光探测器

摘要： 二维半导体光电材料由于其优良的电子运输特性和材料结构特性得到了各学科领域的广泛关注,其通常被应用于生物传感器、催化剂和光电器件等领域。文章首先介绍了用于光电器件的常见二维半导体光电材料,分析了二维半导体光电材料的结构、性能及常用的制备方法。然后重点研究了光探测器件的基本原理及评价参数,研讨了二维半导体光电材料在本征光探测器、复合体系光探测器、自驱动二维异质结光探测器及敏化增强二维光探测器中的应用。

摘要： 制备了平面结构2D/3D混合钙钛矿(PEA)_(0.15)FA_(0.85)SnI_(3)/SnO_(2)异质结光探测器。研究发现,SnO_(2)薄膜的引入可以调控(PEA)_(0.15)FA_(0.85)SnI_(3)薄膜的晶体生长过程,有助于获得致密的连续薄膜。在520 nm单色光辐照下,器件的响应度高达3.19×10^(5) A/W,相应的探测率为6.39×10^(15) Jones。在808 nm单色光辐照下,器件的响应度和探测器率也可分别达到1.70×10^(4) A/W和7.28×10^(13) Jones。相关性能明显高于(PEA)_(0.15)FA_(0.85)SnI_(3)单层薄膜光探测器。器件性能的提高一方面是由于钙钛矿薄膜表面形貌的改善,提高了器件的吸收效率和载流子收集效率;另一方面是由于(PEA)_(0.15)FA_(0.85)SnI_(3)和SnO_(2)之间形成了p-n结结构,从而有效提高了钙钛矿薄膜中的光生电子-空穴对的分离效率,降低了电子和空穴的复合几率。同时,(PEA)_(0.15)FA_(0.85)SnI_(3)/SnO_(2)界面处特殊的能级结构也可诱导器件产生光电导增益。

摘要： 自2004年发现石墨烯以来,二维材料以其丰富的带隙结构、独特的光电特性和无悬挂键的范德瓦耳斯表面等,极大地拓宽了半导体电子、光电子器件的设计维度。其中二维硒化铟材料成为最具竞争力的未来高迁移率光电子器件用候选材料,被诺贝尔奖获得者Andre Geim认为是“硅和石墨烯的‘黄金分割点’”。但人们对二维硒化铟材料的研究仅有不到十年的时间,对其制备及应用的认识仍然不足。本文综述了二维硒化铟材料及其光电器件的研究现状。另外,考虑到目前绝大多数二维硒化铟材料的研究是基于块状单晶体材料的机械剥离开始的,因此本文首先回顾了硒化铟晶体结构的认识及其制备方法的发展历程,在此基础上综述了二维硒化铟材料制备及其性能表征的前沿研究结果,探讨了器件结构、材料制备方法等因素对二维硒化铟场效应晶体管和光探测器电学输运特性的影响,最后分析了未来硒化铟材料及器件应用面临的机遇与挑战。

摘要： 采用酞菁(H2 Pc)作为给体材料,富勒烯(C60)作为受体材料,构筑了基于H2 Pc/C60平面异质结的有机光探测器.同时采用碘化亚铜(CuI)作为阳极缓冲层,通过优化CuI和H2 Pc的厚度可获得高性能的器件.器件的光电响应可覆盖整个可见光区域,器件响应来源于H2 Pc和C60的共同吸收,表明H2 Pc和C60的光生激子在H2 Pc/C60界面处发生了高效解离.当CuI的厚度为2 nm、H2 Pc的厚度为60 nm时,器件在600 nm处的外量子效率达到26.1％,且零偏压下的响应度为105.3 mA/W,探测率为1.50×1012 Jones.

摘要： 基于拜尔滤波片(bayer filter)彩色成像技术在集成度和分辨率都已经接近极限,无滤波片(filter-free)的彩色成像单元得到广泛的关注和研究.纳米线自身腔模式可以实现对不同能量的光空间分布,通过对纳米线形貌调控实现色彩分辨探测.本文使用有限元法构建了能依靠自身结构完成分光目的,能够作为光探测器的锥形纳米线器件.数值模拟结果显示,能够根据器件的顶半径、底半径、长度和材料等相关参数调整器件涵盖的波长范围和分辨率等重要参数,并具体分析了如何进行调控.同时进一步分析了该结构在实际制备器件时以及不同角度入射光下的器件性能.这些研究结果对于将锥形结构纳米线作为光探测器的实际应用有重要的参考意义.

摘要： 华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作,针对铯银铋溴材料的结构和性质进行研究,探讨了材料最新应用进展与未来发展挑战。铯银铋溴(Cs2AgBiBr6)是在传统铅基钙钛矿之后研发的新型无铅双钙钛矿半导体材料,具有稳定性高、环境友好、光电特性优异等优点,已在太阳能电池、光探测器、X射线探测器、催化和铁电/磁性等领域内取得了广泛应用。

摘要： 近日,中国科学院大连化学物理研究所研究员刘生忠团队与陕西师范大学材料科学与工程学院研究员刘渝城、美国西北大学教授Mercouri G.Kanatzidis合作,研发出有效的晶体生长策略来制备尺寸高达几个英寸的高质量多元混合离子钙钛矿单晶,并利用这种大尺寸纯相的钙钛矿单晶设计制备出自驱动集成光探测器。

摘要： 文章基于氧化物半导体量子点制备、表征与应用设计了一个综合性实验.通过液相法合成ZnO-MgO核壳量子点,制备了半导体光探测器,并进行了测试分析,使学生能够熟悉并利用旋涂匀胶、X射线衍射、透射电子显微镜、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、半导体特性分析等研发光电子材料与器件的技术手段.实验涉及光电材料分析表征、光电子器件制备与测试等多项知识点,通过理论与实验的结合,培养了学生的专业兴趣、科学素养与创新实践能力.

摘要： 二维分子晶体具有超薄、长程有序、无晶界和缺陷密度低等优点,是构建多种高性能光电器件的理想材料.实现二维分子晶体的低成本、大面积制备是二维分子晶体走向应用的关键.目前,人们开发了多种方法,在气相和液相中实现了二维分子晶体的可控制备,并揭示了这类二维有机体系独特的光电性能.本文综述了二维分子晶体的制备方法及其在有机场效应晶体管和光探测器等器件中的应用.

摘要： 介绍了40Gb/s PIN-光探测管芯结构和及其模拟开关冲击的几种观测结果,估算了40Gb/s PIN-光探测器的电压电流限制,分析了器件失效的几种原因.

摘要： 光电探测器非线性度的测量方法有很多种.本文主要介绍了采用功率叠加法测量光探测器非线性度的基本原理,重点介绍了依据功率叠加法测量原理设计的两种光学系统,一种系统是利用光纤和光纤器件来实现,另一种是利用光学元件来实现,并对两种光学系统的优缺点进行了比较.

摘要： 提出了一种具有穿通基枢的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数，使基区在工作时完全耗尽，从而得到大的光增益和小的噪声电流。实验测光电转换增益大于150000；器件具有良好的噪声特性，噪声功率与器件的直流偏置电流成正比。

摘要： 同微波网络一样，可以用S参数来精确描述光电子器件的性能。根据微波网络的S参数，详细推导了光电子器件的S参数。搭建了40 GHz高速测试系统，利用矢量网络分析仪(带宽40 GHz)和一个作为参考的标准高速光探测器(带宽45 GHz)，测量了宽带光强度调制器(实测带宽35 GHz)的频率响应。理论上，通过S参数和T参数的互相转换，扣除了微波放大器对测试结果的影响。在120 MHz至35 GHz范围内，测得的结果与出厂数据取得了很好的一致性。文中通过合理的简化，得到了光调制器频率响应的简明表达式，从而降低了数据处理的复杂度。

摘要： 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5Gb/s和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9。

摘要： 本文介绍了塑料光纤测试的IEC标准,讨论了测试光源和光探测器的选择,多模塑料光纤测试达到稳态模分布的测试条件以及塑料光纤的衰减、带宽的测试方法.

摘要： 提出并制作了新型的PD～EAM光逻辑门，它有着极高的开关速度潜力并可以方便的用于光通信中的信息处理。我们在实验中证明了它的静态逻辑功能，并进行了622Mbit/s的高频逻辑功能测试，负载电阻为450Ω时，3dB带宽达到2.88GHz。

摘要： 提出并制作了新型的PD～EAM光逻辑门，它有着极高的开关速度潜力并可以方便的用于光通信中的信息处理。我们在实验中证明了它的静态逻辑功能，并进行了622Mbit/s的高频逻辑功能测试，负载电阻为450Ω时，3dB带宽达到2.88GHz。

摘要： 提出并制作了新型的PD～EAM光逻辑门，它有着极高的开关速度潜力并可以方便的用于光通信中的信息处理。我们在实验中证明了它的静态逻辑功能，并进行了622Mbit/s的高频逻辑功能测试，负载电阻为450Ω时，3dB带宽达到2.88GHz。

摘要： 提出并制作了新型的PD～EAM光逻辑门，它有着极高的开关速度潜力并可以方便的用于光通信中的信息处理。我们在实验中证明了它的静态逻辑功能，并进行了622Mbit/s的高频逻辑功能测试，负载电阻为450Ω时，3dB带宽达到2.88GHz。

摘要： 本发明实施例提供一种柱状透镜、柱状分束透镜、光探测器及光探测器阵列，该柱状透镜包括：包括底层、氧化层和光栅层，所述柱状透镜为SOI结构，其中：所述氧化层设置在所述底层和所述光栅层之间；所述光栅层，用于对入射平行光进行相位调制，以使得透射光会聚成一条线状光斑；所述光栅层是由多种预设规格的方形光栅块按照预设排列顺序组成的，其中，每个方形光栅块的周期相同，相同预设规格的方形光栅块的长度和宽度相同，且每个方形光栅块的高度相同本发明实施例克服了传统柱状透镜体积大、不易制备及难于集成的缺点，具有易设计、体积小、易集成以及与CMOS工艺相兼容等优点，广泛应用于光显示和光通信系统，光探测器阵列实现大功率特性。

摘要： 本发明公开一种光探测器、光探测器的制备方法及其响应度调控方法，涉及光探测器技术领域，以解决光探测器的响应度不具有非易失性的问题。所述光探测器包括：衬底。形成在衬底上的功能层。形成在功能层上的两个电极。形成在功能层位于两个电极之间的部位上的透光保护层。以及形成在透光保护层内的GST相变层。所述光探测器的制备方法包括上述技术方案所提的光探测器。本发明提供的光探测器的制备方法用于制备光探测器。

摘要： 一种X光探测器以及使用X光探测器拍摄影像的方法。X光探测器包含基板、多个信号线、多个扫描线、多个感测单元以及第一主动元件。信号线设置于基板上。扫描线设置于该基板上且与信号线交错。感测单元电性连接信号线与扫描线。第一主动元件具有第一端、第二端以及控制端，控制端用以导通第一端以及第二端，其中第一主动元件的第一端连接信号线的第一者，第一主动元件的第二端连接信号线的第二者。借此，经由控制第一主动元件开启，可均匀化信号线的第一者与第二者的电荷，以降低残留电荷的局部差异，进而提升影像品质。

摘要： 本发明公开了一种异质结光探测器的制备方法及光探测器，其中，制备方法通过对经图形化处理的第一材料层上设置一层掩膜，并使掩膜覆盖在第一材料层除异质结区域之外的表面上，再在衬底设置第二材料层，并使第二材料层在异质结区与第一材料层堆叠，不但使第二材料层在衬底上的设置方法更为灵活，避免了现有技术中需要经过有机物辅助剥离及转移来实现两种材料的堆叠，而且还能够在对第二材料层进行图形化处理时，掩膜对第一材料层进行保护，因此，本发明提供的异质结光探测器的制备方法可实现低维材料异质结制备的灵活性和规模化的同时，还使得异质结制备与CMOS工艺兼容，降低了异质结的工业制备的门槛和成本。

摘要： 本发明涉及一种在液体中测量光的装置，该方法通过将至少一个发光探测器插入所述介质中，所述探测器包括：一与第一波导相连的发射器；一第二波导；以及包含在所述第二波导中的至少一个反射表面。本发明还涉及一种用于测量胶体介质的絮凝阈值的方法，该方法利用本发明装置阶段性添加非极性溶剂，包括在添加絮凝所必需的非极性溶剂量后用所述装置的至少一个探测器测定絮凝的步骤。本发明可用于沥青质。本发明还涉及所述装置在不透明介质中测定物理化学性质的应用。

摘要： 本发明公开一种光探测器、光探测器的制备方法及其响应度调控方法，涉及光探测器技术领域，以解决光探测器的响应度不具有非易失性的问题。所述光探测器包括：衬底。形成在衬底上的功能层。形成在功能层上的两个电极。形成在功能层位于两个电极之间的部位上的透光保护层。以及形成在透光保护层内的GST相变层。所述光探测器的制备方法包括上述技术方案所提的光探测器。本发明提供的光探测器的制备方法用于制备光探测器。

摘要： 本申请提供了一种量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器，该方法包括：提供受体基底，受体基底包括依次叠置的第一衬底层、第一Ge缓冲层、GexSi1‑x/Ge多量子阱层、P型Ge层以及交替设置硅化物材料层和第一Al2O3层的谐振腔结构；提供供体基底，供体基底包括依次叠置的第二衬底层以及第二Al2O3层；键合受体基底与供体基底；去除第一衬底层；在第一Ge缓冲层中注入离子形成N型Ge层。该方法中，通过设置谐振腔结构，有利于在器件内部形成光学谐振腔，增强其光学谐振腔效应，进而解决了现有技术中Ge材料光探测器对短波红外的响应度低的问题。

摘要： 本发明公开了一种异质结光探测器的制备方法及光探测器，其中，制备方法通过对经图形化处理的第一材料层上设置一层掩膜，并使掩膜覆盖在第一材料层除异质结区域之外的表面上，再在衬底设置第二材料层，并使第二材料层在异质结区与第一材料层堆叠，不但使第二材料层在衬底上的设置方法更为灵活，避免了现有技术中需要经过有机物辅助剥离及转移来实现两种材料的堆叠，而且还能够在对第二材料层进行图形化处理时，掩膜对第一材料层进行保护，因此，本发明提供的异质结光探测器的制备方法可实现低维材料异质结制备的灵活性和规模化的同时，还使得异质结制备与CMOS工艺兼容，降低了异质结的工业制备的门槛和成本。

摘要： 本发明涉及一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极及其制备方法，该叉指电极以特定的方向位于GaN微米线阵列表面，为肖特基接触的合金电极层，该合金电极层由依次层叠的金属肖特基接触层、金属加厚层、金属黏附层和金属抗氧化层组成；形状上，该叉指电极由高纵横比的双沟道三指头和一对方形pad图形组成，其中第一和第二指头分别连接至第一方形pad图形的两端侧，第三指头连接至第二方形pad图形的中部，第一方形pad图形和第二方形pad图形相对设置，第三指头设置于第一、第二指头之间。金属层的设置提升了其与GaN微米线之间的粘附力，器件的成品率高，且高的纵横比提升了器件响应度和响应速率，降低了暗电流。

摘要： 本实用新型公开了一种热释光探测器退火装置及包括其的热释光探测器，属于辐射剂量热释光测量领域，包括退火室和内置在退火室的样品托盘传送装置，退火室包括依次连通的进样室、加热室和冷却室，样品托盘传送装置用于将样品托盘按预设条件从进样室传送到加热室加热后再送到冷却室冷却；加热室内设有加热元件，冷却室内设有冷却元件。本实用新型可实现样品托盘的自动传送，能自动传送到加热室和冷却室，大大提高工作效率，不需要人为加盖加热和人为取出进行冷却，减少人为造成的污染和退火不准确，提高工作效率和退火效率，并减少因掀开加热炉盖造成温度骤然降低的发生，减少再次升温以及可能产生的错误，使样品托盘的加热和冷却更加准确、快捷。