光电导
光电导的相关文献在1956年到2023年内共计484篇,主要集中在物理学、无线电电子学、电信技术、化学
等领域,其中期刊论文129篇、会议论文9篇、专利文献65270篇;相关期刊85种,包括材料导报、功能材料、太阳能等;
相关会议9种,包括第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议、2005年全国高分子学术论文报告会、2003年中国太阳能学会学术年会等;光电导的相关文献由1123位作者贡献,包括施卫、侯磊、朱龙源等。
光电导—发文量
专利文献>
论文:65270篇
占比:99.79%
总计:65408篇
光电导
-研究学者
- 施卫
- 侯磊
- 朱龙源
- 肖勇
- 金珉镐
- 侯洵
- 刘诗嘉
- 张景文
- 李向阳
- 毕臻
- 姜新斌
- 庞文元
- 沈载昊
- 王桂花
- 祝炳臣
- 苗学鹏
- 陈长江
- 韦强启
- N·-X·胡
- 兰添翼
- 刘胜明
- 华飞
- 支婷婷
- 李宇波
- 杨杭生
- 杨汇鑫
- 汪小知
- 汪茫
- 王妮丽
- 苏辉
- 董陈岗
- 赵水平
- 边旭明
- 陈景源
- 刘云燕
- 孔光临
- 孙家林
- 常少辉
- 徐征
- 徐玉兰
- 施尔畏
- 朴完雨
- 杨晓东
- 林中晞
- 林琦
- 王馨梅
- 褚君浩
- 黄维
- K·瑙卡
- S·加纳帕蒂亚潘
-
-
-
阎蒋伟;
张晓东;
周炜;
马万里;
胡涛;
姚娘娟;
江林;
黄志明
-
-
摘要:
基于石墨纳米材料,成功制备金属-石墨-金属结构电磁诱导势阱效应室温太赫兹探测器,实现了高性能的室温太赫兹探测。器件在0.035 THz的响应率达到20 kV/W,在0.1673 THz的响应率达到11 kV/W,器件在0.035 THz的噪声等效功率达到1.25pW/√Hz,在0.1673 THz的噪声等效功率达到2.27pW/√Hz。我们的研究结果为石墨烯太赫兹探测器提供新的思路。
-
-
赵阳;
魏琛;
沈悦;
韩天;
张之然;
谢梦飞
-
-
摘要:
随着国家重视程度的不断提高,碳排放现已作为一项指标进入交易市场。本文提出一种基于非分光红外(NDIR)技术,以GaSb发光二极管作为光源、光电导InAs光电二极管作为敏感元件实现CO_(2)浓度检测方案。通过单光源双检测的测量方案,实现对温度、压强等外界干扰因素的抑制,并使用硬件搭建带通滤波电路和软件离散傅里叶变换(DFT)算法实现双重滤波,最后根据CO_(2)浓度计算模型得到浓度结果。
-
-
张天永;
张亚琴;
韩明明;
刘流;
王世荣;
李祥高
-
-
摘要:
针对Y-酞菁氧钛(Y-TiOPc)在780 nm有高的激光光谱响应,具有极低的暗电导率,良好的化学、光化学及热稳定性而被广泛应用于高性能数码复印和激光打印机的光电导器件中,但存在溶剂诱导和机械力作用下晶型稳定性差、在有机光导(OPC)器件涂布液的分散介质中易聚集沉淀,导致分散液稳定性差而使用寿命短、OPC器件光电导性能劣化、复印和打印质量降低等严重问题,在晶型调节制备Y-TiOPc纳米粒子的过程中,采用非离子表面活性剂聚乙二醇(PEG)和司班85(Span85)对其表面进行修饰.构建有效抑制溶剂诱导和机械力作用的分子保护层,系统研究了修饰条件和修饰效果.结果表明:PEG和Span85修饰后的纳米Y-TiOPc粒度减小,在丁酮、四氢呋喃介质中机械球磨4 h以及在丁酮、四氢呋喃介质中作用30天的晶型稳定性显著改善,OPC器件涂布液静置60天的光透射率变化明显变小,分散稳定性显著改善,制备的Y-TiOPc的晶型转化率提高.用2.0%(质量分数)PEG修饰得到粒径为55.8 nm的Y-TiOPc,作为载流子产生材料制备的激光有机光电导器件显示了优异的光电导性能,V0=-796 V、Vr=-27 V、Rd=11 V/s、E1/2=0.125μJ/cm2.用2.0%(质量分数)PEG修饰的Y-TiOPc载流子产生层薄膜的粗糙度明显降低,改善了膜的平整性.研究结果为工业化制备高性能纳米Y-TiOPc提供了一个简便可行的方法.
-
-
廖梅勇
-
-
摘要:
超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga_(2)O_(3)薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga_(2)O_(3)在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实际应用提供了思路.
-
-
-
-
-
-
廖荣;
刘慧君;
柯嘉聪;
李涌春;
廖鸿韬;
罗志勇
-
-
摘要:
利用镀膜技术和硅平面工艺在经过于氧氧化的硅衬底上制备一层钛铌酸锶(SrNbxTi1-xO3)薄膜,然后制备成平面型薄膜光敏传感器.对钛铌酸锶薄膜的吸收光谱进行测定,得到其禁带宽度为2.70 eV,对可见光有良好的敏感性.样品在稳定光照下,光电流随照度的增大而增大;温度对光敏特性影响很大,本传感器适用于稳定光照和室温下使用.
-
-
-
-
-
邬小鹏;
孙利杰;
钟泽;
徐小秋;
林碧霞;
傅竹西
- 《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2008年
-
摘要:
目前对ZnO的紫外探测器研究比较多,尤其是目盲区探测(4.4-5.6eV),而MgxZn1-xO六方相的合金薄膜具有在3.3eV-5.0eV可调节,所以有必要制备和研究日盲区段的MgxZn1-xO薄膜。采用射频磁拧溅射用x=0.00-0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在硅(100)和石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、透射谱和光电导谱对样品进行表征。结果表明用MgxZn1-xO薄膜在x≤325时具有单一(002)取向的六方结构,其禁带宽度Eg随x增加而增加,在薄膜表面在入射光能量大于禁带宽度时有光电响应,并且在x=0.325时得到了禁带宽度在4.9eV的MgxZn1-xO薄膜。在x>0.325时出现立方相结构,禁带宽度有所减少,说明此时已为混相薄膜。
-
-
-
-
-
-