高纯
高纯的相关文献在1983年到2023年内共计11058篇,主要集中在化学工业、金属学与金属工艺、冶金工业
等领域,其中期刊论文564篇、会议论文3篇、专利文献348143篇;相关期刊282种,包括材料导报、低温与特气、中国粉体工业等;
相关会议3种,包括中国化工学会精细化工专业委员会第89次学术会议暨2006年全国水处理、节水节能及环保精细化学品学术交流会、第五届全国非金属矿加工利用技术交流会、中国稀土学会第四届学术年会等;高纯的相关文献由18355位作者贡献,包括姚力军、潘杰、王学泽等。
高纯—发文量
专利文献>
论文:348143篇
占比:99.84%
总计:348710篇
高纯
-研究学者
- 姚力军
- 潘杰
- 王学泽
- 朱刘
- 杨斌
- 刘江华
- 刘冠华
- 边逸军
- 不公告发明人
- 朱庆山
- 金向华
- 范川林
- 马文会
- 余水金
- 汪天培
- 吴伟龙
- 张小波
- 张晓蓓
- 李伟
- 毕风华
- 潘佳伟
- 韦建敏
- 刘大春
- 张林
- 王伟
- 赵科湘
- 戴永年
- 李刚
- 杨海涛
- 卢鹏荐
- 丁高松
- 徐宝强
- 李斌
- 田辉明
- 赵晓兰
- 刘波
- 曾小龙
- 王涛
- 魏奎先
- 李军
- 李杰
- 焦树强
- 王飞
- 王刚
- 田阳
- 谭泽
- 高超
- 丁潇
- 叶翔
- 周建波
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白晶;
杨家贺;
李刚;
顾惠敏;
黄福妍;
孟雨菲;
郑竣桐
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摘要:
采用低品位菱镁矿酸浸得到的硫酸镁溶液为原料,以氨水为沉淀剂制备出了纯净度高且性能优良的高纯氢氧化镁。通过改变硫酸镁浓度、反应时间和温度、氨水浓度、陈化温度和陈化时间,考察不同条件下镁的沉淀效果。确定的最佳工艺条件为:陈化温度55°C、陈化时间60 min、硫酸镁溶液浓度1.5 mol/L、反应时间50 min、反应温度55°C、氨水浓度21%,在此条件下Mg^(2+)的沉淀率可达到90%以上。所得样品氢氧化镁晶型完整,粒径小且均匀,呈规则球状,有少量的团聚现象,平均粒径2μm左右,纯度达到99.5%以上,高于工业用氢氧化镁一级品标准(HG/T 3607—2000)的要求。
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邵玉强;
金家铖;
李雪刚;
刘亮伟
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摘要:
氯化铯(CsCl)梯度离心能够大量制备DNA,柱回收试剂盒能够快速制备DNA,结合二者优势开发大量–高纯–高浓度DNA的制备方法。本研究以长度5.9 kb的PCR产物为材料,通过CsCl-EB溶液75,000 rpm离心6 h、注射器收集目标DNA、柱回收去除EB、CsCl回收得到DNA。2000 μL PCR产物CsCl离心后、1个柱回收洗脱四次得到22.1 μg DNA,A260/A230纯度指标高达1.99。3000 μL优化PCR产物CsCl离心后、6个柱回收,洗脱一次得到DNA浓度高达391 ng/μL,洗脱四次得到DNA量高达61.5 μg。与之相比,胶回收2000 μL PCR产物仅得到9.6 μg DNA、A260/A230指标仅0.29,远低于纯净DNA指标2,而柱回收2000 μL PCR产物有较多非特异性条带。CsCl离心–柱回收方法能够制备大量–高纯–高浓度DNA,从而满足对高质量DNA的需要。
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赵丹娜;
李艳福;
牛涛
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摘要:
一般制氮系统采用PSA制氮工艺,设计和制造工艺采用分系统控制,安装使用时较为复杂,智能化程度低,且没有对制氮系统的三防能力进行设计。文中通过某型制氮系统的研制,提出了三防型“双变压”吸附高纯高压氮气制备技术。制氮系统不仅集空气压缩、制氮、储气、放气、减压、干燥等诸多功能,而且在产品智能控制、外观和“防湿热、防盐雾、防霉菌”等方面有了新的设计和应用,具备适应不同安装环境和条件的特点,可快速安装到所需位置并开展工作。
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高艳芳;
师苏城;
李瑞琛;
李国伟;
赵京阳;
刘丽丽
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摘要:
采用新型复配萃取剂(TY-01)结合离心萃取法处理氧氯化锆溶液中的铁,分别从萃取剂的饱和容量、萃取相比、温度、混合时间、萃取级数、离心萃取运行通量及稳定性几方面进行研究。结果表明,在萃取相比O/A(V/V)=1/3,混合时间为5 min,反应温度为30°C的条件下进行三级离心萃取,并连续运行168 h,铁的去除率均可达99.9%以上。TY-01型复配萃取剂的萃取性能稳定,萃取后的氧氯化锆溶液中铁含量能控制在2 mg/L以下,完全满足后续萃取余液中氧氯化锆的处理工序要求。
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张旭雪;
赵文英;
袁亚文;
曹晓荣;
项曙光
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摘要:
高纯三氟甲烷(CHF_(3))的合成与提纯研究对微电子行业的发展意义深远。本文介绍了CHF_(3)的合成方法,如电解法、氯仿直接氟化法、氯仿催化氟化法、二氟一氯甲烷催化氟化法、二氟一氯甲烷催化歧化法等,并分析了各方法的优缺点;综述了高纯CHF_(3)的提纯方法,包括精馏法、溶剂吸收法、吸附法等,单纯一种提纯方法很难使CHF_(3)产品达到电子级标准,通过多种提纯方法的联用可制备符合要求的高纯CHF_(3)。本文通过对CHF_(3)的合成方法和高纯CHF_(3)的提纯工艺进行分类分析,对高纯CHF_(3)的生产提供参考,具有一定的实用价值和指导意义。
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张永忠;
王刚
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摘要:
介绍了高纯氟化镁在金属反射镜的保护膜、氟化镁光子晶体、纳米金属陶瓷薄膜和红外光学领域中的应用,叙述了以碱性镁原料与氟化氢气体进行气相反应,一步制得高纯氟化镁的干法工艺;以氧化镁、碳酸镁、硫酸镁为原料,与氟化氢或者氟化铵反应制得氟化镁的湿法工艺。认为国内高纯氟化镁的研制生产和国外先进水平及国内日益增长的需求相比还有较大的差距,应进一步提高材料品质与性能,特别是提高材料的机械性能、光学加工与检测技术研究;开发出原料适应性广、产品品质稳定、装备要求低的干法制备高纯氟化镁工艺技术。
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罗昊;
张序清;
杨德仁;
皮孝东
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摘要:
碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点,被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一。近年来,物理气相传输(PVT)法在制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底方面取得了重大突破,进一步推动了SiC在高压、高频、高温电子器件领域的应用。SiC粉体是PVT法生长SiC单晶的原料,其纯度会直接影响SiC单晶的杂质含量,从而影响SiC单晶的电学性质,其中生长高质量的半绝缘SiC单晶更是直接受限于SiC粉体中N元素的含量。因此,合成高纯的SiC粉体是PVT法生长高质量SiC单晶的关键。本文主要介绍了高纯SiC粉体的合成方法及研究现状,重点对气相法和固相法合成高纯SiC粉体的优缺点进行了评述,并提出了今后高纯SiC粉体合成的发展方向。
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莫燕娇;
李玉婷;
甘永兰;
张帆;
杨雄强
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摘要:
利用软锰矿、氨水等为原料,以空气为氧化剂,在氨缓冲体系下制备锰锌铁氧体软磁用高纯四氧化三锰并简要分析其反应机理.研究表明:在反应温度为60°C,氨锰摩尔比为1.8,硫酸锰液体中锰浓度为80 g/L,氨水浓度为4.85%,硫酸锰滴加速率为3.7 mL/min,氨水滴加速率为5.5 mL/min,搅拌速率300 r/min的条件下,制备得到的高纯四氧化三锰.满足锰锌铁氧体软磁用HG/T2835-1997优等品的指标要求.