介质膜

摘要： 自动化设备表面材质易发生腐蚀,导致设备存在运行安全隐患问题。提出自动化设备外表面腐蚀区域激光清洗技术。确定激光清洗过程中材质表面与介质膜间温度随时间与空间变化的规律,判定设备外表面腐蚀区域中微粒杂质的吸附力与毛细力。基于此建立最小二乘积空间插补算法,利用拟合空间中任意三点到设立终点坐标的距离关系,取得有关空间向量的直线。用这条垂直线代替原始空间中内的所有曲线段,获取最优距离,完成自动化设备外表面腐蚀区域激光清洗。仿真实验结果证明,所提方法对腐蚀区域的氧元素和其他杂质去除效果较好,整体能耗较小,且方法应用效率较高,能保证清洗后设备的表面纹路、机理、不会被破坏,且不会出现腐蚀残留,可以有效完成腐蚀区域的清洗。

摘要： 利用Matlab仿真牛顿环干涉,通过改变仿真程序中的相应参量得出牛顿环干涉圆环中心暗斑和对应级次条纹半径随介质膜折射率n的增大而减小,随平凸透镜的曲率半径R的增大而增大,随入射光波波长λ的增大而增大,而且仿真结果与理论计算结果完全相吻合,是对传统的牛顿环干涉实验的完善和补充.

摘要： 针对单光子探测芯片中超导Nb膜减反的问题,研究了磁控溅射Nb膜折射率光谱特性随Nb膜厚度变化的规律,同时研究了化学气相沉积法制备的SiO2和SiNx介质膜的折射率光谱特性.为降低超导Nb膜对633 nm光的反射比,在Nb膜表面设计和制备了SiO2和SiNx减反膜.测试结果表明:SiO2和SiNx使反射比明显减小,计算结果验证了这一趋势.

摘要： 为了监控3维玻璃上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)复合衬底介质膜膜厚,采用将PET复合衬底等效为单层基底材料的建模分析方法,通过椭偏测量技术实现了复杂衬底上TiO 2梯度折射率材料薄膜厚度的检测.结果表明,采用该方法测量的PET复合衬底上TiO 2梯度折射率薄膜厚度为212.48nm,扫描电子显微镜的测量结果为211nm,结果非常准确.以TiO 2为例验证了等效衬底方法,该方法也同样适用于其它介质膜.等效衬底法可实现PET复合衬底上的TiO2薄膜厚度的高精度测量表征,对镀膜工艺过程监控具有重要意义.

摘要： 为发挥长程表面等离子体波共振峰宽度小,共振曲线斜率大,降低共振角位置不确定性的优点,解决其严格对称结构难于传感的问题,文中在理论分析介质-金属薄膜-介质结构模型的色散和反射特性的基础上,实验研究棱镜耦合激发该结构中的修正的长程表面等离子体波用于传感,改变实验中的结构参数,检测含水率10.8%~38.8%的蜂蜜.结果表明:其共振峰宽度变窄,介质膜厚、金属膜厚等参数对衰减峰及其宽度和衰减深度等参量都会产生影响,检测的入射角与折射率的线性相关系数为0.993 2,可较好地实现传感.%To play to the advantages of long-range surface plasmon wave has the advantages of narrow width of the resonance peak,the greater slope of resonance curve and the reducing of uncertainty of the resonance angular position,solving its problems of the strictly symmetrical structure and it is unsuitable for sensing applications,based on the theory analysis of dispersion and reflection characteristics of media-metal film-media structure,the modified long-range surface plasmon wave was excited by prism coupling method for sensing was studied in experiment.Structure parameters were changed in experiments and the detection of aqueous 10.8%~38.8% of the honey was realized.Results show that the resonance peak width of the long-range surface plasmon wave is much narrower than that of the traditional surface plasmon wave.The characteristics of modified long range surface plasmon wave such as peak attenuation,attenuation peak width and depth attenuation are influenced by changing the thickness of the metal,the thickness of the medium.The detected incident angle is linear to the testing refractive index,and the linear correlation coefficient is 0.993 2,thus it is a good linear correlation and it is suitable for refractive index detecting.

摘要： 回顾了国内在激光预处理技术研究方面取得的进展.综述了基于激光预处理技术提升基频介质膜、磷酸二氢钾/高掺氘磷酸二氢钾(KDP/DKDP)晶体等光学元件抗激光损伤性能的机理、效果和关键技术.针对高功率激光驱动器中关键光学元件激光负载能力的提高,建立了大口径光学元件激光预处理平台,实现了基频介质膜元件的激光预处理工程化作业.比较了纳秒和亚纳秒脉冲宽度激光对DKDP晶体损伤性能的影响.基于亚纳秒激光预处理后,纳秒激光辐照至14.4 J/cm2(5 ns)尚未出现”本征”损伤的实验结果,提出了用于DKDP晶体的亚纳秒激光预处理方案,并指出亚纳秒激光预处理技术将成为高功率激光三倍频晶体抗激光损伤性能达标的关键技术.

摘要： 1前言铝电解电容器的大量应用后,人们发现,铝电解电容器在应用时存在寿命、不能耐高温（军品要求达到125°C）、电容量随温度变化明显,以及ESR过高等问题,迫使人们不得不寻求性能良好的电解电容器,钽电解电容器就是一种性能良好的电解电容器。钽电解电容器有固体阴极和液体阴极的两种形式,现在的钽电解电容器均为固体阴极,液体阴极钽电解电容器不再介绍。

摘要： 德国联邦政府资助了一个新介质膜的研发项目,将用于未来汽车引擎的下一代电力转换其中。该项名为HoTeKo的项目的研发期为2015年4月-2017年3月,由德国薄膜机械公司Brückner、美国电子元器件公司Kemet、各国驱动技术公司Lenze、德国汽车组件制造商ZF和德国薄膜企业的专家Fraunhofer IVV Friesing共同合作。

摘要： 针对传统的激光诱导损伤阈值测试中存在的耗时问题,提出了一种利用单发次、大口径光束的介质膜损伤阈值的快速测定方法.该方法以图像处理为基础,通过坐标变换和栅格压缩,建立了样品辐照区域内损伤分布与光斑强度分布之间的精确对应关系.基于对大口径光斑辐照区域内损伤信息的快速提取和统计方法,通过单次激光辐照,获取了待测区域的损伤阈值.根据此方法搭建了单发大口径光束损伤阈值测试平台,并对HfO2/SiO2高反射膜损伤阈值进行了单发次测定的验证.

摘要： 以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N)t /Q(SiH)和Q(O)/Q(SiH)关系的数学模型，比模型在给定气流配比Q(N)/Q(SiH和Q(O)/Q(SiH)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好，为ECR Plasma CVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础。

摘要： 电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECRPlasmaCVD）法淀积介质膜技术是实现性能优良的光电子器件光学膜和电学膜的重要技术手段之一，该文阐述了该技术的原理和优点，介绍了所淀积的介质膜的优良特性等等。

摘要： 电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR Plasma CVD）法淀积介质膜技术是实现性能优良的光电子器件光学膜和电学膜的重要技术手段之一，该文阐述了该技术的原理和优点，介绍了所淀积的介质膜的优良特性等等。

摘要： 该文介绍了激光束偏转法和双折射法两种半导体材料应力测试系统及测试方法，其中激光束偏转法直观、简便，不受样品材料的限制，且可以判定应力的张、压性质，双折射法应力测试分辨率高，能给出应力的方向。应用这两种测试系统对电子回旋共振（ECR)等离子体CVD工艺下得到的SiN介质膜应力进行了研究。

摘要： 通过攻克蓝宝石衬底剥离，优化增益区设计等关键技术，在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射，光泵激射条件下所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。该成果为进一步研制实用化电注入氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。本文采用了两组介质膜DBR以及InGaN量子阱光增益区，通过优化蓝宝石衬底的激光剥离工艺，优化增益区设计和高反射率DBR的制作工艺，研制了GaN基VCSEL，并于2008年在室温光泵条件下观察到了激射，所得器件重要性能指标达到了国际先进水平。

摘要： 以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低阈值蓝光激射,阈值能量密度为6.5mJ/cm2,激射波长为449.5 nm,半商宽小于0.1 nm。重要性能指标达到了国际先进水平。

摘要： 通过攻克蓝宝石衬底剥离，优化增益区设计等关键技术，在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射，光泵激射条件下所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。该成果为进一步研制实用化电注入氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。

摘要： 通过攻克蓝宝石衬底剥离，优化增益区设计等关键技术，在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射，光泵激射条件下所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。该成果为进一步研制实用化电注入氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。

摘要： 通过攻克蓝宝石衬底剥离，优化增益区设计等关键技术，在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射，光泵激射条件下所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。该成果为进一步研制实用化电注入氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。

摘要： 通过攻克蓝宝石衬底剥离，优化增益区设计等关键技术，在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射，光泵激射条件下所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。该成果为进一步研制实用化电注入氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。

摘要： 一种由AB

摘要： 本发明公开一种焦平面芯片介质膜剥离装置，剥离腔的内腔中设置用于固定芯片的承托板，承托板上设置落料孔；剥离腔内用于盛放剥离溶液；剥离腔的上盖上正对芯片的位置设置剥离进气管，剥离进气管用于竖向正对芯片的上表面吹气，剥离进气管的气流带动剥离溶液流动，剥离溶液流动对芯片的上表面产生冲击，气流和溶液流动的双重作用对芯片表面起到冲刷的效果，将金属膜层快速去除，气体从剥离腔上开设的排气孔中排出，整个过程不需要借助人力，一次性可去除多个芯片表面的金属膜层，提升工艺效率，溶液流动和气流冲刷还可避免芯片表面划伤。本发明的焦平面芯片介质膜剥离方法利用上述装置去除芯片表面的金属膜层，能够实现相同的技术效果。

摘要： 本发明提供一种可以充分地防止氧离子的缺损的PBNZT强电介质膜。本发明的PBNZT强电介质膜是由以ABO3表钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb2+、并且作为B点位离子含有Zr4+及Ti4+的PZT系强电介质，在A点位作为A点位补偿离子含有Bi3+，在B点位作为B点位补偿离子含有Nb5+。

摘要： 在形成电介质膜的方法以及利用该电介质膜的等离子显示板(PDP)中，将糊剂涂覆在基底上形成电介质膜，电介质膜末端部分的侧表面具有相对于基底表面在30至80度范围的接触角。该PDP优选包括：第一基底和第二基底，它们互相面对并形成放电空间；布置在第一基底上的多对维持电极；以及布置在第二基底上的多个寻址电极。将至少一个电介质膜优选布置在第一基底和第二基底之间，并且该电介质膜末端部分的侧面优选具有相对于第一基底在30至80度范围内的接触角。

摘要： 本发明公开一种介质圆柱透镜、介质膜和介质圆柱透镜制作方法，解决现有天线参数一致性差，散射较大，双向通信干扰较多的问题。一种介质圆柱透镜，透镜结构为由介质材料同心环绕而成的圆柱体；所述介质材料包含介质膜，所述介质膜由向纤维素溶解液或纸浆中混合陶瓷粉制作而成。一种介质圆柱透镜制作方法，将预设的介质透镜各层介电常数作为复合层结构的目标等效介电常数；调整陶瓷粉剂量，制成符合所述目标等效介电常数的介质膜或复合层结构，将所述介质膜或复合层结构同心缠绕成圆柱体。本发明实现了介电常数稳定分布的圆柱透镜。

摘要： 本发明公开一种焦平面芯片介质膜剥离装置，剥离腔的内腔中设置用于固定芯片的承托板，承托板上设置落料孔；剥离腔内用于盛放剥离溶液；剥离腔的上盖上正对芯片的位置设置剥离进气管，剥离进气管用于竖向正对芯片的上表面吹气，剥离进气管的气流带动剥离溶液流动，剥离溶液流动对芯片的上表面产生冲击，气流和溶液流动的双重作用对芯片表面起到冲刷的效果，将金属膜层快速去除，气体从剥离腔上开设的排气孔中排出，整个过程不需要借助人力，一次性可去除多个芯片表面的金属膜层，提升工艺效率，溶液流动和气流冲刷还可避免芯片表面划伤。本发明的焦平面芯片介质膜剥离方法利用上述装置去除芯片表面的金属膜层，能够实现相同的技术效果。

摘要： 本发明公开了折射率可变的介质膜的镀膜方法及含有该介质膜的颜色膜，包括如下步骤：提供待镀膜的基板；采用真空镀膜法，以硅靶作为靶材，以氮气和氧气作为反应气体，在所述基板上沉积介质膜，通过调节氮气和氧气的流量比例来控制介质膜的折射率变化。传统的介质膜的折射率固定不变，本发明中，采用真空镀膜法，以硅靶作为靶材，以氮气和氧气作为反应气体，在所述基板上沉积介质膜，通过调节氮气和氧气的流量比例来控制介质膜的折射率变化，可以据需求实现多种颜色膜的制备，呈现丰富多彩的不同颜色，使颜色膜的制备更具灵活性和多变性，镀膜工艺稳定、简单，对设备配置要求较低，从而减少了设备投入，节省了镀膜成本。

摘要： 本发明提供一种可以充分地防止氧离子的缺损的PBNZT强电介质膜。本发明的PBNZT强电介质膜是由以ABO3表钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb2+、并且作为B点位离子含有Zr4+及Ti4+的PZT系强电介质，在A点位作为A点位补偿离子含有Bi3+，在B点位作为B点位补偿离子含有Nb5+。

摘要： 在形成电介质膜的方法以及利用该电介质膜的等离子显示板(PDP)中，将糊剂涂覆在基底上形成电介质膜，电介质膜末端部分的侧表面具有相对于基底表面在30至80度范围的接触角。该PDP优选包括：第一基底和第二基底，它们互相面对并形成放电空间；布置在第一基底上的多对维持电极；以及布置在第二基底上的多个寻址电极。将至少一个电介质膜优选布置在第一基底和第二基底之间，并且该电介质膜末端部分的侧面优选具有相对于第一基底在30至80度范围内的接触角。

摘要： 一种介质膜构成体，具有基板和在该基板上设置的介质膜，其特征在于，介质膜相对于该基板具有(00l)面取向性，其中，该介质膜由下述式(1)表示，u为大于2的实数：u＝(Cc/Ca)×(Wa/Wc)……(1)。在上述式(1)中，Cc是面外X射线衍射测定的介质膜的(00l′)面的峰值的计数(在此，1′为Cc最大值时选定的自然数。)；Ca是面内X射线衍射测定的介质膜的(h′00)面的峰值的计数(在此h′为Cc最大值时选定的自然数。)；Wc是面外波动曲线X射线衍射测定的介质膜的(00l′)面的峰值的半值宽度；Wa是面内波动曲线X射线衍谢测定的介质膜的(h′00)面的峰值的半值宽度。)