人族

摘要： 击杀A说:“我亲眼见过人族利用核聚变放出的粒子流通过天文单位级别的距离,用强大火力直接击杀了数以万计的虫族!”B问:“啥游戏?”:A回答:“晒被子。”

摘要： 近日,科学家们在研究从法国南部的洞穴中发现的尼安德特人的骨头时,发现其中50%的骨头上都有类似石器留下的切割痕迹,从颅骨、下颌骨到趾骨,切割痕迹几乎遍布整个骨骼,从指骨上还发现了尼安德特人用牙齿咀嚼的痕迹。这意味着,尼安德特人曾经变成“食人族”,吃起了自己的同类。究竟是什么让他们变得如此野蛮和无情?

摘要： 古代战争人族濒临灭绝,放置拯救世界,作为一款魔幻风格的角色扮演类游戏,《古代战争》具备卡通式的游戏画面,玩家们将操控主角在不一样的场景下开启无限的冒险历程,并且《古代战争》中丰富的玩法要素也将确保玩家的游戏体验。同时在游戏过程中,玩家还要注重角色的成长以及装备的提升,以应对后续更加严苛地挑战。

摘要： 1770年，在美国加利福尼亚曾流传一些消息：在这块土地上生活着一群身材巨大而不匀称的巨人。许多世俗史家，印第安人、土生白人或欧印混种人普遍认为是新西班牙的第一批居民。自然，神话传说毕竟是虚构的，但是在历史或地理发现中却令人惊讶地存在着大量实据。

摘要： 关键词：timing这一年人族皇帝Slayerboxer的状态日渐低迷，锋芒被后来者所掩盖。他对母队IS缺少神族陪练感到不满，于是选择出走另立门户。他挑选了一些自己欣赏的业余选手，组建了一支全新的战队4Union，事实证明人族皇帝的眼光非常独到，这支新军竟然后来在当年的战队联赛夺得了冠军。这支战队就是日后大名鼎鼎的SKT1战队。在slayerboxer的带领下，这支战队在未来数年里一直引领着韩国星际的潮流，带来了许多全新的战术和理念。而这支战队的代表人物，便是星际争霸的第三代本座iloveoov。iloveoov身高一米八七，曾是一名虫族玩家，他的手速偏慢，APM只有240左右。在当时的观念看来，职业人族只有这么低的APM是不够的。或许就是因为这个原因，iloveoov一直没有打上职业。

摘要： 关键词：最终形态2008年，星际争霸已经经历了五个本座。星际爱好者根据他们各自的风格，起了不同的绰号。SlayerS'_'BoxeR绰号“人族皇帝”，【ReD】NaDa是“天才人族”，iloveoov是“野兽”，ipxzerg是“救世主”，JaeDonG是“暴君”。在这个时代，一个ID为Flash的人族选手崛起，成为第六个本座。他的绰号则是“最终兵器”。当时没人能料到那是星际争霸最后的世代。在随后的几年里，韩国星际迅速衰落。OSL和MSL两大职业联赛停办，战队转型星际争霸2。然而那时候，人们称呼flash“最终兵器”的原因，却是他如此的不可思议。

摘要： 台湾作家朱天心的散文集《猎人们》不仅描述了她及家人与猫共处的生活,更是从平等族类的视角,去引发思考和启发读者：生命是平等的,只有平等尊重,和睦共处,才能共享文明。共处于地球的生灵,无论是人族还是猫族,都各自独立又相互依存。作者对于＂猎人们（猫族）＂这种生命的态度,给读者提供了一种全新的视角,引导我们重新看待与我们共处于地球的生命。

摘要： 台湾作家朱天心的散文集《猎人们》不仅描述了她及家人与猫共处的生活,更是从平等族类的视角,去引发思考和启发读者:生命是平等的,只有平等尊重,和睦共处,才能共享文明.共处于地球的生灵,无论是人族还是猫族,都各自独立又相互依存.作者对于"猎人们(猫族)"这种生命的态度,给读者提供了一种全新的视角,引导我们重新看待与我们共处于地球的生命.

摘要： ByuN 双方经过六场恶战,最终ByuN以4：2力克虫族选手Dark摘下全球总冠军奖杯,并获得了20万美元的冠军奖金.同时ByuN也成为了WCS总决赛历史上第一个人族冠军,这不禁也让我们回想起ByuN在今年GSL上夺冠,并成为星际历史上首个无战队冠军选手的那一刻,这位人族领袖在今年两次大赛都创造了新记录,“2016年星际2最佳选手”ByuN实至名归.

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al