光致抗蚀剂

摘要： 本文合成了一种以硫杂蒽酮为基核的光产酸剂,该光产酸剂对UVA段紫外光敏感,光解可以产生超强酸,且在365、385、395 nm LED光源下具有良好的光产酸效率,光产酸量子产率Φa为0.10～0.11.

摘要： 1光掩模玻璃基板的定义及种类1.1光学掩模板的定义及分类1.1.1光学掩模板的定义光学掩模板,又称光掩模板、掩模板、掩膜版、光掩膜、光刻掩膜版、光罩等,在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位,以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构,是微电子制造中光刻工艺所使用的图形母版。光掩模板应用十分广泛,在涉及光刻工艺的领域都需要使用光掩模板,主要用于集成电路(IC)、平板显示器(FPD)、印刷电路板(PCB)、微机电系统(MEMS)等领域。

摘要： 感光干膜是印制电路板行业的重要原料,其主体部分是光致抗蚀剂,属高端化学品.2017年,世界感光干膜市值约15.4亿美元,预计2022年将达22.75亿美元.介绍了国内外感光干膜的生产现状.

摘要： 聚对羟基苯乙烯和环己基乙烯基醚反应得到缩醛保护的聚合物.该聚合物易溶于常见的有机溶剂, 具有较好的热稳定性, 在248 nm处透明性良好.该聚合物可与聚对羟基苯乙烯-甲基丙烯酸金刚烷基酯及二砜光产酸剂等组成一种三组分正性化学增幅型深紫外光致抗蚀剂, 初步研究了该抗蚀剂的感光成像性能.采用KrF激光(248 nm)曝光, 在较低的后烘温度下, 显影得到分辨率为180 nm的线条图形.显影后的留膜率在99%以上.在光致抗蚀剂体系中引入对羟基苯乙烯-金刚烷基甲基丙烯酸酯共聚物, 可提高光刻胶材料的玻璃化转变温度, 有利于其实际应用.%With the reaction of poly(4-hydroxystyrene)(PHS) and cyclohexyl vinyl ether(CVE), a partly protected product with acetal groups was prepared.The product PHS-CVE shows good solubilities in common photoresist solvents, high thermal stability and good transparency at 248 nm wavelength.A new kind of positive chemically amplified 248-nm photoresist can be formed by this polymer, disulfone PAG and copolymer of 4-hydroxy styrene and 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate.Lithographic performance was investigated via KrF laser exposure tool.A clear positive-tone pattern with 180 nm line width was obtained under low post exposure bake(PEB) temperature.Poly(4-hydroxy styrene-co-3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate) incorporated to the resist can increase the glass transition temperature of the photoresist film, which makes the resist material applicable for 248-nm lithography process.

摘要： 文章介绍了激光直接成像(LDI)光致抗蚀剂的现状以及不同类型光致抗蚀剂在PCB加工制造中的异同点.

摘要： 目前世界辐射（紫外线／电子束流）固化国际市场主要有三大地域性市场：亚洲约占市场总量的36％，北美约占27％，欧洲约占27％，其他领域约占10％。在亚洲地区中我国所占市场份额最大，，其次是日本。辐射固化材料包括两大类：一是辐射固化配方产品如涂料、胶粘剂、光致抗蚀剂、油墨等；二是辐射固化特种原材料如单体、低聚物、颜料和助剂等各种添加剂、光引发剂等。目前辐射固化已在全世界和我国逐步确定其独立的产业地位，形成了一个“产业链”。预测2017年我国及世界辐射固化材料市场都将继续保持平稳增长的态势，市场及开发前景都向好。

摘要： 以甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸苄基酯(BZMA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)和丙烯酸正丁酯(BA)为共聚单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,2-(十二烷基三硫代碳酸酯基)-2-甲基丙酸(DMP)为链转移试剂,采用可逆加成-断裂链转移聚合(RAFT)制备了甲基丙烯酸酯共聚物(PMBBH).利用傅立叶红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1HNMR)和凝胶渗透色谱(GPC)对共聚物的结构进行了表征.以共聚物PMBBH为基体树脂制备了负性光致抗蚀剂,考察了PMBBH的分子量对光致抗蚀剂分辨率的影响.结果表明,以数均分子量为5.45×103g/mol,重均分子量为7.79×103 g/mol的PMBBH-2作为基体树脂时,该光致抗蚀剂得到的图像轮廓清晰,图形分辨率可达50μm.

摘要： 电子产品要求电路板更小和线条／间距更细足趋势，同时要基板更薄和更多层数，还要保持所需阻抗值。目前生产100μm的线条／间距已很容易，生产75μm的也属标准，小于65μm的已存在。工艺改进在成像方面广泛使用LDI和更新、更薄干膜光致抗蚀剂，以及薄与均匀的铜箔，化学蚀刻能力，机械操作精确的控制和定位等。我们在PCB工业要前进，就要跟上这一趋势。

摘要： 威斯康星大学麦迪逊分校的工程师们开发了一种简易、便宜地在挠性塑料上成卷制造高性能晶体管的方法。此方法是在聚酯膜上覆有单晶硅和掺杂剂合成材料，用纳米压印工艺形成晶体管电路图形。可重复使用的纳米压印模具是用一种称为电子束光刻技术，在光致抗蚀剂形成一个纳米级图案，线路细致10纳米宽度。

摘要： 聚对羟基苯乙烯和环己基乙烯基醚反应得到缩醛保护的产物.该聚合物易溶于常见的有机溶剂,具有较好的热稳定性,在248nm处透明性良好.该聚合物可与光产酸剂、聚(对羟基苯乙烯-甲基丙烯酸酯)组成一种三组分正性化学增幅型深紫外光致抗蚀剂,在光致抗蚀剂体系中引入聚(对羟基苯乙烯-甲基丙烯酸酯)可进一步提高光刻胶材料的玻璃化转变温度.初步研究了该抗蚀剂的感光成像性能.采用KrF激光(248nm)曝光,在低的后烘温度下,显影得到分辨率为180nm的线条图形。

摘要： 以对苯乙烯磺酸钠、乙酰氧基苯乙烯和甲基丙烯酸酯为单体通过自由基聚合反应得到多元共聚物,进一步与鎓盐卤化物交换反应得到含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物,再与二碳酸二叔丁酯(t-BOC)进行反应,可获得既含光产酸基团又含酸敏基团的聚合物.它在248nm处的光透明性较好,可用于深紫外光刻胶.采用KrF激光步进曝光设备对这些含光产酸基团的聚合物组成的单组份或二组份化学增幅型光致抗蚀剂的成像表现进行了评价,在50-60mJ·cm-2曝光量下,获得了线宽分辨率为0.175μm的高质量正性光刻图形.

摘要： 以苯乙烯(St)、马来酸酐(MA)为共聚单体通过巯基链转移聚合法合成了具有不同支化单体含量的支化聚合物(BPSMA),通过傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1H NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)、热重分析仪(TGA)和差示扫描量热(DSC)等表征了BPSMA的结构与性能.结果表明,随着VBT含量的增加,聚合物分子量降低,玻璃化转变温度(Tg)降低;再以季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)进行接枝,引入双键,合成具有光敏性的线型共聚物(p-LPSMA)以及支化型共聚物(p-BPSMAs),实时红外表明随着支化单体含量的增加,双键转化率也随之提高.然后分别以p-LPSMA及p-BPSMA为基体树脂制备了光致抗蚀剂,显影后可以得到分辨率为50μrm的分辨率图像.

摘要： 本研究以α-溴代苯乙酮、四氢噻吩、三氟甲磺酸及九氟丁基磺酸钾等为原料,制备了两种硫鎓盐化合物.由于这类产物在应用中对金属离子含量的要求极高,实验中反复进行了纯化.并且使用石英、聚四氟乙烯器皿以减少金属离子的引入.目前已将产物的金属离子含量控制在了ppm水平.这类硫鎓盐可作为光产酸剂应用于化学增幅型248-nm光致抗蚀剂材料.

摘要： 丙烯海松酸与二乙烯基醚发生加聚反应得到一种新颖的酯缩醛聚合物,其在常用溶剂中具有好的溶解性,数均分了量在3000-6000,分布系数在1.2-2.9,玻璃转化温发在25-90°C之间,热分解温度在200°C以上.该酯缩醛聚合物在室温下具有高的酸解活性,利用该特点,将其与光产酸剂等一起可以组成化学增幅型感光成像材料.该聚合物在230hm以上具有很好的透明性,适用于深紫外、i-线等光刻的抗蚀剂材料.此酯缩醛聚合物和起光产酸剂作用的2,l,4-重氮萘醌磺酸酯可以组成组分化学增幅型i-线光致抗蚀剂,感光成像试验获得了高的感度和分辨率.

摘要： 光致抗蚀剂是制造微电子器件和印刷线路板的一种关键化学品.本文主要介绍光致抗蚀剂的研究发展情况.针对目前我国集成电路多代同堂长期共存的局面，从目前及今后IC、分立器件及液晶显示器件的发展趋势来看，无论是紫外胶还是248nm,193nm EUV光致抗蚀剂及离子束、电子束胶，由于它们之间用途不尽相同，且不可互替，所以应继续跟踪国际光致抗蚀剂的发展，进行更深入研究，开发出更高水平光致抗蚀剂，以满足未来市场需求。

摘要： 光致抗蚀剂是一类光敏高分子聚合物,受到光能照射时,分子内部发生聚合或分解反应,生成对某些溶剂可溶或不可溶的物质,微细加工中可利用这种特性来得到所需要的几何图形.抗蚀剂是进行微细图形加工,制造微电子器件和印刷线路板的一种关键化学品.本文主要介绍光致抗蚀剂的研究发展情况.

摘要： 本文对含碘鎓盐光产酸剂和染料增感剂的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂进行了研究。4,4 ，-二甲苯基三氟甲磺酸碘鎓盐可以被染料增感，在365nm光照时分解产酸。尽管产生的酸与染料的胺基发生作用，依然能在后烘过程中催化缩醛聚合物酸敏基团的分解，但需要稍高的后烘温度和稍长的后烘时间。基于此，将酚醛树脂、缩醛聚合物、碘鎓盐产酸剂和敏化剂组成了一种新型的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂材料，在曝光量为100mJ/cm2时可得到分辨率为0.8μm的清晰图形。

摘要： 本文利用t-BOC保护的对羟基苯乙烯与马来酸酐衍生物的交替共聚物作为成膜树脂.该聚合物在248nm处有较好的透明性,在常用有机溶剂中具有良好的溶解性.由于结构中含有BOC基团使得该聚合物具有好的酸解活性,加入光产酸剂可组成一种新型深紫外两组分化学增幅型光致抗蚀剂.曝光过程产生磺酸,通过120°C后烘使BOC保护基团发生酸致分解,从而使得曝光区与未曝光区溶解度产生大的差异,可用稀碱水显影得到正性图像.

摘要： 分子玻璃光致抗蚀剂材料因其具有单分散性、无定形性、可获得高分辨率图形及低线边缘粗糙度等优点，已受到了较大的关注。本文设计并合成了一种新颖的正型化学增幅型i-线分子玻璃抗蚀剂材料，这种分子玻璃化合物易溶于常用的有机溶剂，同时具有良好的成膜性，其组成的i-线光致抗蚀剂的曝光成像试验获得了较高的感度和分辨率。

摘要： 本发明提供一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，含有(a)在酸的作用下碱溶解性发生变化的树脂、(b)通过放射线照射产生酸的化合物和(c)防锈剂。由此，本发明可提供在放射线照射前碱溶解性不会发生变化的稳定的化学放大型光致抗蚀剂组合物、以及在支撑体上层叠了该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层层叠体、使用了该层叠体的光致抗蚀图案制造方法以及连接端子制造方法。

摘要： 本发明涉及正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和用于制造图案的方法，所述正性光致抗蚀剂组合物包含含有特定结构的重复单元的丙烯酸类树脂、和光敏酸产生化合物。

摘要： 本发明涉及化学增幅型光致抗蚀剂组合物、由所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物产生的光致抗蚀剂图案、以及用于制备化学增幅型光致抗蚀剂图案的方法，所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物包含碱溶性树脂和具有预定结构的聚合物光致产酸剂。

摘要： 本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法，以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置，其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置，可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光致抗蚀剂涂布液供给装置具有用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器；循环过滤装置，用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液，将其过滤并返回至缓冲容器；和用于将涂布液从缓冲容器或循环装置供给至涂布装置的管。还提供使用所述光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法，以及将涂布液供给装置与狭缝涂布装置组合使用的光致抗蚀剂涂布装置。

摘要： 本发明提供一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，含有(a)在酸的作用下碱溶解性发生变化的树脂、(b)通过放射线照射产生酸的化合物和(c)防锈剂。由此，本发明可提供在放射线照射前碱溶解性不会发生变化的稳定的化学放大型光致抗蚀剂组合物、以及在支撑体上层叠了该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层层叠体、使用了该层叠体的光致抗蚀图案制造方法以及连接端子制造方法。

摘要： 本发明提供一种在抗蚀剂溶剂中的难溶解成分减少，由此发挥高抗蚀性能的树脂及其制造方法。一种光致抗蚀剂用树脂，其包含丙烯酸系树脂，所述光致抗蚀剂用树脂在以树脂固体成分浓度为5重量％的方式溶解于丙二醇单甲醚乙酸酯时，使用平成15年度厚生劳动省告示第261号日本水道协会“上水试验法”所记载的方法测定的聚苯乙烯换算浊度为30以下。

摘要： 本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物，其包含聚合物、光致产酸剂、包含单元EO和单元PO的(C)化合物以及溶剂。并且本发明涉及一种用于制造光致抗蚀剂涂层、经蚀刻的光致抗蚀剂涂层以及经蚀刻的含硅层的方法。并且，本发明涉及一种用于制造器件的方法。

摘要： 本公开内容涉及化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。

摘要： 本说明书提供了化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。

摘要： 本发明提供相对于溶剂的溶解性高的光致抗蚀剂用树脂及其制造方法。并提供含有上述光致抗蚀剂用树脂的光致抗蚀剂用树脂组合物、及使用了该光致抗蚀剂用树脂组合物的图案形成方法。上述光致抗蚀剂用树脂在树脂末端不包含氰基，并且分子量分布(Mw/Mn)为1.4以下。