光致荧光

摘要： 采用液体成膜法制备了Al2O3:C光致荧光剂量计(OSLD),开展了剂量学性能的初步研究.退火后本底为0.03mGy,均匀性优于2％,在0.02mGy～10Gy测量范围内具有良好线性响应,线性相关系数R2=0.9996,对β、γ射线响应系数差异约10％,对中子响应系数约为β、γ射线的4％～7％,剂量计多次测量响应信号无明显衰减,照后两个月响应变化为5％,可用于一定周期内剂量存档、复测.上述结果表明,液体成膜方法制备的OSLD具有良好的剂量学性能,证明该方法可行.

摘要： 中国科学技术大学侯建国院士团队的董振超研究小组,在世界上首次实现了亚分子分辨的单分子光致荧光成像,为在原子尺度上展显物质结构、揭示光与物质相互作用本质提供了新的技术手段。该成果于在国际知名学术期刊《自然·光子学》上。

摘要： 利用脉冲激光沉积方法,不同沉积条件下在SiO2/Si、蓝宝石单晶和石英玻璃3种衬底上制备了c轴择优取向的Eu3+掺杂ZnO (Eu∶ ZnO)薄膜.以SiO2/Si为衬底,具体研究了衬底温度、氧压、激光重复频率及沉积时间对Eu∶ZnO薄膜结晶质量和荧光性能的影响.发现沉积条件相同时,在蓝宝石和SiO2/Si衬底上制备的薄膜结晶质量好于石英玻璃衬底上的.利用273 nm波长的氙灯泵浦,室温下所有样品的光致荧光谱中都测得了稀土Eu3+在616 nm附近的特征发光峰,而且在蓝宝石衬底上生长的Eu∶ZnO薄膜的荧光强度最强.

摘要： 为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力.采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度(10～300 K)的变化规律.实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后,非辐射复合平均激活能由(18±3)meV升高到(38±10)meV,对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓,室温下非辐射复合速率下降,体系中与阱宽涨落有关的浅能级复合中心浓度减小,PL峰位由531 nm左右红移至579 nm左右,样品PL效率随温度的衰减受到抑制.使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为生长在Si衬底上的InGaN/GaN多层量子阱LED器件n型层,由于应力释放,降低了多层量子阱与n-GaN界面、InGaN/GaN界面的缺陷密度,使得器件性能得到了改善.

摘要： 采用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先,测量低温下改变激发强度的PL谱,底层量子点和顶层量子点的PL强度比值随激发强度发生变化,表明两层量子点之间的耦合作用和层间载流子的转移随着间隔层厚度变大而变弱.接着测量改变温度的PL谱,量子点荧光光谱峰值位置(Emax)、半峰全宽及积分强度随温度发生变化,表明GaAs间隔层厚度直接影响到量子点内载流子的动力学过程和量子点发光的热淬灭过程.最后,TRPL测量发现60mL比40mL间隔层厚度样品的载流子隧穿时间有明显延长.

摘要： 通过共形生长薄膜的方法在图形衬底上设计和制备一种新型的光学微腔结构,可以同时实现对光子的限制和对量子点溶液的空间限制.应用这种微腔结构,研究CdSe@ZnS胶体量子点溶液在微腔光子限制作用下的光致荧光特性.通过实验研究分析,发现在微腔光子限制作用下,CdSe@ZnS胶体量子点溶液的荧光强度随着浓度的减小反而逐步增强,与常规容器中的量子点溶液随浓度发光强度变化规律相反;对于小尺寸的光学微腔而言,量子点溶液的发光峰位随浓度增大而出现了蓝移,与常规容器中的量子点溶液发光峰位随浓度变化规律有区别.这些差异体现了微腔作用下量子点溶液光致荧光的不同机制.设计的新型光学微腔产生的限制作用,对于量子点的发光机制产生了重要的影响.

摘要： 采用直接沉淀法合成了具有六棱柱形貌的Cu2掺杂ZnO双晶结构材料,研究了Cu2的存在对ZnO双晶的形成及形貌的影响,发现溶液中存在的Cu2物质的量浓度越高,获得的Zn(Cu)O材料粒径越大,形貌从细长棒形逐步变为短粗六方柱体,长径比也从10∶1变到1.2∶1.采用简单的碱腐蚀法获得了管状结构的Cu2掺杂Zn(Cu)O材料,并探讨了管状结构的形成机理.Cu掺杂使得Zn(Cu)O样品的绿光发射由550 nm蓝移至520 nm附近,且强度大幅增加.形成管状结构使绿光发射进一步增强,该发射由Cu2掺杂引起的样品内部的Cu2与Cu+之间的相互转变引起.

摘要： 以L-半胱氨酸为硫源、醋酸镉为镉源,采用水热法合成制备了尺寸在3～5nm的硫化镉纳米晶.对硫化镉纳米晶用高分辨透射电镜(HRTEM)、XRD进行了尺寸及结构表征.在对其荧光性质进行研究时,通过对比相对很弱的瑞利散射峰,发现所得硫化镉纳米晶量子点具有高的摩尔吸光和强的光致荧光发射特性,且荧光发射峰为本征激子发射造成.从荧光激发峰与发射峰的相对大小来看，产品具有接受一个紫外光光子激发，发射若干个蓝光光子的能力，即对应于一个光子发射若干个电子的能力。产品具有提高太阳能电池光电转换效率的潜在应用前景。

摘要： 利用红外激光器、光致荧光材料、光电二极管以及信号处理放大电路等搭建了一套光致荧光辐射剂量测试系统,给出了对辐射剂量进行测量的初步结果.

摘要： 通过理论分析和数值计算，光致荧光敏感片的荧光峰值光强和外量子效率随温度的升高呈指数规律下降；荧光峰值光强的波长随温度的增高向长波方向运动。同时，指出了实现这一敏感片的途径。

摘要： 对利用LP-MOCVD方法生长出的不同Mg掺杂浓度的Mg:GaN样品薄膜的发光特性进行研究.测试手段为光致荧光(PL)和喇曼散射光谱(RS).结果表明:随着Mg掺杂浓度的提高,Mg:GaN材料补偿增大,光致荧光谱红移;材料中的应力先随着掺杂浓度增大而增大,随后因为产生过多的缺陷应力被释放.

摘要： 本文以n-Si(80~100Ωcm)为基底制备多孔硅(PS),利用电泳的方法,将ZnO和CdS纳米粒子与多孔硅进行复合,得到了ZnO-PS-ZnO夹心结构和PS/CdS复合结构,在365nm激发光激发下,所得夹心结构的PS的发光波长在600nm,且发光稳定性好.原生PS的发光波长在633nm,而PS/CdS的复合发光波长在700nm,比原生PS红移了70nm,但发光强度减小.本文对复合结构的光致发光机制进行了初步分析.

摘要： 随着可擦笔的应用日渐广泛,利用这一新型书写工具进行的违法活动也在逐步增加,但有关的检验方法的研究尚不多见.本文研究潜在的可擦笔笔迹的光学显现方法.针对目前市场上常见的十几种可擦中性笔和可擦圆珠笔进行了光学特性和显现方法的实验研究.结果表明,运用紫外线激发纸张荧光的方法和利用蓝、绿光激发笔墨材料荧光的方法可以有效地显现大多数的潜在可擦笔笔迹.这种方法无损、快捷、效果好,应当作为处理此类检验问题的首选方法.

摘要： 随着可擦笔的应用日渐广泛,利用这一新型书写工具进行的违法活动也在逐步增加,但有关的检验方法的研究尚不多见.本文研究潜在的可擦笔笔迹的光学显现方法.针对目前市场上常见的十几种可擦中性笔和可擦圆珠笔进行了光学特性和显现方法的实验研究.结果表明,运用紫外线激发纸张荧光的方法和利用蓝、绿光激发笔墨材料荧光的方法可以有效地显现大多数的潜在可擦笔笔迹.这种方法无损、快捷、效果好,应当作为处理此类检验问题的首选方法.

摘要： 随着可擦笔的应用日渐广泛,利用这一新型书写工具进行的违法活动也在逐步增加,但有关的检验方法的研究尚不多见.本文研究潜在的可擦笔笔迹的光学显现方法.针对目前市场上常见的十几种可擦中性笔和可擦圆珠笔进行了光学特性和显现方法的实验研究.结果表明,运用紫外线激发纸张荧光的方法和利用蓝、绿光激发笔墨材料荧光的方法可以有效地显现大多数的潜在可擦笔笔迹.这种方法无损、快捷、效果好,应当作为处理此类检验问题的首选方法.

摘要： 随着可擦笔的应用日渐广泛,利用这一新型书写工具进行的违法活动也在逐步增加,但有关的检验方法的研究尚不多见.本文研究潜在的可擦笔笔迹的光学显现方法.针对目前市场上常见的十几种可擦中性笔和可擦圆珠笔进行了光学特性和显现方法的实验研究.结果表明,运用紫外线激发纸张荧光的方法和利用蓝、绿光激发笔墨材料荧光的方法可以有效地显现大多数的潜在可擦笔笔迹.这种方法无损、快捷、效果好,应当作为处理此类检验问题的首选方法.

摘要： 本发明涉及光致生酸剂、包含所述光致生酸剂的光致抗蚀剂以及包含所述光致抗蚀剂的经涂覆的制品。本发明涉及一种具有式I结构的化合物，式中，各R1独立地是H或任选地与相邻R1相连的取代或未取代的C1‑30脂族基团；各R2和R3独立地是H、F、C1‑10烷基、C1‑10氟代烷基、C3‑10环烷基或C3‑10氟代环烷基，其中至少一个R2和/或R3包含F；L1、L2和L3各自独立地是单键或者任选地包含内酯基团的C1‑20连接基团，其中L1、L2和L3中的一个或多个任选地形成环结构；各a独立地是0‑12的整数；b是0‑5的整数；各c、d和r独立地是0或1；p是0‑10的整数；q是1‑10的整数。光致抗蚀剂包括光致生酸剂，经涂覆的制品包括光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂可用于形成器件。

摘要： 本发明涉及光致生酸剂、包含所述光致生酸剂的光致抗蚀剂以及包含所述光致抗蚀剂的经涂覆的制品。本发明涉及一种具有式I结构的化合物，式中，各R1独立地是H或任选地与相邻R1相连的取代或未取代的C1‑30脂族基团；各R2和R3独立地是H、F、C1‑10烷基、C1‑10氟代烷基、C3‑10环烷基或C3‑10氟代环烷基，其中至少一个R2和/或R3包含F；L1、L2和L3各自独立地是单键或者任选地包含内酯基团的C1‑20连接基团，其中L1、L2和L3中的一个或多个任选地形成环结构；各a独立地是0‑12的整数；b是0‑5的整数；各c、d和r独立地是0或1；p是0‑10的整数；q是1‑10的整数。光致抗蚀剂包括光致生酸剂，经涂覆的制品包括光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂可用于形成器件。

摘要： 本发明提供一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，含有(a)在酸的作用下碱溶解性发生变化的树脂、(b)通过放射线照射产生酸的化合物和(c)防锈剂。由此，本发明可提供在放射线照射前碱溶解性不会发生变化的稳定的化学放大型光致抗蚀剂组合物、以及在支撑体上层叠了该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层层叠体、使用了该层叠体的光致抗蚀图案制造方法以及连接端子制造方法。

摘要： 本发明涉及光致生酸剂、包含所述光致生酸剂的光致抗蚀剂以及包含所述光致抗蚀剂的经涂覆的制品。本发明涉及一种具有式I结构的化合物，式中，各R1独立地是H或任选地与相邻R1相连的取代或未取代的C130脂族基团；各R2和R3独立地是H、F、C110烷基、C110氟代烷基、C310环烷基或C310氟代环烷基，其中至少一个R2和/或R3包含F；L1、L2和L3各自独立地是单键或者任选地包含内酯基团的C120连接基团，其中L1、L2和L3中的一个或多个任选地形成环结构；各a独立地是012的整数；b是05的整数；各c、d和r独立地是0或1；p是010的整数；q是110的整数。光致抗蚀剂包括光致生酸剂，经涂覆的制品包括光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂可用于形成器件。

摘要： 本发明涉及光致生酸剂、包含所述光致生酸剂的光致抗蚀剂以及包含所述光致抗蚀剂的经涂覆的制品。本发明涉及一种具有式I结构的化合物，式中，各R1独立地是H或任选地与相邻R1相连的取代或未取代的C1-30脂族基团；各R2和R3独立地是H、F、C1-10烷基、C1-10氟代烷基、C3-10环烷基或C3-10氟代环烷基，其中至少一个R2和/或R3包含F；L1、L2和L3各自独立地是单键或者任选地包含内酯基团的C1-20连接基团，其中L1、L2和L3中的一个或多个任选地形成环结构；各a独立地是0-12的整数；b是0-5的整数；各c、d和r独立地是0或1；p是0-10的整数；q是1-10的整数。光致抗蚀剂包括光致生酸剂，经涂覆的制品包括光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂可用于形成器件。

摘要： 本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法，以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置，其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置，可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光致抗蚀剂涂布液供给装置具有用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器；循环过滤装置，用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液，将其过滤并返回至缓冲容器；和用于将涂布液从缓冲容器或循环装置供给至涂布装置的管。还提供使用所述光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法，以及将涂布液供给装置与狭缝涂布装置组合使用的光致抗蚀剂涂布装置。

摘要： 本发明提供一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，含有(a)在酸的作用下碱溶解性发生变化的树脂、(b)通过放射线照射产生酸的化合物和(c)防锈剂。由此，本发明可提供在放射线照射前碱溶解性不会发生变化的稳定的化学放大型光致抗蚀剂组合物、以及在支撑体上层叠了该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层层叠体、使用了该层叠体的光致抗蚀图案制造方法以及连接端子制造方法。

摘要： 本发明公开了一种具有光致固体荧光变化的化合物，结构通式为(1)，其制备方法为：以(4‑(1‑苯基‑1H‑苯并[d]咪唑‑2‑基)苯基)硼酸和4‑溴苯乙腈为初始原料，通过两步反应得到式(1)的化合物；该化合物以氰基二苯乙烯为核，通过在共轭体系一侧连接苯并咪唑，另一侧连接柔性烷氧基团，使该化合物在固态情况下光照后可以变色。

摘要： 本发明实施例公开了一种光致荧光或散射光测量装置，由光学积分球、样品室和测量光路构成；光学积分球包括球形腔体以及球体腔室，球形腔体由基底层和漫反射层构成；样品室由样品区、进样口和出样口构成；进样口和出样口分别位于样品区的两侧；样品区贯穿整个球形腔体，样品区的主体部分位于球体腔室内；样品区采用透光且不透气材料制成；测量光路包括激发光入射口、激发光出射口和通光口，激发光入射口和激发光出射口分别设于样品区的两端，通光口开设于球形腔体上。本发明实施例通过采用光学积分球有效的接收激发光与待分析物质反应所产生的特征荧光或散射光光谱并积分，以及通过通光口形成测量通道，大大提高了测量灵敏度，降低了仪器检出限。

摘要： 本实用新型实施例公开了一种光致荧光或散射光测量装置，由光学积分球、样品室和测量光路构成；光学积分球包括球形腔体以及球体腔室，球形腔体由基底层和漫反射层构成；样品室由样品区、进样口和出样口构成；进样口和出样口分别位于样品区的两侧；样品区贯穿整个球形腔体；样品区采用透光且不透气材料制成；测量光路包括激发光入射口、激发光出射口和通光口，激发光入射口和激发光出射口分别设于样品区的两端，通光口设于球形腔体上。本实用新型实施例通过采用光学积分球有效的接收激发光与待分析物质反应所产生的特征荧光或散射光光谱并积分，以及通过通光口形成测量通道，大大提高了测量灵敏度，降低了仪器检出限。