传感器件

摘要： 由于水凝胶电解质的力学性能差且水在低温下会结冰,限制了水凝胶电解质在储能器件和电子导体方面的应用。加入大豆分离蛋白,以丙烯酰胺和甲基丙稀酰乙基磺基甜菜碱为单体,在二甲基亚砜/H;O的混合溶液和氯化锂的存在下,通过自由基聚合制备了高力学性能、高导电性的防冻有机水凝胶。其具有良好的电导率(最高37.5 mS/cm)、良好的力学性能(最大应力69 kPa,最大应变762.5%)、优良的韧性和抗疲劳性能,对应变和温度具有良好的响应性、宽的传感窗口及稳定性,具有应用于传感器领域的潜力。另外,所制备的超级电容器在20°C和-20°C均表现出良好的电化学性能,20°C时,0.2 A/g电流密度下,超级电容器的比电容为62.1 F/g,5 A/g的高电流密度下,比电容仍有30 F/g;同时具有良好的抗冻性能和循环稳定性,-20°C时,0.5 A/g电流密度下,超级电容器循环10000圈后仍能保持20°C下容量的92%。

摘要： 建筑物着火,往往危及其内部人员的生命安全,撤离时必须分秒必争。早期疏散对于人员的安全至关重要,为了最大程度地提高安全撤离的效率,人们需要尽快知晓有警报发生,这就需要火灾探测系统发挥作用。新型可寻址火灾报轚装置欧洲在火灾探测报警技术方面一直处于领先地位,19世纪末,英国最早利用金属受热膨胀的原理制造出感温传感器件。

摘要： 压力变送器是现代工业控制领域中一类精密的传感类器件,在水利工程、轨道交通工程、智慧建筑、工业控制、石油化工、船舶制造以及航空航天等产业中具有十分广泛且重要的应用。本文介绍了压力变送器的分类与工作原理,分析了压力变送器在安装与使用过程中较为常见的一些故障类型,针对性地给出了故障解决办法,旨在能够提高压力变送器在应用中的可靠性。

摘要： 化学、力学、磁学等各类传感器件是未来智能化机械设备、高精度机床及智能机器人等高端工业设备必不可少的元器件,传感器的灵敏度和精确度决定了这些设备的技术水平和性能。

摘要： 近年来,基于光学微腔力光耦合量子效应的新型传感器件,由于其极高的传感检测精度,并且还具备微纳芯片化集成制造的潜力,逐渐引起了科学家们的关注。新型的光学材料及高精度微纳制造技术的飞速发展,使光学微腔具备了低损耗、超高Q值和高能量密度的特点,可以极大增强光与物质的有效作用时间与空间,在几厘米甚至更小的有限的空间实现传统几公里甚至几十公里光纤结构所能实现的传感与测量精度。因此,基于该技术的新型传感器件兼具了光学传感器的高精度以及MEMS传感器的低成本、小体积的优势,是新一代传感器件发展的重要方向之一。

摘要： 中国科学技术大学俞书宏院士团队成功研制出一种兼具高度可压缩性和可拉伸性的超弹性全碳多孔材料“碳弹簧”,其独特的微观结构和性能使其成为制造智能振动和磁性传感器件的理想材料,所获得的传感器件甚至能够在极端温度环境下(-100~350°C)有效地发挥作用。此前,该团队受人类“足弓”的宏观弹性拱形结构启发,借助他们发展的双向冰模板技术,成功构筑了由微拱结构单元有序堆叠构成的全碳多孔材料,实现了高度可压缩性和超弹性。

摘要： 近日,中科院院士、中国科学技术大学教授俞书宏团队研制出一种兼具高度可压缩性和可拉伸性的超弹性全碳多孔材料,研究人员称其为"碳弹簧"。其独特的微观结构和性能使其成为制造智能振动和磁性传感器件的理想材料,所获得的传感器件甚至能够在极端温度环境下(-100°C到350°C)有效地发挥作用。此前,该团队研究人员受人类"足弓"的宏观弹性拱形结构启发,借助他们发展的双向冰模板技术,构筑了由微拱结构单元有序堆叠构成的全碳多孔材料,实现了高度可压缩性和超弹性。

摘要： 使用溶胶-凝胶法制备并在900°C煅烧6 h获得了NiFe_(2)O_(4) 粉体,用于制备敏感电极。采用流延技术制备了5YSZ膜和Al_(2)O_(3) 膜,并在膜上分别丝网印刷了参比电极和加热电极,将它们叠层并在1 480°C烧结后,再印刷NiFe_(2)O_(4) 敏感电极并在1 150°C烧结,最终获得了电势型NH_(3)传感器件。在11 V、13 V和15 V的加热电压下测试了器件的NH;响应性能,响应性能在13 V和15 V时较稳定,NH;敏感度分别为-47.24 mV/decade和-28.57 mV/decade。并在13 V加热电压下研究了器件对320×10^(-6) 和200×10^(-6) NH_(3)混入不同浓度NO_(2) 后的响应信号,发现测试气氛中NH_(3)浓度较高时的抗NO_(2) 信号干扰能力较强。还在此加热电压下研究了氧气浓度由10%变化到7%、4%和14%时器件对320×10^(-6) NH_(3)的响应信号,发现氧气浓度低时的响应信号变化率较大。

摘要： 中国科学技术大学获悉,该校俞书宏院士团队成功研制出一种兼具高度可压缩性和可拉伸性的超弹性全碳多孔材料,研究人员称其为“碳弹簧”。其独特的微观结构和性能使其成为制造智能振动和磁性传感器件的理想材料,所获得的传感器件甚至能够在极端温度环境下有效地发挥作用。该研究成果日前发表在《先进材料》上。

摘要： 设计理念合肥京东方医院以简约、高科技、疗愈花园的理念进行设计,注重患者体验,致力于为合肥建设一所世界一流的智能化医院。作为一家核心业务为显示和传感器件、智慧系统的高科技公司,京东方的目标是将其健康服务业务(包括医院建设、小型医疗器械研发等)发展为未来的主营业务。合肥京东方医院采用智能系统、信息集成和科技化护理等技术,以实现世界一流高科技医院的目标。合肥京东方医院从屋顶到地面的多处花园设计,以可持续场地连接了室内和室外空间,自然舒适的空间氛围兼顾了患者、家属和医护人员的体验。应用循证设计,建筑师将空间功能和组织流线进行适当融合与隔离,团队致力于为病人及访客营造高品质的、安全有效的医疗环境,同时也为医护人员提供优良的工作环境。

摘要： 导电高分子自从发现以来已经有三十多年的历史。关于这类材料的制备、结构与性能表征以及导电机理的研究已经成熟,取得了大量实验与理论积累。在此基础上,材料的应用一直是人们关注的课题。导电高分子微/纳米结构材料在现代技术应用中尤为重要。本文主要介绍本研究小组近年来在导电高分子微纳米结构及其在传感器件,太阳能电池和电驱动器件等方面的应用。

摘要： 该文简单介绍了扫描WQUID显微镜的原理和基本结构，同时提出三种用于显微镜的传 感器件(SQUID)的设计与制备工艺。

摘要： 近年来，项目组发展了一种Si衬底上免催化剂生长平面阵列结构的GaN基纳米线的方法，这一生长方法将湿法化学刻蚀技术和金属有机气相外延(MOCVD)技术结合，利用GaN基材料在Si不同晶面的异向外延特性，在不引入催化剂的前提下，合成高晶体质量、大纵横比的纳米线，并研究了其相关性能。 项目组通过优化Si衬底表面图形，调节生长参数，可以控制纳米线的形貌结构，并制备出了尺寸、密度和发光波长可控的GaN基纳米线阵列。在此基础上设计生长出了具有较高晶体质量且界面优良的InGaN/GaN异质结核壳结构纳米线，实现了在低阂值下的光泵浦受激发射，结果显示具有良好的激光增益和量子效率。 此外，还探索了单根GaN纳米线在纳米紫外探测器中的应用，结果显示器件在小于370nm紫外波段以下响应，显示出优良的紫外光一盲区特性;实现GaN纳米紫外探测器超快响应，大幅超过已报道单晶Zn0 , GaN纳米线紫外探测器，如光电流/暗电流(on/off)＞104、置位时间(set time)＜100ma、复位时间(reset time)＜100ma等。 探索了用上述提出的方法生长的非极性a轴GaN，研究了其压电效应，并首次解释了基于非极性GaN的压电机制。基于压电效应，实现了非极性a轴单根GaN纳米线的“应力门控”晶体管。其压电调控电荷传输机制从模拟和实验上做了系统、详细的研究。 进而研究了基于非极性GaN微米线与有机聚合物杂合异质结的压光电子效应。杂合结构对紫外光传感的灵敏度和响应率均随外加应力变化。最终得出在压应力为0.32%的时候器件对紫外光的灵敏度和响应率最高，这些研究对未来微纳光电/机电传感器件的研究和制备具有重要意义。 最近，系统地研究了基于GaN微米线pn结紫外LED中的压光电子效应。在压光电子效应的作用下，微米线LED能够同时实现发光效率的增强和效率下降问题的抑制。通过施加微小的压应力(-0.12%)，微米线紫外LED的外量子效率增强了600%，同时效率降从46.6%下降到7.5%。这主要得益于应力对异质结界面载流子的调控作用，增强了电子的限制及空穴的注入效率。

摘要： 本发明提供一种具有用于多个传感器元件的多个连接的电子电路，其中所述电子电路经配置以借助至少一种多路复用方法来检测所述传感器元件的至少一个观察区中的物件的存在且区分所述传感器元件。还提供一种用于确定坐落于传感器元件的至少一个观察区中的至少一个物件相对于所述传感器元件的位置的方法，其中借助多路复用方法，检测每一传感器元件的指示所述相应观察区中的所述物件的存在的电变量。

摘要： 公开了半导体传感器器件以及用于制备所述半导体传感器器件的方法。半导体传感器器件可以包括：衬底，其包括第一主面以及与第一主面相对的第二主面；半导体元件，其包括感测区域，半导体元件被布置在衬底的第一主面上并且被电耦合到衬底；封盖，其被布置在衬底的第一主面上并且形成腔体，其中半导体元件被布置在腔体中；以及气相沉积的电介质涂层，其覆盖半导体元件以及衬底的第一主面，气相沉积的电介质涂层具有在感测区域上方的开口，其中，衬底的第二主面至少部分地没有气相沉积的电介质层。

摘要： 本文提供了光学传感器器件及制造光学传感器器件的方法。一种光学传感器器件包括：包括用于将电磁信号转换为光生电荷载流子的转换区域的半导体衬底；被配置为读出光生电荷载流子的第一部分的读出节点；形成在延伸到半导体衬底中的沟槽中的控制电极；以及在半导体衬底中的掺杂区域，其中掺杂区域邻近于沟槽，并且其中掺杂区域的掺杂类型不同于读出节点，其中掺杂区域的掺杂浓度使得掺杂区在操作期间保持耗尽。

摘要： 提供霍尔传感器器件和用于操作所述霍尔传感器器件的方法。霍尔传感器器件包括第一导电类型的霍尔效应区，和配置成向/从霍尔效应区提供电气信号的多个电气接触区。每一个电气接触区形成在不同的第二导电类型的相应阱中，该阱邻接霍尔效应区。霍尔传感器器件还包括电路，包括多个控制端子，其中每一个控制端子配置成控制第二导电类型的相关联的阱中的电导。该电路配置成向多个控制端子的第一子集选择性地施加控制信号以形成在第一操作阶段期间在相关联的阱中传导第一导电类型的多数载流子的沟道。该电路还配置成向多个控制端子的不同的第二子集选择性地施加控制信号以形成在第二操作阶段期间在相关联的阱中传导第一导电类型的多数载流子的沟道。

摘要： 传感器半导体器件包括具有主表面(2)的基板(1)、在主表面上或上方的传感器区域(3)、在主表面上方的涂覆层(4)以及被形成在传感器区域周围的涂覆层中的沟槽(5)。沟槽提供来自涂覆层的液体的排放。

摘要： 本发明提供一种具有用于多个传感器元件的多个连接的电子电路，其中所述电子电路经配置以借助至少一种多路复用方法来检测所述传感器元件的至少一个观察区中的物件的存在且区分所述传感器元件。还提供一种用于确定坐落于传感器元件的至少一个观察区中的至少一个物件相对于所述传感器元件的位置的方法，其中借助多路复用方法，检测每一传感器元件的指示所述相应观察区中的所述物件的存在的电变量。

摘要： 本发明提供一种可小型化的传感器器件、导管以及包括传感器器件的系统。传感器器件(1)包括：管状的前端侧构件(23)；压力传感器(4)及温度传感器(5)，被收容在前端侧构件(23)的内空间中，并经一体化；以及引出线(6)，与压力传感器(4)及温度传感器(5)连接，被朝后端侧导出。压力传感器(4)及温度传感器(5)分别在基板(42)、基板(52)的一面侧形成有传感器元件(41)、传感器元件(51)，以各自的基板(42)、基板(52)的另一面侧相向的方式配置，并经一体化。

摘要： 本发明涉及一种传感器件，所述传感器件包括设置在半导体衬底上的至少一个传感器区域，所述传感器区域包括设置在所述半导体衬底上的多晶硅垂直电极，所述多晶硅垂直电极形成传感电容，每个垂直电极作为所述传感电容的一个极板，所述垂直电极的极板之间有敏感膜片，所述敏感膜片与环境具有第一接触面，透过所述第一接触面吸收环境中待检测物质后，改变所述传感电容的电容值，所述传感电容根据所述介电常数变化生成变化的电容信号；至少一个传导器件，从所述第二表面朝向所述第一表面贯穿所述半导体衬底，并且与所述敏感器件具有至少一个第二接触面，所述第二接触面将传感电容生成的所述电容信号传导给设置在所述第二表面的金属焊盘。本发明具有性能稳定的优点。

摘要： 本发明提出一种SMPS系统，包括一个SMPS和一个电感电流传感器件。该SMPS包括一个HS开关和一个串联在一起的LS开关，以及一个输出滤波器，输出滤波器包括一个电感器和一个电容器，耦合到由HS和LS开关形成的开关节点上。电感电流由电感器提供给负载。电感电流传感器件耦合到LS开关上，具有一个第一输入端，接收表示开关节点处电压电平的节点信号，一个第二输入端，接收系统的输入电压，一个第三输入端，接收系统的输出电压。配置电感电流传感器件，以根据第一、第二和第三输入端，获得第一、第二恒定直流斜率信息以及谷值电流信息，并根据该些信息产生输出信号。输出信号具有三角波形，包括一个上升斜率和一个下降斜率，正比于电感电流的上升和下降斜率。

摘要： 本发明涉及一种传感器件，所述传感器件包括设置在半导体衬底上的至少一个传感器区域，所述传感器区域包括设置在所述半导体衬底上的多晶硅垂直电极，所述多晶硅垂直电极形成传感电容，每个垂直电极作为所述传感电容的一个极板，所述垂直电极的极板之间有敏感膜片，所述敏感膜片与环境具有第一接触面，透过所述第一接触面吸收环境中待检测物质后，改变所述传感电容的电容值，所述传感电容根据所述介电常数变化生成变化的电容信号；至少一个传导器件，从所述第二表面朝向所述第一表面贯穿所述半导体衬底，并且与所述敏感器件具有至少一个第二接触面，所述第二接触面将传感电容生成的所述电容信号传导给设置在所述第二表面的金属焊盘。本发明具有性能稳定的优点。