光刻机

摘要： 几年前,美国发布的一纸芯片禁令,使我们国家光刻机的发展和光刻机的制造受到了很大的损失和限制,而如今,随着我们国家科技的不断发展,使中国也掌握了一项尖端技术,它就是3D打印技术,而且据目前的情况来看,这一项3D打印技术也只有我们拥有,并且,我们国家拒绝向外出售。

摘要： 2018年中美贸易争端等系列事件所引发的“缺芯”现象,令远在荷兰的一家名为阿斯麦的公司从只有业内人士知晓的“隐形冠军”企业成为行外人士都听闻过的“网红”公司。这是一家长期致力于光刻技术研发的企业,是全球最大的光刻机设备和服务提供商之一,尤其是在极紫外光刻机领域,处于垄断地位。我国正是由于缺乏这样的光刻技术,才会被“卡脖子”。这使得社会各界进一步思考“中国制造”的重要性和紧迫性,对深耕市场的关注也由此火热了起来。由于国外较早地培育中小企业并提出“隐形冠军”的概念,因此我们不妨先探寻德、美等国家的相关经验,再了解国内相对先进的省(区、市)的经验,以期为四川培育“专精特新”企业提供一些参考。

摘要： 在近期举行的一季度财报说明会上,全球光刻机巨头阿斯麦CEO彼得·温宁克表示,已经有一家大型工业集团开始购买洗衣机,并将其中的半导体拆出来,用于自己的芯片模块。一边是缺芯消息时不时爆出,一边是芯片股股价大跌。截止4月26日盘中,今年年初以来,半导体(申万)指数跌幅超38%,芯片ETF(159995)盘中跌破1元大关。

摘要： 上海微电子首台2.5D/3D先进封装光刻机正式发运日前,上海微电子装备(集团)股份有限公司(以下简称“上海微电子”)举行首台2.5D/3D先进封装光刻机发运仪式,这标志着中国首台2.5D/3D先进封装光刻机正式交付客户。据介绍,此次发运的产品是上海微电子新一代的先进封装光刻机,主要应用于高端数据中心高性能计算(HPC)和高端AI芯片等高密度异构集成领域,可满足2.5D/3D超大芯片尺寸的先进封装应用需求,对丰富上海微电子的产品种类有着重要意义。

摘要： 张玉卓赴北京市经济技术开发区、中国电科四十五所调研7月22日,中国科协党组书记、分管日常工作副主席、书记处第一书记张玉卓赴北京市经济技术开发区和中国电科四十五所调研。中国电科董事、党组副书记李守武,副总经理何松,北京经开区管委会副主任刘力分别陪同调研。张玉卓先后参观了北京经开区亦庄新城规划展、改革创新展和中国电科集成电路核心装备成果展、集成电路核心装备产业化装配现场、光刻机整机调试现场和光刻机装配调试净化间,深入了解了北京经开区的发展状况、半导体制造关键设备的研发情况和国产光刻机产业的发展脉络。调研中,张玉卓一行就北京经开区党建工作与发展规划、半导体制造的电子元件设备、分子束外延生长系统等方面与一线科技工作者进行深入交流。

摘要： 张玉卓赴北京市经济技术开发区、中国电科四十五所调研,7月22日,中国科协党组书记、分管日常工作副主席、书记处第一书记张玉卓赴北京市经济技术开发区和中国电科四十五所调研。中国电科董事、党组副书记李守武,副总经理何松,北京经开区管委会副主任刘力分别陪同调研。张玉卓先后参观了北京经开区亦庄新城规划展、改革创新展和中国电科集成电路核心装备成果展、集成电路核心装备产业化装配现场、光刻机整机调试现场和光刻机装配调试净化间,深入了解了北京经开区的发展状况、半导体制造关键设备的研发情况和国产光刻机产业的发展脉络。

摘要： 集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中对集成电路光刻机中精密运动台的控制方法进行了综述。首先,介绍了面向光刻机工件台或掩模台单一运动台的前馈反馈复合控制方法;其次,介绍了工件台和掩模台的同步控制方法;最后,介绍了运动台的主动减振控制方法。

摘要： 精密计量是现代科学的基石,也是实施许多尖端制造及重大工程的保证。精度的每次提高不仅促进了科学发现和突破,增进了人们对自然科学规律的认识,也推动了人类文明和现代化的发展进程。近年来,引力波的成功测量、光刻机的重要应用、高铁及航天航空事业的巨大进步等,无不与精密计量密切相关。可以说没有精密计量技术的发展,人类社会就不会有今天的科学成就及现代技术带来的新文明。

摘要： 如果说2019年整个半导体行业开始快速发展,在芯片行业耕耘多年的元禾璞华投委会主席陈大同看来,2020年整个产业在危难中迎来了新机会。华为事件的影响下,原本对国产芯片封闭的工业.通信基站等中高端市场都已打开,这无疑推动了整个国产半导体行业的发展,其中也包括大家关注的光刻机。

摘要： 随着美国对华禁令的升级,华为公司面临着“无芯可用”的困境。而“芯”指的就是“芯片”。芯片制造,“光刻机”是绕不开的终极神器。可以说,没有光刻机就没有芯片。若干年来,依赖无数人才的奋力追赶,中国的芯片设计和制作工艺,发展得并不慢。芯片之难,实则难于芯片制造。

摘要： 采用Modelica语言,建立光刻机超精密工件台仿真模型库,并在Mworks平台上进行联合仿真.仿真结果验证了模型的正确性,表明工件台的定位精度符合光刻机的设计要求.该仿真模型库包括直线电机模型、工件台动力学模型、PID控制器模型、逆变器模型等子模型,还可进行轨迹规划算法的比较分析,为光刻机超精密工件台的设计和改进提供了重要的分析工具和方法.

摘要： 随着光刻机技术的发展，特征线宽尺寸减少到纳米级，对光刻机对准系统提出了更高的对准精度的性能指标。对准系统是光刻机最精密复杂的部分，不同的工艺条件，尤其是不同的衬底材料对对准系统的精度都会产生显著影响。阐述了Nikon步进投影光刻机的二种对准方式：激光步进对准(LSA)和场像对准方式(FIA)。并讨论了铝与氮化硅衬底材料对二种对准方式的精度影响，为工业应用提供一定的指导作用。

摘要： 本文首先简要介绍了URE-2000S系列双面光刻机的研制背景及总体性能,然后着重介绍了URE_2000S系列双面光刻机的工作原理、系统组成及结构特点.

摘要： 本文分析了光刻机中采用的几种投影物镜的结构型式,比较了各自的优缺点,指出目前光刻机中采用全折射投影物镜作为主流结构型式的原因.

摘要： 本文对用于光刻机投影物镜温度控制的热交换循环水恒温系统进行了设计研究.该系统由加热水箱、制冷模块、循环管路系统、PID控制器构成.为实现超精度水温控制,采用半导体制冷模块和加热水箱共同作为温控执行器,对其进行热-流耦合仿真分析并优化相关结构参数.最后搭建试验样机,模拟物镜热负载进行循环水温度控制实验,实验结果表明该系统稳定且热响应速度快,循环水温度响应曲线最终达到设定温度并在±0.01°C范围内波动.

摘要： 纳米级的光刻机需要考虑噪声振动的影响,工件台和掩膜台刚体运动产生的噪声可能会对光刻机动态性能指标产生影响.运动台大位移运动使光刻机内部声腔及声源位置随时间变化,为典型的非线性现象.本文通过动网格模拟这种非线性现象,井通过将声场和结构场耦合,计算运动台刚体运动噪声声对结构的振动响应.

摘要： 光刻机的工件台是高动态精密伺服运动平台，它要求在系统高速运动的同时，采用长行程直线电机宏动跟随音圈电机高精密微动的驱动方式，实现系统纳米级的精确定位及跟踪。为减小微动电机的运动范围和加速度，必须提高直线电机的跟踪精度。本文针对该系统的直线电机模型设计了一种线性自抗扰控制方法，该方法的控制器通过扩张状态观测器观测系统的动态变化，补偿系统中的各种扰动，为减小系统的动态跟踪误差，再运用前馈对系统的跟踪误差进行补偿。在此复合控制方式下，控制器实现了自抗扰控制，前馈控制器很好的补偿了误差，很好地解决了一般反馈控制系统在提高控制精度与确保系统稳定性之间存在的矛盾。实验表明，该方法改善了系统的动态性能和抗干扰能力，提高了系统的定位精度。

摘要： 分别从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对193nm与x射线光刻技术进行了对比分折,介绍了目前它们的一些进展情况,并对它们的应用前景进行了简要分析。

摘要： 本文针对分辨率为100nm 的ArF光刻机，对100nm 密集线条，在特定的投影物镜条件下，考虑环形照明和Quasar 照明系统，应用仿真软件PROLITH 8，分别在给定的光学焦深条件下，分析NILS随掩模台和承片台的运动标准偏差的变化趋势。以及在给定的NILS条件下，分析掩模台和承片台的运动标准偏差对DOF 的影响。研究掩模台和承片台的运动标准偏差对空气中成像质量的影响。研究结果表明，当掩模台和承片台的运动标准偏差大于12nm 时，在环形照明条件下，当光学焦深为0.5μm 时，NILS小于0.9，在Quasar照明条件下，当光学焦深为0.5μm 时，NILS 小于1。如果既要保证学焦深为0.5μm，同时NILS 要求>1.0，那么，掩模台和承片台的运动标准偏差应该小于10nm。

摘要： 本文利用磁悬浮技术将工作台悬浮在导轨上,消除了摩擦和磨损,采用直线电机无接触驱动实现了工作台的精密定位.针对微电子行业IC芯片制造设备如光刻机的磁悬浮精密定位工作台进行了CAD结构设计,有限元电磁场分析,在采用有限元软件Ansys进行磁悬浮系统电磁场分析的基础上,将磁力计算结果调入CAE软件MSCPATRAN/NASTRAN中,磁力计算与结构力学综合分析计算,合理地评价了磁悬浮移动平台的性能.进行了磁悬浮工作台的模态测试,模态测试结果与有限元分析结果相符合,证明了文中的建模方法及分析计算结果是正确的.通过有限元分析与模态测试,找出了薄弱环节,对结构进行了改进.

摘要： 本发明为一种用于立体光刻机(1)的盒(2；30；31；32；33)，盒(2；30；31；32；33)包括支承结构(34)、容器(3)、第一贮存器(5)、第二贮存器(5a)和给送装置(8)，其中，支承结构(34)适于与立体光刻机(1)以可移除的方式相关联；容器(3)设置有进入开口(4)并且与支承结构(34)相关联；第一贮存器(5)与支承结构(34)相关联以用于容纳液态的或糊状的第一材料(6)，第一材料(6)适于在暴露于预定辐射(7)之后固化；第二贮存器(5a)与支承结构(34)相关联以用于容纳与第一材料(6)不同的液态的或糊状的第二材料(6a)；给送装置(8)与支承结构(34)相关联以从贮存器(5，5a)向容器(3)输送第一材料(6)和第二材料(6a)。

摘要： 本发明涉及一种用于光刻机测试的套刻测试图形，包括内侧图形区域和外侧图形区域，内侧图形区域包括两条内侧条状图形，外侧图形区域包括两条外侧条状图形，两条内侧条状图形各与两条外侧条状图形中的一条平行；内侧图形区域和外侧图形区域中至少有一条状图形包括多条相互平行的分割条，多条相互平行的分割条两两之间形成多个间距，间距逐渐递增或递减，最宽的间距大于待测光刻机的最小分辨率，分割条的宽度大于待测光刻机的最小分辨率。本发明还涉及一种光刻机的测试方法。本发明通过测试套刻测量值来间接得到光刻机的WIS分辨率和最佳焦距。因为套刻测试仪价格便宜，不是生产中的关键瓶颈设备，因此提高了生产效率，降低了生产成本。

摘要： 本发明为一种用于立体光刻机(1)的盒(2；30；31；32；33)，盒(2；30；31；32；33)包括支承结构(34)、容器(3)、第一贮存器(5)、第二贮存器(5a)和给送装置(8)，其中，支承结构(34)适于与立体光刻机(1)以可移除的方式相关联；容器(3)设置有进入开口(4)并且与支承结构(34)相关联；第一贮存器(5)与支承结构(34)相关联以用于容纳液态的或糊状的第一材料(6)，第一材料(6)适于在暴露于预定辐射(7)之后固化；第二贮存器(5a)与支承结构(34)相关联以用于容纳与第一材料(6)不同的液态的或糊状的第二材料(6a)；给送装置(8)与支承结构(34)相关联以从贮存器(5，5a)向容器(3)输送第一材料(6)和第二材料(6a)。

摘要： 本发明提供一种投影式光刻机的光源结构、投影式光刻机及光刻工艺，光源结构包括：第一光源，用于产生适于投影式光刻机的第一波长的第一光线；第二光源，用于产生第二光线，其包含第二波长至第三波长之间的一种或两种以上的子光线，第二波长小于第一波长且小于第三波长，第三波长小于第一波长，子光线的波长范围比第一波长小5%~20%；光源耦合器，用于耦合第一光线和第二光线，产生耦合的第三光线包含第一波长和第二波长至第三波长之间的子光线。本发明在无需额外修改工艺或对光刻系统的其他部件进行改动的情况下，该第三光线可以使得光刻机对关键尺寸较小的掩膜图形也有较强的曝光光强投射，从而使光刻机的图案分辨率和对比度大大提高。

摘要： 本发明属于光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机及其气压控制及监测系统和方法，光刻机气压控制及监测系统包括全量程真空规组件、薄膜真空规组件和真空泵组。全量程真空规组件包括分别设置于主腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室的全量程真空规；薄膜真空规组件包括分别设置于主腔室、照明光学腔室、投影光学腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室的薄膜真空规；真空泵组包括主腔室真空泵、硅片台腔室真空泵、硅片传输腔室真空泵和掩膜传输腔室真空泵。本发明的光刻机气压控制及监测系统能够对光刻机的整个工作过程进行实时监测，并且能够在工艺操作期间精确地测量各个腔室的工艺气压。

摘要： 本发明属于光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机及其污染控制系统和方法，光刻机的污染控制系统包括高纯清洁气源、纯化器、照明光学腔室气体装置、主腔室气体装置、投影光学腔室气体装置、硅片台腔室气体装置和真空泵组，各个气体装置分别包括各自的流量控制器和配气管道，各配气管道包括多个管道支路，用于对经由各自的流量控制器输送至相应腔室的清洁工艺气体进行分配。本发明的光刻机的污染控制系统能够调节输送至各个腔室的工艺气体流量，使得各个腔室形成合适的气压梯度，并通过真空泵组从相应腔室抽气，使光刻机内部形成工艺气流场，从而将污染物排出到光刻机外部。

摘要： 本发明公开了控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机，直写式光刻机包括空间光调制器件，方法包括：获取原始光刻图形；获得用于本次曝光的形变后光刻图形，并提取其中的第二特征图形数据单元；查询预存的数据仓库；确定数据仓库中存在同类型的目标形变后光刻图形；将第二特征图形数据单元与数据序列中的第三特征图形数据单元进行比对；确定存在与第二特征图形数据单元可相互替换的目标第三特征图形数据单元，将对应的空间光调制器件所需数据转换为第二特征图形数据单元对应的空间光调制器件目标数据；控制直写式光刻机的空间光调制器件。本发明的控制直写式光刻机的方法处理时间短，可通过软件实现对数据的处理，提升了直写式光刻机的产能。

摘要： 本申请提供了一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，属于光刻机技术领域，具体包括：制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；量测第一量测图形和第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对晶圆进行第二层曝光；量测第一层的图形与第二层的图形的位置偏差值B；根据位置偏差值A和位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；将位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。通过本申请的处理方案，提高了芯片的良率。

摘要： 本发明公开了一种光刻机照明系统及光刻机，光刻机照明系统包括密封模块、位移装置和激光器，密封模块内设置有入射窗，入射窗可移动地设置在密封模块中；位移装置与入射窗连接以带动入射窗沿设定方向移动；激光器与密封模块连接，激光器发出的激光经入射窗进入密封模块内。当入射窗的部分区域由于激光的长时间照射产生缺陷时，位移装置可以带动入射窗移动，从而使入射窗的其他没有缺陷的区域移动至供激光通过的部位。由此，本发明提出的光刻机可以多次使用同一入射窗，无需频繁更换入射窗，延长了入射窗的使用寿命，且节约资源，解决了现有技术中需要频繁更换入射窗导致的浪费资源以及影响产品生产效率的问题。

摘要： 本发明提供一种光刻机扫描系统及刻机扫描系统远心异常校准方法，所述光刻机扫描系统通过在第一光源组件和可变狭缝组件之间设置用于发出第二出射光的第二光源组件，并在第二光源组件发出第二出射光，且测量单元被第二出射光照射到时，测量第二出射光照射到第一测量组件上形成的光斑的中心位置，以计算得到照明组件的远心。如此一来，通过在光刻机扫描系统中引入用于测量远心的第二光源组件，以避免使用用于光刻的第一出射光进行照明组件远心测量而导致的干扰问题。同时，可直接在光刻机扫描系统中完成远心的测量，以提升远心的测量和校准效率。