光刻技术

摘要： 2018年中美贸易争端等系列事件所引发的“缺芯”现象,令远在荷兰的一家名为阿斯麦的公司从只有业内人士知晓的“隐形冠军”企业成为行外人士都听闻过的“网红”公司。这是一家长期致力于光刻技术研发的企业,是全球最大的光刻机设备和服务提供商之一,尤其是在极紫外光刻机领域,处于垄断地位。我国正是由于缺乏这样的光刻技术,才会被“卡脖子”。这使得社会各界进一步思考“中国制造”的重要性和紧迫性,对深耕市场的关注也由此火热了起来。由于国外较早地培育中小企业并提出“隐形冠军”的概念,因此我们不妨先探寻德、美等国家的相关经验,再了解国内相对先进的省(区、市)的经验,以期为四川培育“专精特新”企业提供一些参考。

摘要： 《北京2022年冬奥会——竞赛场馆》作为本届冬奥会系列邮票之一,通过场馆建筑之美,向世界展示北京冬奥会风采。小型张"国家速滑馆"(别名:"冰丝带"),是中国发行的第1枚椭圆形邮票小型张,首次应用菲涅尔透镜微纳光刻技术,营造出"冰丝带"在阳光下的律动感,还将国家速滑馆建设剩余玻璃材料经过特殊工艺加工成50微米的可用颗粒掺入红色雕刻油墨中,制作成"冰丝带特种油墨",在放大镜观察下,玻璃物质在以雕刻版印出的红色"速度滑冰"体育图标中隐约可见。

摘要： 表面增强拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)是一种振动光谱技术,可直接识别目标分析物。在分析应用中,SERS信号的重现性极其重要,而这在很大程度上取决于SERS基底结构的均匀性。目前,SERS基底的重现性一直是制约该技术在分析测试中广泛应用的瓶颈,规则排列的纳米结构构成的有序化SERS基底的可控制备是该领域发展的前沿和趋势。本文就SERS基底的有序化制备方法及其应用进行了总结,分析了自组装法、光刻技术和模板辅助法所制备的有序SERS基底的特征、有序性形成原理和在分析测试中应用的可行性,为拓展SERS的实际应用提供一定的参考。

摘要： [研究目的]基于专利数据系统、客观地识别关键核心技术,有助于丰富关键核心技术的识别方法,帮助中国更加科学的实施战略布局。[研究方法]在界定关键核心技术概念的基础上,提出一种基于专利共类的关键核心技术识别方法。首先依据技术的共现度大小,筛选热点技术作为研究对象,通过技术相似度、技术影响力和技术增长潜力率识别核心技术和潜力技术,在此基础上,借助社会网络分析法,以核心技术和潜力技术为节点,共现强度为边,计算结构洞并排序,选取排名前20位作为关键核心技术。[研究结论]以光刻技术为例进行案例研究,结果显示微生物或酶、光学元件、对表面涂布流体的一般工艺等技术是光刻技术领域的关键核心技术,有助于中国掌握技术发展趋势、合理配置资源、获取竞争优势。

摘要： 纳米流体是指流体在特征尺寸小于100 nm的通道或孔中流动呈现超快水运输、表面电荷控制离子传输等独特的物理行为。该现象的有效利用在生物、能源相关领域展现出巨大的潜力,因而引起人们的广泛关注。近年来,随着纳米流体通道制造技术的飞速发展,利用其进行能源转化取得了空前的增长。本文综述了纳米流体通道的主要制备方法,介绍基于纳米光刻、微电子机械系统技术(MEMS)、纳米材料三类常规制备策略以及其他非常规纳米流体通道制备方法,随后讨论了纳米流体通道在盐差能转换、刺激相应门控、离子检测、单分子传感、海水淡化领域的重要应用研究,最后,对当前利用纳米流体材料的制备方法及未来研究方向面临的挑战和机遇进行讨论,比如高成本、可靠性和稳定性有待提高等。

摘要： 以专利家族为研究视角,阐述技术路径动态演化过程中的路径依赖。专利家族自引会对技术主路径造成干扰,通过对主路径进行调整,提出一种修正技术主路径的新思路。研究发现:光刻技术在“投影对准和曝光系统—浸没式投影物镜—浸没式光刻材料—光刻胶”4个阶段经历了“路径消解—路径产生与路径依赖—路径消解与突破”的动态演化过程。在此过程中,以荷兰阿斯麦、德国蔡司和日本东京电子为代表的专利家族发挥重要作用。其中,以阿斯麦为核心的利益联盟垄断核心技术,强化光刻技术发展的路径依赖作用,占据市场领先地位。研究结论有助于深化对路径依赖理论的认知,通过揭示光刻技术路径演化过程及企业演化格局,为后发国家突破技术路径依赖提供实践启示。

摘要： 简介了光刻技术及其国内外发展现状,分析了我国光刻技术面临的挑战,从光刻胶、光刻机、政策和人才等4个方面提出了解决思路.

摘要： 表面增强拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)技术,相对于传统的拉曼光谱具有选择性好、前处理简单和抗干扰能力强的特点,而且极大地提高了检测灵敏度.经过近二十年的发展,该技术己广泛应用于化学、环境科学和生物医学等众多领域.SERS技术的根本是有效地放大被测物质的拉曼信号,其核心是SERS基底.这里将对化学检测中常见的金属SERS基底(金、银和铜材料)及其未来发展方向进行概述.

摘要： 日前,上海新阳发布公告,宣布其自主研发的KrF(248nm)厚膜光刻胶产品已通过客户认证,并成功 取得第一笔订单。上海新阳表示,KrF(248nm)厚膜光刻胶产品的开发和产业化是其第三大核心技术-- -光刻技术的重要方向之一,本次产品认证的通过及订单的取得,标志着“KrF(248nm)厚膜光刻胶产品的 开发和产业化”取得了成功,为其在光刻技术领域目标的全面完成奠定了坚实基础。

摘要： 芯片是什么?它是半导体元件产品的统称,又称集成电路,人们生活中接触的电子产品都有芯片的存在。制作一枚芯片,流程为:芯片图纸设计--晶片制作--封装测试。其中,晶片制作最为复杂,需要经过制作打磨硅锭、切片成晶片、涂膜光刻、蚀刻、掺加杂质、晶圆测试、封装测试等过程。当前,我国“缺芯”问题较为突出,究其原因,受新冠肺炎疫情影响导致的上游材料短缺和不少厂家被迫暂时关闭工厂导致生产力不足都只是暂时性的,真正的困难是技术限制,而其中最主要的就是光刻技术。

摘要： 本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程及发展趋势,对光刻技术在集成电路和半导体分立器件的微细加工以及印刷电路板、平板显示器、触摸屏、LED等制作过程中的应用进行了概述.并重点围绕光刻胶在非集成电路制造中的应用,对其反应机理、应用性能等进行了阐述.同时还对光刻胶的市场现状及前景做了一定分析.

摘要： 本文利用光刻技术和各种光栅模版自行设计制作不同规格类型的光栅,并研究其性能改善方法,在制作好的光栅基础上进行衍射率估测,双光栅测折射率,空间滤波假彩色编码等检验光刻光栅的性能.

摘要： 文章介绍了中国IC制造业的机会，阐明光刻技术是实现晶体管微缩的关键，其就像照片放大机的原理，光刻技术将IC电路图印在晶圆上。

摘要： 随着微电子工业的蓬勃发展,集成电路向着更高分辨率的方向迈进,运用底部抗反射涂层有效地消除光刻胶技术中的驻波效应、凹缺效应,提高临界尺寸均一性和图案分辨率,引起了广大研究者的关注.本文简要介绍了光刻胶和光刻技术,底部抗反射涂层的分类、基本原理、刻蚀工艺以及其发展状况.重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了总结,尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究.最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望.

摘要： 极紫外光刻技术被认为是下一代最有潜力的光刻技术,对推动集成电路发展具有重要作用.极紫外光源是极紫外光刻技术的源头,其技术水平直接制约了光刻技术的发展.气体放电等离子体极紫外光源结构简单,转换效率高,适合大规模工业应用,具备良好的应用前景.现有气体放电等离子光源包括毛细管放电等离子体极紫外光源,激光辅助等离子体极紫外光源,等离子聚焦极紫外光源和中空阴极管放电等离子体极紫外光源.近年来,极紫外光光刻技术工业化进展较快,对气体放电等离子体技术进行综述,掌握最新研究进展有助于推动我国相关领域研究。

摘要： 构建一种RGD掺杂聚吡咯膜修饰的铟锡氧化物(PPy/RGD-ITO)微电极,验证其作为电子学检测系统和细胞生物学系统间耦合界面的适宜性.ITO微电极采用光刻技术制备.以RGD多肽作为掺杂剂,通过电化学聚合方式在ITO微电极表面沉积PPy/RGD膜制备PPy/RGD-ITO微电极.通过人肺癌细胞株A549铺展、粘附及增殖实验考察PPy/RGD膜细胞生物相容性.以PPy/RGD-ITO微电极作为电子学系统传感界面,通过电化学阻抗谱技术对A549细胞增殖及天然药物分子重楼皂苷I的细胞毒性进行检测.结果表明,PPy/RGD膜能有效地支持A549细胞的铺展、粘附和增殖.PPy/RGD-ITO作为电子系统传感界面可解析细胞增殖过程中细胞质膜电容、细胞-细胞间隙电阻、细胞-聚吡咯膜间隙电阻变化,同时可定量分析重楼皂苷I的浓度与细胞毒性间的关系.

摘要： 本论文基于x射线光刻技术，在硅基板上制备PMMA减反射结构。采用在硅基板与PMMA光刻胶之间，增加一层粘结剂的方法，可以防止显影后的微结构的倒伏或粘连。用SEM观察得出制备的微结构的周期为300nm，高度为300纳米左右的PMMA亚波长结构。此结构可作为减反射结构，用于太阳能电池中。这种方法的最大优点是工艺可靠，可大面积制备，制成金属模具后可实现大规模的亚微米压印.对于亚微来减反射赤向实用具有重要意义。

摘要： 利用光刻技术与电化学技术相结合,制备了平面叉指电极,并创新性的利用该叉指电极作为电形成法制备磷脂泡囊的电极体系,成功制备出蛋黄卵磷脂的巨型磷脂泡囊.实验结果表明电形成法制备磷脂泡囊时,所用的电极不一定是双面、对立的.此外,通过交流电场的调控对泡囊的形成进行了深入研究.在f=l0Hz、l04Hz的频率范围,Epp=0.5V、10V的电压范围内均有泡囊生成.其中,当电压固定时,泡囊的直径随着频率的升高而逐渐降低.频率固定时,泡囊的直径随着电压的升高逐渐增大,在Epp=5V时达到最高点后,随着电压的逐渐增大,其直径反而呈现逐渐减小的趋势.在过低或过高的极端电压下会出现不规则泡囊或多层结构泡囊.当交流电场Epp=5V,f=l0Hz,温度为36°C,时间为60ain时,生成巨型磷脂泡囊的直径大多在20、40μm之间,泡囊尺寸均匀,形态良好.

摘要： 为了追求光泵气体THz激光器更高的输出功率和更好的光束质量,设计制作了复合型金属网栅耦合输出镜.描述了复合型金属网栅输出镜相比常用小孔输出镜的优势,详细描述了它的结构,研究了金属网栅的理论模型,根据计算和之前的研究结果,得到结论随着金属网栅线宽之比2a的增大,金属网栅的THz波透过率增大.选择g/2a=76μm/20μm和g/2a=76μm/10μm两组参数制作了复合型金属网栅耦合输出镜,并利用远红外傅里叶光谱仪测试其THz透过率.

摘要： 为了追求光泵气体THz激光器更高的输出功率和更好的光束质量,设计制作了复合型金属网栅耦合输出镜.描述了复合型金属网栅输出镜相比常用小孔输出镜的优势,详细描述了它的结构,研究了金属网栅的理论模型,根据计算和之前的研究结果,得到结论随着金属网栅线宽之比2a的增大,金属网栅的THz波透过率增大.选择g/2a=76μm/20μm和g/2a=76μm/10μm两组参数制作了复合型金属网栅耦合输出镜,并利用远红外傅里叶光谱仪测试其THz透过率.

摘要： 一种用于利用计算机模拟技术优化光刻装置的照明条件的方法，所述光刻装置包括一个照明器和一个投影系统，所述方法包括：确定要印刷在基底上的光刻图案；选择模拟模型；选择照明器的光瞳平面中的一格栅的源点；计算个别源点的单独响应，每个响应表示一个或一系列使用模拟模型的模拟结果：以及在单独计算值累计结果的分析基础上调节照度分布。其中选择模拟模型的步骤包括，选择一种用于在基底上印制图案的抗蚀方法，并选择一个抗蚀模型，所述抗蚀模型是能预测实验结果的标准模型。本发明还提供一种执行上述方法的光刻投影装置、具有机械可执行命令编码的机械可读媒介、以及设备的制造方法。

摘要： 本发明涉及一种适于在10－165nm使用的光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包括：(a)高分子粘合剂(b)光活性化合物(c)溶解抑制剂，所述溶解抑制剂包括至少(i)两个芳基、(ii)氟和(iii)经保护的酸基，当未经保护时，所述酸基的pKa＜12。优选的溶解抑制剂是任选经保护的双苯酚衍生物，其中所述桥碳原子用氟化脂族基取代。

摘要： 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种可消除碳掺杂二氧化硅材料(SiOC∶HsiOC∶H)在单大马士革(Single Damascene)光刻中光刻胶毒化的工艺。具体是在SiOC∶H表面用PECVD方法淀积一薄层SiO2，然后进行光刻、刻蚀，在后续的CMP过程中，将薄氧层去掉。

摘要： 一种光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化之方法，用于光刻技术图案化之方法包括以下步骤：提供基板；在此基板之上形成材料层；将此材料层的一部分暴露于辐射；且在显影剂中移除此材料层的一未暴露部分，产生图案化材料层。显影剂具有大于1.82的Log P值且含有有机溶剂。在一实施例中，有机溶剂为由化学式CH

摘要： 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。

摘要： 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。

摘要： 本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及尤其涉及一种适用于双重光刻技术的版图拆分方法、适用于双重光刻技术的版图拆分装置及电子设备，本方法包括如下步骤：提供包括多个掩模图形的初始版图；基于第一拆分规则将多个掩模图形拆分为有冲突图形和无冲突图形；基于第二拆分规则将有冲突图形分为第一部分掩模图形和第二部分掩模图形；基于第三拆分规则将无冲突图形分为第一尺寸掩模图形和第二尺寸掩模图形；分别将第一尺寸掩模图形和第二尺寸掩模图形中的其中一部分与第一部分掩模图形合并以获得第一版图、另一部分与第二部分掩模图形合并以获得第二版图，本发明提供的方案具有拆分速度快，拆分之后的两个版图形成的掩模曝光成像分辨率高的优点。

摘要： 一种光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化之方法，用于光刻技术图案化之方法包括以下步骤：提供基板；在此基板之上形成材料层；将此材料层的一部分暴露于辐射；且在显影剂中移除此材料层的一未暴露部分，产生图案化材料层。显影剂具有大于1.82的Log P值且含有有机溶剂。在一实施例中，有机溶剂为由化学式CH

摘要： 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。

摘要： 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。