果。

摘要： 本发明提供一种ITO膜及用于制造该ITO膜的ITO粉末、ITO粉末的制造方法及ITO膜的制造方法。所述ITO膜具有4.0eV～4.5eV范围的能隙。

摘要： 本发明涉及一种溅射靶，其为包含In、Sn、O和不可避免的杂质的烧结体，其特征在于，含有以原子比计Sn/(In+Sn)为1.8％以上且3.7％以下(其中不包括3.7％)的Sn，烧结体的平均晶粒尺寸为1.0μm～5.0μm的范围，长径为0.1μm～1.0μm的孔隙的面积比率为0.5％以下，形成有氧化铟相和富氧化锡相两相，富氧化锡相的面积率为0.1％～1.0％，并且富氧化锡相的95％以上存在于晶界三重点。本发明可以提供一种溅射靶，其为适合于形成透明导电膜的、即使在低温下也能够得到低电阻的膜的低氧化锡组成的ITO溅射靶，所述溅射靶的粒径小、密度高、强度高、并且可以减少电弧放电或结瘤。

摘要： 本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：S1：衬底清洗；S2：在衬底上采用磁控溅射生长变温缓冲层；S3：在变温缓冲层上采用磁控溅射生长取向生长层；S4：取向生长层到达设定的厚度后，停止生长；变温生长层和取向生长层共同形成ITO薄膜。与现有技术相比，本ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法无需引入异质诱导层，具有工艺简便易控、易于大规模生产的优点，且在获得（004）择优取向ITO薄膜的同时，不会造成化学计量比尤其是氧缺位浓度的变化，ITO薄膜组分均一，ITO透明导电玻璃的透明导电性能优异。

摘要： 本发明提供了一种从ITO靶材磨削废液中回收ITO粉末的方法，属于ITO靶材制造技术领域。本发明将ITO靶材磨削废液进行固液分离，得到含ITO粉末的固体；将所述含ITO粉末的固体进行化学除油，得到ITO粉末和SiC粉末的混合粉末；将所述ITO粉末和SiC粉末的混合粉末在60～80°C的饱和蔗糖水溶液中进行比重分离，再将比重分离后的混合液进行固液分离，得到粗ITO粉末；将所述粗ITO粉末依次进行水洗和干燥，得到ITO粉末。上述方法执行起来十分方便快捷，同时整个过程不需要过于复杂的设备，耗能小，使用的化学药品毒性小，对环境污染小。

摘要： 本发明提供了一种从ITO蒸镀料切割废液中回收ITO粉末的方法，属于ITO蒸镀料制备技术领域。本发明将ITO蒸镀料切割废液进行固液分离，将所得固体依次在柴油和阴离子表面活性剂水溶液中浸泡洗涤后，得到初始粉末；将所述初始粉末进行碱煮，得到混合粉末；将所述混合粉末进行磁选，所述磁选剩余物即为ITO和SiC混合粉末；将所述ITO和SiC混合粉末在60～80°C的饱和蔗糖水溶液中进行比重分离，再将比重分离后的混合液进行固液分离，得到粗ITO粉末；将所述粗ITO粉末依次进行水洗和干燥，得到纯净的ITO粉末。本发明所提供的方法能够回收得到纯净的ITO粉末。

摘要： 本发明提出了一种用于ITO/Ag/ITO复合金属层薄膜的蚀刻液，以重量百分比为100％计算，所述蚀刻液包括磷酸20‑50％、硝酸3‑8％、硫酸1‑3％、醋酸10‑20％、抑制剂0.5‑2％和清洗剂0.1‑1.5％，余量为纯水；所述抑制剂包括无机钾盐和有机膦酸钠盐；所述清洗剂为纤维素交联聚合物，所述纤维素交联聚合物为纤维素与聚羧酸类化合物交联而得。纤维素交联聚羧酸类化合物，含有大量的羧基、羟基以及聚合烯酸，一方面与银离子螯合，使银离子沉淀，可减缓银蚀刻速率，另一方面纤维素交联聚合物与银离子和ITO螯合后，在形成沉淀的同时，还将金属离子从溶液中脱离出来，从而有效去除蚀刻后Ag和ITO残渣。

摘要： 本发明提供一种ITO膜及用于制造该ITO膜的ITO粉末、ITO粉末的制造方法及ITO膜的制造方法。所述ITO膜具有4.0eV～4.5eV范围的能隙。

摘要： 本发明提供一种ITO颗粒，其具有非长方体形状，在颗粒内部晶体取向一致。

摘要： 本发明涉及一种溅射靶，其为包含In、Sn、O和不可避免的杂质的烧结体，其特征在于，含有以原子比计Sn/(In+Sn)为1.8％以上且3.7％以下(其中不包括3.7％)的Sn，烧结体的平均晶粒尺寸为1.0μm～5.0μm的范围，长径为0.1μm～1.0μm的孔隙的面积比率为0.5％以下，形成有氧化铟相和富氧化锡相两相，富氧化锡相的面积率为0.1％～1.0％，并且富氧化锡相的95％以上存在于晶界三重点。本发明可以提供一种溅射靶，其为适合于形成透明导电膜的、即使在低温下也能够得到低电阻的膜的低氧化锡组成的ITO溅射靶，所述溅射靶的粒径小、密度高、强度高、并且可以减少电弧放电或结瘤。

摘要： 本申请涉及一种ITO薄膜粗糙度调试方法和ITO薄膜粗糙度调试系统。所述方法包括：获取待设定粗糙度；基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数；关联模型用于表征ITO薄膜的粗糙度与制备工艺参数的对应关系；将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜，从而将涂覆在基板表面的ITO材料制备成具有待设定粗糙度的ITO薄膜，实现改变ITO薄膜表面粗糙度，有利于提高后续制程中有机材料在ITO薄膜表面的附着性，更加有利于后续制程的制备，最终提高显示面板的信赖性及产品品质良率。