光电子器件

摘要： 中国工程院:我国电子信息领域面临“十三大挑战”2月15日,中国工程院信息与电子工程学部、中国信息与电子工程科技发展战略研究中心在京发布“中国电子信息工程科技发展十三大挑战(2022)”,总结提炼出中国电子信息工程科技当前的发展趋势和面临的重大挑战。这些挑战包括信息领域的自主可控,实现超高速、高性能、低功耗、多功能、高密度光电子器件,研发出基于新一代信息技术的智能化管控系统和智能化工业软件,研发软件定义、软硬协同、场景驱动、应用感知、智能赋能的基础软件等。

摘要： 李树深,男,汉族,河北人,中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师,中国科学院院士、发展中国家科学院院士,半导体器件物理专家,中国科学院副院长,兼中国科学院大学党委书记。李树深院士的主要研究方向包括:低维半导体物理及品件、光电子器件性能预测、固态量子信息。

摘要： 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了Li、Na、K掺杂ZnO纤锌矿结构的晶格结构、电子结构(能带结构、态密度)和光学特性,计算结果表明,在掺杂Na或K的情况下,晶胞体积的计算值均略有增加,而掺杂Li的晶胞体积小于本征ZnO,原因可能是系统能量的减小导致晶胞体积的降低。Li、Na掺杂的ZnO形成了p型导电半导体而K掺杂并未改变ZnO的导电类型,同时,综合电荷分布结果可以看出,Li掺ZnO具有相对较好的p型导电性能。此外,Li、Na、K掺杂ZnO后,吸收率在可见光区出现了明显的增大,其中Li掺ZnO在380 nm附近出现了较强的吸收峰,这对ZnO在光电子器件上的应用具有一定的参考价值。

摘要： 量子点显示因其具有发光纯度高、色域宽、半峰宽窄的特性,被认为是继有机发光显示之后的下一代显示技术,引起学术界和工业界的广泛关注。因此,柔性量子点薄膜材料在柔性显示器件、固态照明、背光源材料等光电子器件领域中展现出巨大的商业化前景。使用低成本、环境友好的水平刨切天然木材制备超薄透明木膜,再将其浸渍量子点,得到超薄、超柔性的量子点透明木材薄膜,有望将木材应用于光转换材料、柔性显示器件、固态照明等领域中,不仅提高了木材的附加值,也为柔性光电器件的绿色化设计提供了一种环境友好的解决方案。

摘要： 垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点。氮化镓(GaN)材料是制造紫外到绿光波段光电子器件的理想材料,经过四十余年的研究,蓝光和绿光LED在照明、显示等领域得到广泛应用。技术含量更高的激光器件也已进入了应用的快车道,即将覆盖照明、通信、投影显示、光存储、医疗、微型原子钟及传感器等场景。铝镓氮(AlGaN)是GaN基半导体材料的重要代表之一,其禁带宽度可在3.4 eV(GaN)到6.2 eV(AlN)范围内连续可调,对应波长可覆盖200~365 nm波段,是制造从近紫外波段到深紫外波段紫外垂直腔面发射激光器的理想材料。而铝镓氮(AlGaN)垂直腔面发射激光器经过近20年来的发展,如今已成为半导体激光器的研究热点之一。首先回顾了GaN基垂直腔面发射激光器的发展历史,简要介绍了其在各个波段的主要应用场景;然后介绍蓝光、绿光及紫外垂直腔面发射激光器的研究进展;最后分析了光注入和电注入紫外垂直腔面发射激光器发展过程中的挑战和困难,并介绍了改进和优化的策略。

摘要： 微纳光电子技术是目前发展迅速﹑研究活跃﹑应用性强的前沿交叉领域之一.人们利用亚波长尺度微纳结构对电磁波振幅﹑偏振﹑相位﹑角动量等进行调控,设计出多种功能性器件,例如:完美吸波器﹑反射镜/偏折器﹑光学相控阵天线﹑超材料/超表面器件﹑超透镜﹑轨道角动量(OAM)器件﹑光频率梳﹑片上激光器等.可用于微纳光电子器件设计和分析的理论包括微腔谐振﹑等效介质模理论,严格耦合波理论,传输线理论,导模共振﹑Mie谐振﹑Fano谐振等理论;用于微纳光电子器件结构设计和模拟仿真的方法有时域有限差分(FDTD),有限元(FEM)。

摘要： 随着电子器件小型化需求的不断提升,微电子技术的发展受到限制。相对而言,微纳尺度上光学现象及微纳光电子器件的研究起步较晚,但随着光子学与微纳加工技术的发展,微纳光子学逐渐兴起且受到越来越多的关注。微纳光子学主要研究在微纳尺度下光与物质相互作用的规律及其在光的产生、传输、调控、探测和传感等方面的应用,包括微纳光子学理论、微纳光纤及纳米光波导、光学微腔及应用、硅基光子学、微纳光子学器件等。

摘要： 6月9日,工信部电子司指导召开《中国光电子器件产业技术发展路线图(2023-2027年)》编制启动会,中国工程院罗毅院士参加会议。会议指出,光电子器件是光电子技术的基础和核心,是电子信息产业的重要组成部分之一。2018年发布的《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022年)》,有力引领了产业发展导向、促进合理布局规划,推动我国光电子产业升级发展。

摘要： 相变材料是一种特殊性能的材料,对新一代光电子器件的发展具有重要意义。该材料受到外部激励触发时,表现出至少两种不同的相状态,并且两种状态之间可以可逆转换及保持。这一可逆转换特征,带来材料在电阻、光学折光系数等电学和光学性质上的巨大差异,可用于提高信息存储量和拓展能源利用率。

摘要： 李树深,男,汉族,河北人,中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师,中国科学院院士、发展中国家科学院院士,半导体器件物理专家,中国科学院副院长,兼中国科学院大学党委书记。李树深院士的主要研究方向包括:低维半导体物理及品件、光电子器件性能预测、固态量子信息。

摘要： GaN材料作为第三代宽禁带半导体材料近年来发展迅速,以GaN基LED为代表的氮化物光电子器件也得到了广泛的应用.然而,随着器件功率的不断提升,GaN基光电子器件的散热问题日渐突出.由于缺乏同质衬底,GaN材料的生长主要采用异质外延的方法,通常选用价格便宜的蓝宝石作为异质外延的基底.但蓝宝石基底导热性差,使器件在工作时产生的热量不能够有效地传递到热沉上去,从而导致器件工作时的结温急剧升高,不仅降低了器件发光效率,也缩短器件的寿命.为改善氮化物光电子器件散热特性，本研究小组提出了一种新型的蓝宝石基底剥离技术，即两次转移基底技术。其基本原理是：首先利用键合及激光剥离技术，去除蓝宝石衬底，将氮化物外延层（或LED芯片）转移到一临时基底上，然后再利用键合技术将氮化物外延层（或LED芯片）键合到散热良好的永久基底（如Si或金属）上，最后将临时基底去除，从而实现蓝宝石基底的替换。该技术不仅可以解决器件散热问题，还可以通过在器件底部增加底部反射镜增加提取效率。同时，也为研制新型的GaN基光电子器件如共振腔发光管(RCLED)以及垂直腔面激光器(VCSEL)提供了新的技术途径。

摘要： 为使TO封装形式的光电子器件均能够在不受损伤的情况下以离心方式进行恒定加速度试验,本文提出了一种TO封装光电子器件离心恒定加速度试验夹具的设计方法.本方案设计结构采用底板+盖板的方式、通孔结构及导槽工艺,使夹具具备设计简单、易加工、安装方便,工作高效等特点,解决了双平面、双材料封装光电子器件在离心试验时易受损伤的问题,克服了管腿缠绕及采用埋沙法进行试验所带来的缺陷.与进口夹具相比,性能优越,成本降低.采用设计的夹具对TO-5型封装的光敏二极管C30642GH进行了离心恒定加速度试验验证,并对试验结果进行分析,成功验证了设计的夹具具备对TO封装光电子器件进行离心恒定加速度试验的能力,夹具设计方法能够满足对TO封装光电子器件进行离心恒定加速度试验的要求.

摘要： 本文介绍了光电子器件在光通信领域的技术发展和市场前景，并重点阐述了代表光电子器件发展方向的光电子集成技术和器件的特点及目前国内外研究、应用和发展现状，我国在该行业急需解决的问题、以及市场前景的展望。

摘要： 随着社会向高度信息化、智能化发展,下一代应用系统对光电子器件的要求越来越高.然而传统的光电子技术存在着不可逾越的障碍,光电子器件的突破期待着新材料、新原理、新技术的出现.近年来迅速发展的微纳结构光电子学,展示出了介观领域一系列新的物理现象和独特的光电特性,为下一代新功能光电子器件的发展提供了崭新的创造空间.通过微纳结构对光子、声子、SPP的广义能带进行调控，实现了超越传统光电子技术的新功能。广义能带调控的理论揭示了微纳结构中出现的不同于传统材料的、具有新奇光电特性的共性物理机制，为进一步探索微纳结构光电子物理、发展微纳结构光电子器件提供了新的思路。

摘要： 铜纳米线具有良好的电导率与热导率,将作为主要元件而广泛应用于微纳器件、光电子器件,因而其力学性能的测量对于纳米器件的设计制造至关重要.本文介绍了利用扫描电子显微镜和扫描探针显微镜联合测试系统对铜纳米线进行原位弯曲实验,通过分析得到铜纳米线的力学性能.实验结果表明铜纳米线的弹性模量在研究范围内存在尺寸效应.

摘要： 半导体材料和结构是光电器件的核心部件.半导体的组分和能隙决定了半导体的光电子学性质,从而决定了所构建的器件的性能或功能.由于常规半导体只拥有有限的能隙,无法实现能隙和物性的连续可调,从而大大限制半导体结构在多功能可调谐光电器件上的应用.两种或多种能隙不同的半导体的合金化是实现能隙可调半导体结构的有效途径.本研究介绍了一种温度梯度CVD生长技术，实现了将CdSxSe1-x合金纳米线在单基片一维和二维空间上随组分(能隙)空间递变的等级生长，并以该单基片纳米结构为平台，成功实现了在可见光区大范围可调谐(从500到700纳米)的纳米线激光器,被国际同行评价为“刷新了激光器调谐范围的世界纪录”。同时将能带空间梯度可调纳米结构的生长技术从单基片扩展到单纳米线上，成功生长出沿单纳米线轴向能隙梯度可调的超晶格纳米线,并以单纳米线梯度能隙纳米结构为材料平台，实现了高质量的纳米白光发射。特别重要的是，利用梯度能隙单纳米线的能带不对称导致光传输的单向选择性，首次实现了波长选择性纳米光波导和纳米线光二极管。

摘要： 为了改善高频微波进行长距离传输时具有很大的损耗,频率向高频扩展受限的特性。本文基于微波信号光纤传输(RoF)技术,采用波长为1550nm的多量子阱分布式反馈激光器和数据速率高达10Gbps的数字式PIN光电探测器,设计了一款工作频率为10MHz～4GHz的超宽带微波光电子系统。在整个频率范围内满足了8dB增益,增益平坦度±1.5dB及输入/输出驻波比＜2的指标要求,符合工程需要,实现了数字式光电子器件在模拟通信中的应用,具有广泛的应用范围。

摘要： There is a great potential in cost reduction for optoelectronics and power electronics by epitaxially integratingⅢ-Nitride semiconductors on large diameter silicon.This paper presents the R&D of GaN-on-Silicon for blue/UV LED,laser diode,and high electron mobility transistors(HEMTs).The epitaxial integration of GaN on silicon was hindered by two major technical challenges.The large lattice mismatch between GaN and Si(～17％)often causes a high density of dislocation defects,and the huge misfit in the coefficient of thermal expansion(～54％)results in crack network formation in the GaN epitaxial film.

摘要： There is a great potential in cost reduction for optoelectronics and power electronics by epitaxially integratingⅢ-Nitride semiconductors on large diameter silicon.This paper presents the R&D of GaN-on-Silicon for blue/UV LED,laser diode,and high electron mobility transistors(HEMTs).The epitaxial integration of GaN on silicon was hindered by two major technical challenges.The large lattice mismatch between GaN and Si(～17％)often causes a high density of dislocation defects,and the huge misfit in the coefficient of thermal expansion(～54％)results in crack network formation in the GaN epitaxial film.

摘要： There is a great potential in cost reduction for optoelectronics and power electronics by epitaxially integratingⅢ-Nitride semiconductors on large diameter silicon.This paper presents the R&D of GaN-on-Silicon for blue/UV LED,laser diode,and high electron mobility transistors(HEMTs).The epitaxial integration of GaN on silicon was hindered by two major technical challenges.The large lattice mismatch between GaN and Si(～17％)often causes a high density of dislocation defects,and the huge misfit in the coefficient of thermal expansion(～54％)results in crack network formation in the GaN epitaxial film.

摘要： 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，具有以下步骤：A)提供生长衬底，带有设置于其上的半导体层用于产生工作中的有源区，B)施加分离结构在半导体层上，C)施加多个铜层在半导体层上的通过分离结构形成边界的区域中，D)去除分离结构，E)将保护层至少施加在铜层的横向表面上，F)在铜层上施加辅助衬底，G)去除生长衬底，H)将由半导体层、铜层和辅助衬底构成的复合结构分割为彼此分离的器件，以及一种借助这种方法制造的器件和器件布置。

摘要： 本发明涉及光电子器件基板以及包括其的光电子器件，并且更具体地，涉及如下光电子器件基板以及包括其的光电子器件，该光电子器件基板可以确保形成光电子器件的薄膜的平坦性，并且确保被形成以改善光电子器件的特性的功能薄膜在结构上稳定，从而维持功能薄膜的功能。在这点上，本发明提供了光电子器件基板以及包括该光电子器件基板的光电子器件，所述基板包括：基底基板；在基底基板上形成的凹凸结构，其中所述凹凸结构的表面形成凹凸图案；和在所述凹凸结构上形成的平坦化层，所述平坦化层由二维材料形成。

摘要： 在不同的实施例中提供一种光电子器件设备，所述光电子器件设备具有：第一光学有源结构，所述光学有源结构构建用于提供电磁辐射；测量结构，所述测量结构构建用于确定电磁辐射的光密度分布；其中测量结构构建用于确定在第一光学有源结构中的光密度分布，并且其中测量结构具有多个第二光学有源结构，其中多个第二光学有源结构构建为接收所提供的电磁辐射的光电器件和/或光电子器件。

摘要： 本发明公开了一种光电子器件(1)的壳体，其具有塑料基本体(5)，该塑料基本体具有带有用于至少一个发射辐射或者检测辐射的本体(2)的安装区的前侧(6)，其中塑料基本体(5)由至少一个第一塑料部件(51)和至少一个第二塑料部件(52)构建，其中第二塑料部件(52)设置在塑料基本体(5)的前侧(6)上，第二塑料部件由如下材料构建：该材料在至少一种光学特性上与第一塑料部件(51)的材料不同，以及第二塑料部件构建塑料基本体(5)的光学功能区。此外，公开了一种用于制造光电子器件的壳体的方法以及一种发光二极管器件。

摘要： 提供了一种用于有机光电子器件的化合物、用于有机光电子器件的组合物、有机光电子器件及显示器件，所述化合物由化学式1表示，所述组合物包含所述化合物。化学式1的细节如说明书中所限定。

摘要： 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，具有以下步骤：A)提供生长衬底，带有设置于其上的半导体层用于产生工作中的有源区，B)施加分离结构在半导体层上，C)施加多个铜层在半导体层上的通过分离结构形成边界的区域中，D)去除分离结构，E)将保护层至少施加在铜层的横向表面上，F)在铜层上施加辅助衬底，G)去除生长衬底，H)将由半导体层、铜层和辅助衬底构成的复合结构分割为彼此分离的器件，以及一种借助这种方法制造的器件和器件布置。

摘要： 本发明涉及一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：半导体芯片(1)，所述半导体芯片设计用于至少经由辐射主面(11)发射辐射(5)；转换元件(2)，所述转换元件设置在半导体芯片(1)的光路中；封装元件(3)，所述封装元件具有覆盖元件(31)和侧部元件(32)，并且形成用于转换元件(2)免受环境影响的至少一个封闭部，其中覆盖元件(31)设置在转换元件(31)之上，并且侧部元件(32)在横截面中相对于半导体芯片(1)和转换元件(2)横向地设置，并且包围半导体芯片(1)，其中侧部元件(32)和覆盖元件(31)至少局部地直接接触，其中侧部元件(32)具有至少一种金属。

摘要： 本发明涉及光电子器件基板以及包括其的光电子器件，并且更具体地，涉及如下光电子器件基板以及包括其的光电子器件，该光电子器件基板可以确保形成光电子器件的薄膜的平坦性，并且确保被形成以改善光电子器件的特性的功能薄膜在结构上稳定，从而维持功能薄膜的功能。在这点上，本发明提供了光电子器件基板以及包括该光电子器件基板的光电子器件，所述基板包括：基底基板；在基底基板上形成的凹凸结构，其中所述凹凸结构的表面形成凹凸图案；和在所述凹凸结构上形成的平坦化层，所述平坦化层由二维材料形成。

摘要： 在不同的实施例中提供一种光电子器件设备(100)，所述光电子器件设备(100)具有：第一光学有源结构(106)，所述光学有源结构构建用于提供电磁辐射；测量结构，所述测量结构构建用于确定电磁辐射的光密度分布；其中测量结构构建用于确定在第一光学有源结构(106)中的光密度分布，并且其中测量结构(116)具有多个第二光学有源结构(116i)，其中多个第二光学有源结构(116i)构建为接收所提供的电磁辐射的光电器件(116i)和/或光电子器件(116i)。

摘要： 本发明公开了一种光电子器件(1)的壳体，其具有塑料基本体(5)，该塑料基本体具有带有用于至少一个发射辐射或者检测辐射的本体(2)的安装区的前侧(6)，其中塑料基本体(5)由至少一个第一塑料部件(51)和至少一个第二塑料部件(52)构建，其中第二塑料部件(52)设置在塑料基本体(5)的前侧(6)上，第二塑料部件由如下材料构建：该材料在至少一种光学特性上与第一塑料部件(51)的材料不同，以及第二塑料部件构建塑料基本体(5)的光学功能区。此外，公开了一种用于制造光电子器件的壳体的方法以及一种发光二极管器件。