光电子技术

摘要： 光电探测技术是现代信息获取的主要手段之一,光电探测技术的发展是随着其他关键技术的发展而发展的,由于激光技术、光波导技术、光电子技术、光纤技术、计算机技术的发展,以及新材料、新器件、新工艺的不断涌现,光电探测技术取得了巨大发展。近年来,光电探测技术引起了业内人士的普遍关注,在军事和民用领域占有越来越重要的地位。

摘要： 《光电技术应用》期刊是中国电子科技集团公司主管,中国电子科技集团公司光电研究院主办的公开发行的正式科技期刊,双月刊。《光电技术应用》期刊以光电系统技术为主要专业特色,传播光电子技术、光电系统应用技术专业领域的先进科技信息,报道新型科技成果,推动工程技术交流,促进行业科技进步与发展。

摘要： 光电子技术具有应用性强、教学难度大等特点。在工程认证背景下,引入工程驱动教学法,将光电器件原理学习和器件开发相结合,基于Rsoft软件开展工程训练。以光开关设计为例,重点介绍基于有效差分光束传播法的光电器件设计和仿真过程,包括材料光电性能分析、波导设计、器件结构设计和任务评价等内容。在掌握基本理论知识的基础上,通过工程训练,学生可以自行开发设计光电器件,切实提高工程实践能力,为实现光电专业的工程认证奠定基础。

摘要： 《光电技术应用》期刊是中国电子科技集团公司主管,中国电子科技集团公司光电研究院主办的公开发行的正式科技期刊,双月刊。《光电技术应用》期刊以光电系统技术为主要专业特色,传播光电子技术、光电系统应用技术专业领域的先进科技信息,报道新型科技成果,推动工程技术交流,促进行业科技进步与发展。

摘要： 迎光而生,不忘初心中国光谷,因光而生,“一束光”照亮了“一座城”。2010年7月,九个怀揣创业梦想的青年,在武汉南湖之滨的光谷软件园开启了事业的征程。武汉长盈通光电技术股份有限公司是一家以光电子技术为核心的高新技术企业,主要从事特种光纤光缆、特种光器件、新型材料、高端装备和光电系统等五大领域产品的研发、生产和销售,并为客户提供光电子一级计量站计量校准和测试服务。

摘要： 生物传感器是一种通过使用生化受体和转导元件接触中进行特定分析检测的一种独立的集成装置,可以迅速且准确地检测并测定和疾病相关的蛋白质生物对于早期筛查肿瘤和早期病情诊断也有着非同寻常的重要意义。近几十年来,不断拓宽的生物电子学研究领域,已经拥有广阔的应用前景,但CMOS制造工艺中Si_(3)N_(4)和SiON等波导材料由于折射率差很小,对光场的限制能力不强,存在很大的耦合损耗。在弯曲波导处也存在辐射损耗,为了降低损耗,可以增加波导的弯曲半径,但是并不利于传感器器件所说的小尺寸、集成度高的制造和设计,并可能严重阻碍对于集成光电子技术的后续发展。一些主流的集成电路应用和工艺技术相比还有着一些差距。

摘要： 依托国家级特色专业物理学、优势学科光学博士点及光学、光学工程硕士点,瞄准信息时代和光电产业对激光和光电子技术的变革性要求,近年来陕西师范大学物理学与信息技术学院的光学、光学工程学科取得了跨越式发展,并于2021年被认定为西安市光信息调控与增强技术重点实验室。

摘要： 微纳光电子技术是目前发展迅速﹑研究活跃﹑应用性强的前沿交叉领域之一.人们利用亚波长尺度微纳结构对电磁波振幅﹑偏振﹑相位﹑角动量等进行调控,设计出多种功能性器件,例如:完美吸波器﹑反射镜/偏折器﹑光学相控阵天线﹑超材料/超表面器件﹑超透镜﹑轨道角动量(OAM)器件﹑光频率梳﹑片上激光器等.可用于微纳光电子器件设计和分析的理论包括微腔谐振﹑等效介质模理论,严格耦合波理论,传输线理论,导模共振﹑Mie谐振﹑Fano谐振等理论;用于微纳光电子器件结构设计和模拟仿真的方法有时域有限差分(FDTD),有限元(FEM)。

摘要： 6月9日,工信部电子司指导召开《中国光电子器件产业技术发展路线图(2023-2027年)》编制启动会,中国工程院罗毅院士参加会议。会议指出,光电子器件是光电子技术的基础和核心,是电子信息产业的重要组成部分之一。2018年发布的《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022年)》,有力引领了产业发展导向、促进合理布局规划,推动我国光电子产业升级发展。

摘要： 《光电技术应用》期刊是中国电子科技集团公司主管,中国电子科技集团公司光电研究院主办的公开发行的正式科技期刊,双月刊。《光电技术应用》期刊以光电系统技术为主要专业特色,传播光电子技术、光电系统应用技术专业领域的先进科技信息,报道新型科技成果,推动工程技术交流,促进行业科技进步与发展。

摘要： 结合构建平安社会的国家战略目标和军民两用的科技发展目标,未来需要加强研究先进光电子技术在大气安全侦测中的新型应用能力.报告对新一代光电技术在该领域的应用需求、技术发展、基本原理、工作模式和未来前景等进行了分析.rn 基于不同化学物质的激光光谱特性进行侦测识别的相关技术,作为大气安全侦察领域的新型前沿技术,自二十世纪90年代以来,一直是国内外研究关注的热点.目前的激光侦毒技术是利用多个固定频率激光探测化学毒剂在特定光波段的单一吸收谱线,其探测灵敏度和抗干扰性均有限.rn 基于宽谱激光和大气“指纹”侦测技术发展新一代广谱、高灵敏、抗干扰性强和无虚漏警的大气安全侦测技术，未来可广泛应用于战场化学侦察、大气环境安全监测等领域，对于解决日益严重的大气微量多组份异常、混合化学毒气和未知毒气威胁，提高中国在常规、生化、反恐环境中人员的生存能力、防御能力和战场环境掌控能力具有重要意义。该技术方向已被美军列为新一代化学侦察能力和反恐手段的重要发展方向。

摘要： 光电子技术是当今世界最具活力的高新技术之一，LED技术和产业则是光电子技术产业中一颗耀眼的明星。文章从LED技术优势分析出发，以应用前景入手，展示了LED明天图景；针对中国大陆LED产业现状，对照航空发动机等高新技术发展瓶颈，深入剖析了问题根源所在和以往教训，提出了建议对策；最后分析了中国LED企业优势和切入LED产业的技巧，展示了中国LED企业的光明前程。

摘要： 贯彻党的十七大精神，要走出一条中国特色军民融合式发展路子。把国防建设有机融入经济社会发展体系之中，使经济建设和国防建设相互促进、融为一体。当今世界各国总结了发展经济和建设国防分隔开来的弊端，以军民融合的做法来发展国防科技工业，成为一种共识。光电子技术的广泛应用，在国家安全和国防建设方面有深远的意义和潜力，中国兵器集团与云南省合作共建昆明光电子产业创新基地，经过几年的发展，初步形成了以红外及微光夜视、光电子信息材料、太阳能电池，光机电一体化设备、半导体照明、OLED显示器、锗材料及光学系统、多晶硅材料等光电子产业的发展格局。

摘要： 本文从硅基微电子技术和光电子技术相结合和集成电路光互联需要出发,指出与CMOs工艺完全兼容硅基发光研究的重要意义。并在充分分析此研究领域的特点和分类的基础上,提出该研究领域的几个重点研究方向。

摘要： 电磁超材料具有与常规材料迥异的奇特电磁参数(如负的介电常数和磁导率).这类材料颠覆了传统电磁理论描述的若干规则,衍生出很多奇特的电、磁、光性质,有望成为信息技术等领域的重大技术变革的源头.作为这类人工材料的主流构筑方式,金属谐振单元阵列取得了重要成功.然而,受制于金属基体的固有特性,高损耗、各向异性、难以调控,以及光频材料难于制备一直是困扰这类材料发展的壁垒.为从根本上解决上述问题,我国在国际上率先开展了基于陶瓷材料的超常电磁介质的研究.从材料超常响应的基本原理出发,借助于功能陶瓷材料中丰富的电磁极化机制,初步创建了非金属基超常介质的原理框架和构筑策略.构建了基于非金属材料及其结构的超常电磁响应原理,提出了非金属基超常电磁介质的调控机制,建立了自下而上的光频非金属基超常介质制备策略.基于这类新型超材料,发展出了无绕线电感元件、无非线性光学过程参与的全光开关,以及光忆阻器等新型器件,并在无源电子元件集成技术等领域获得了应用.

摘要： 电磁超材料具有与常规材料迥异的奇特电磁参数(如负的介电常数和磁导率).这类材料颠覆了传统电磁理论描述的若干规则,衍生出很多奇特的电、磁、光性质,有望成为信息技术等领域的重大技术变革的源头.作为这类人工材料的主流构筑方式,金属谐振单元阵列取得了重要成功.然而,受制于金属基体的固有特性,高损耗、各向异性、难以调控,以及光频材料难于制备一直是困扰这类材料发展的壁垒.为从根本上解决上述问题,我国在国际上率先开展了基于陶瓷材料的超常电磁介质的研究.从材料超常响应的基本原理出发,借助于功能陶瓷材料中丰富的电磁极化机制,初步创建了非金属基超常介质的原理框架和构筑策略.构建了基于非金属材料及其结构的超常电磁响应原理,提出了非金属基超常电磁介质的调控机制,建立了自下而上的光频非金属基超常介质制备策略.基于这类新型超材料,发展出了无绕线电感元件、无非线性光学过程参与的全光开关,以及光忆阻器等新型器件,并在无源电子元件集成技术等领域获得了应用.

摘要： 电磁超材料具有与常规材料迥异的奇特电磁参数(如负的介电常数和磁导率).这类材料颠覆了传统电磁理论描述的若干规则,衍生出很多奇特的电、磁、光性质,有望成为信息技术等领域的重大技术变革的源头.作为这类人工材料的主流构筑方式,金属谐振单元阵列取得了重要成功.然而,受制于金属基体的固有特性,高损耗、各向异性、难以调控,以及光频材料难于制备一直是困扰这类材料发展的壁垒.为从根本上解决上述问题,我国在国际上率先开展了基于陶瓷材料的超常电磁介质的研究.从材料超常响应的基本原理出发,借助于功能陶瓷材料中丰富的电磁极化机制,初步创建了非金属基超常介质的原理框架和构筑策略.构建了基于非金属材料及其结构的超常电磁响应原理,提出了非金属基超常电磁介质的调控机制,建立了自下而上的光频非金属基超常介质制备策略.基于这类新型超材料,发展出了无绕线电感元件、无非线性光学过程参与的全光开关,以及光忆阻器等新型器件,并在无源电子元件集成技术等领域获得了应用.

摘要： 电磁超材料具有与常规材料迥异的奇特电磁参数(如负的介电常数和磁导率).这类材料颠覆了传统电磁理论描述的若干规则,衍生出很多奇特的电、磁、光性质,有望成为信息技术等领域的重大技术变革的源头.作为这类人工材料的主流构筑方式,金属谐振单元阵列取得了重要成功.然而,受制于金属基体的固有特性,高损耗、各向异性、难以调控,以及光频材料难于制备一直是困扰这类材料发展的壁垒.为从根本上解决上述问题,我国在国际上率先开展了基于陶瓷材料的超常电磁介质的研究.从材料超常响应的基本原理出发,借助于功能陶瓷材料中丰富的电磁极化机制,初步创建了非金属基超常介质的原理框架和构筑策略.构建了基于非金属材料及其结构的超常电磁响应原理,提出了非金属基超常电磁介质的调控机制,建立了自下而上的光频非金属基超常介质制备策略.基于这类新型超材料,发展出了无绕线电感元件、无非线性光学过程参与的全光开关,以及光忆阻器等新型器件,并在无源电子元件集成技术等领域获得了应用.

摘要： 电磁超材料具有与常规材料迥异的奇特电磁参数(如负的介电常数和磁导率).这类材料颠覆了传统电磁理论描述的若干规则,衍生出很多奇特的电、磁、光性质,有望成为信息技术等领域的重大技术变革的源头.作为这类人工材料的主流构筑方式,金属谐振单元阵列取得了重要成功.然而,受制于金属基体的固有特性,高损耗、各向异性、难以调控,以及光频材料难于制备一直是困扰这类材料发展的壁垒.为从根本上解决上述问题,我国在国际上率先开展了基于陶瓷材料的超常电磁介质的研究.从材料超常响应的基本原理出发,借助于功能陶瓷材料中丰富的电磁极化机制,初步创建了非金属基超常介质的原理框架和构筑策略.构建了基于非金属材料及其结构的超常电磁响应原理,提出了非金属基超常电磁介质的调控机制,建立了自下而上的光频非金属基超常介质制备策略.基于这类新型超材料,发展出了无绕线电感元件、无非线性光学过程参与的全光开关,以及光忆阻器等新型器件,并在无源电子元件集成技术等领域获得了应用.

摘要： 本文阐述了太赫兹技术发展的难点问题，包括：在生物技术中，关键问题在于如何测量含水环境中生物样品的太赫兹频率响应和生物活体的氨基酸、DNA和RNA的识别。太赫兹波室温下的直接探测。固态增益介质能级跃迁辐射太赫兹波的机理。太赫兹波大气传输特性统一模型。对太赫兹技术的发展进行了展望。

摘要： 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，具有以下步骤：A)提供生长衬底，带有设置于其上的半导体层用于产生工作中的有源区，B)施加分离结构在半导体层上，C)施加多个铜层在半导体层上的通过分离结构形成边界的区域中，D)去除分离结构，E)将保护层至少施加在铜层的横向表面上，F)在铜层上施加辅助衬底，G)去除生长衬底，H)将由半导体层、铜层和辅助衬底构成的复合结构分割为彼此分离的器件，以及一种借助这种方法制造的器件和器件布置。

摘要： 一种光电子器件(100)，所述光电子器件包括辐射侧(2)，经由所述辐射层在运行时耦合输入或耦合输出电磁辐射。具有至少两个导电的接触元件(31，32)的接触侧(3)与辐射侧相对置，所述接触元件用于器件的外部电接触。在辐射侧和接触侧之间设置有具有有源层(10)的半导体层序列(1)，所述有源层在正常运行时发射或吸收电磁辐射。接触元件在接触侧上彼此间隔开并且在器件的未安装状态下在接触侧上完全地或部分地露出。接触侧在接触元件之间的区域部分地或完整地用电绝缘的冷却元件(33)覆盖，其中冷却元件在朝向一个或两个接触元件(31，32)的接触侧的俯视图中被部分地遮盖。冷却元件(33)与接触侧直接接触并且具有至少30W/(m·K)的热导率。

摘要： 本发明涉及光电子器件基板以及包括其的光电子器件，并且更具体地，涉及如下光电子器件基板以及包括其的光电子器件，该光电子器件基板可以确保形成光电子器件的薄膜的平坦性，并且确保被形成以改善光电子器件的特性的功能薄膜在结构上稳定，从而维持功能薄膜的功能。在这点上，本发明提供了光电子器件基板以及包括该光电子器件基板的光电子器件，所述基板包括：基底基板；在基底基板上形成的凹凸结构，其中所述凹凸结构的表面形成凹凸图案；和在所述凹凸结构上形成的平坦化层，所述平坦化层由二维材料形成。

摘要： 一种光电子半导体芯片(100)，包括基本体，所述基本体具有载体(3)和设置在载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1)，所述半导体层序列在正常运行中发射或吸收电磁辐射。此外，半导体芯片(100)包括两个设置在半导体层序列(1)上并且背离载体(3)的接触面(20，21)，经由所述接触面能够电接触半导体层序列(1)。此外，半导体芯片(100)具有两个接触元件(40，41)，所述接触元件施加在接触面(20，21)上并且与所述接触面导电连接。基本体的载体(3)包括横向于上侧(30)伸展的侧面(32)和与上侧(30)相对置的下侧(31)。接触元件(40，41)构成为印制导线，所述印制导线从接触面(20，21)开始经过基本体的棱边引导直至载体(3)的侧面(32)上。

摘要： 提出一种光电子半导体器件(9)，所述光电子半导体器件包括：‑具有至少一个发光二极管芯片(11)和覆盖面(1a)的发光二极管构件(1)，所述覆盖面沿放射方向(Z)设置在发光二极管芯片(11)的下游；‑转换元件(2)，所述转换元件沿放射方向(Z)设置在发光二极管构件(1)的下游；‑框架体(3)；和‑覆盖体(4)，所述覆盖体由透射辐射的材料形成，其中‑框架体(3)框架状地包围转换元件(2)的全部侧面(2c)；‑覆盖体(4)沿放射方向(Z)设置在转换元件(2)的下游，并且在其背离发光二极管芯片(11)的覆盖面(2a)上遮盖转换元件(2)。

摘要： 提供了一种用于有机光电子器件的化合物、用于有机光电子器件的组合物、有机光电子器件及显示器件，所述化合物由化学式1表示，所述组合物包含所述化合物。化学式1的细节如说明书中所限定。

摘要： 本发明公开了一种用于有机光电子装置的化合物、用于有机光电子装置的组合物、有机光电子装置和显示装置。具体地，本发明公开了一种由化学式1与化学式2的结合表示的用于有机光电子装置的化合物、一种包含该化合物的用于有机光电子装置的组合物、一种有机光电子装置和一种显示装置。化学式1和化学式2的细节如说明书中的定义。

摘要： 本发明涉及一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：半导体芯片(1)，所述半导体芯片设计用于至少经由辐射主面(11)发射辐射(5)；转换元件(2)，所述转换元件设置在半导体芯片(1)的光路中；封装元件(3)，所述封装元件具有覆盖元件(31)和侧部元件(32)，并且形成用于转换元件(2)免受环境影响的至少一个封闭部，其中覆盖元件(31)设置在转换元件(31)之上，并且侧部元件(32)在横截面中相对于半导体芯片(1)和转换元件(2)横向地设置，并且包围半导体芯片(1)，其中侧部元件(32)和覆盖元件(31)至少局部地直接接触，其中侧部元件(32)具有至少一种金属。

摘要： 本发明涉及一种光电子照明装置，包括：‑光电子半导体芯片，其具有顶面和相对的底面；‑形成在顶面和底面之间的一系列的半导体层；‑一系列的半导体层包括用于生成电磁辐射的有源区；‑用于接合材料的阻挡部被形成在顶面或底面上，所述接合材料作为半导体芯片被整体地接合到衬底的结果而处于自由流动的状态。

摘要： 一种光电子器件(100)，所述光电子器件包括辐射侧(2)，经由所述辐射层在运行时耦合输入或耦合输出电磁辐射。具有至少两个导电的接触元件(31，32)的接触侧(3)与辐射侧相对置，所述接触元件用于器件的外部电接触。在辐射侧和接触侧之间设置有具有有源层(10)的半导体层序列(1)，所述有源层在正常运行时发射或吸收电磁辐射。接触元件在接触侧上彼此间隔开并且在器件的未安装状态下在接触侧上完全地或部分地露出。接触侧在接触元件之间的区域部分地或完整地用电绝缘的冷却元件(33)覆盖，其中冷却元件在朝向一个或两个接触元件(31，32)的接触侧的俯视图中被部分地遮盖。冷却元件(33)与接触侧直接接触并且具有至少30W/(m·K)的热导率。