集成器件

摘要： 超表面具有在亚波长的厚度范围内操纵电磁波的卓越性能,伴随调谐技术的发展和对器件小型化、集成化的需求,超表面设计已从单功能结构转向多功能集成,在不同的激励条件下实现特定功能的切换。从外加电场、热控、机械拉伸、波长与极化控制等较常见的调谐方法出发,分别介绍多种具有双功能、三功能的可调谐超表面。最后,对可调谐多功能超表面的进一步研究发展进行了展望。

摘要： 柔性可穿戴传感器是附着于人体皮肤或组织上的监测装置,可以持续监测和量化特定微环境变化所产生的电信号或化学信号,在医学诊断和治疗方面具有广泛的应用前景。二维材料具有原子薄层的平面结构、优异的机械柔性和电学性能,非常适合用于构建可穿戴传感器。近年来,基于二维材料的柔性传感器在材料制备、工艺设计和设备集成等方面取得了巨大的进展。本文首先综述了二维材料在柔性可穿戴传感器应用上的最新研究进展,概括了基于二维材料的可穿戴传感器在物理、化学和生物信号检测方面的应用。另外,详细介绍了包括多模态传感在内的二维材料集成器件。最后,讨论了二维材料柔性可穿戴传感器在实际应用中所面临的问题和挑战,并对基于二维材料的可穿戴传感器的发展前景作出了展望。

摘要： 通过时域有限差分方法,详细地分析了2D-3D异质结结构中密度集成光学器件的传输特性.在三层2D结构中,分别引入了不同设计结构的波分复用器,通过调整结构参数实现了集成光路中每个器件、每个端口的波长选择特性,如B1端口的输出频率为0.404[c/a],B2端口为0.408[c/a],B3端口为0.386 [c/a],B4端口为0.388[c/a],B5端口为0.390[c/a],B6端口为0.394[c/a],B8端口为0.392[c/a],B9端口为0.409[c/a].更重要的是,此结构实现了多个器件沿堆叠方向的密度集成,集成器件的总尺寸为0.3 mm×0.3 mm×0.14 mm.这些研究结果可为紧凑集成电路的设计提供重要的理论指导.

摘要： 西安交通大学微纳电子器件实验中心共享平台是2019年成立的校级共享实验中心,位于西安市西咸新区西安交通大学中国西部科技创新港。中心成立于当今微电子技术的发展已进入后摩尔时代,新型半导体材料和基于新原理的信息器件成为微电子发展的主要突破口的大背景下,面向国家重大战略需求,以“大平台、高品质、重引领”为指导思想,拟在多功能铁性材料与集成器件,第三、四代宽禁带半导体材料与器件,微电子与集成电路3个方向组建大团队,占领制高点,承担大任务。

摘要： 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)与世界上最大的专业半导体代工企业台积电携手合作,加快氮化镓(GaN)工艺技术的开发以及GaN分立和集成器件的供货。通过此次合作,意法半导体创新的战略性氮化镓产品将采用台积电领先业界的GaN制造工艺。

摘要： 2019年8月13日,主题为"新型钙钛矿材料及器件"的钙钛矿国际研讨会在成都举行。此次会议由WILEY出版集团、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、InfoMat期刊共同主办。会议重点围绕新型钙钛矿材料与器件的最新研究进展及其在光电、能源等领域的应用展开研讨。会议邀请了国内外相关领域近50名著名学者与会,共同推进相关领域的科技创新。电子科技大学副校长胡俊全主持会议开幕式。

摘要： 集成微波光子技术具有宽带性、高速性、小巧性和抗干扰性等一系列优势,是未来宽带信息系统发展的关键技术路径之一.其中,硅基单片集成和硅基异质集成是集成微波光子技术的两个重要研究内容.本文通过分析基于硅(Si)、铌酸锂(LiNbO3)和Ⅲ-Ⅴ化合物等材料体系的光子单片集成和异质集成器件的研究现状,探讨了集成微波光子系统的发展趋势.本文认为:面向宽带信息系统,以硅材料为基底,多种材料体系进行异质集成,能够兼容COMS工艺的同时,还能充分发挥各种材料性能优势,因此将会成为未来集成微波光子学的重要发展趋势.

摘要： 为了探究光子晶体在多方向上的传输特性,采用时域有限差分方法系统地设计、模拟和分析了太赫兹波段下2D-3D异质结结构中的波导集成器件.通过对垂直波导和输出波导的优化设计发现,减小垂直波导中邻近微腔之间的旋转角度可以有效提高集成波导的传输效率;增宽输出波导时,导带范围和传输效率进一步得到了改善.另外通过设计研究了多方向传输的集成波导器件,证明其各方向都具有良好的传输效率.

摘要： 太阳光伏发电与热发电是近年来两种新兴的能源利用方式,两者均因具有清洁、安全、能量来源广泛等优异特性而受到越来越多的关注.在传统的太阳能利用过程中,光伏电池表面会积累很多由太阳辐射产生的热量.为了更好的利用这一部分的能量,研究人员将以上两种能源利用形式进行了结合.本文综述了热电材料和热电器件在太阳能利用领域的相关应用,包括光电-热电集成器件的开发、光电-热电复合材料的制备与应用等,并在此基础上对其未来发展进行了展望.%Solar radiation has been widely utilized in the form of light and heat, emerging in recent years, because of the excellent characteristics of cleanliness, safety and extensive sources. In traditional photovoltaic cells, a lot of heat is generated by solar radiation and accumulates on the surface, which is unwelcome by solar cells. To make better use of this part of solar energy, researchers have combined photovoltaic and thermoelectric technology. In this paper, the applications of thermoelectric materials and devices in the field of solar energy utilization are summarized, including the development of photoelectric-thermoelectric integrated devices, and photoelectric-thermoelectric composite materials. Finally, the future development trends about the photovoltaic application of thermoelectric materials and devices are presented.

摘要： 可延展柔性光子/电子器件改变了传统器件的刚性物理形态,极大拓展了光子/电子器件的发展模式与应用空间,已成为信息器件发展的重要方向之一.本专辑中,作者们紧密围绕可延展柔性光子/电子器件,从力学、物理、材料、化学、信息等不同领域,以多学科深度交叉驱动发展的视角,深入研究了可延展柔性器件的物理原理、新型材料、设计理论及制备方法等,并对该领域的发展趋势进行了展望.形状记忆聚合物作为一类智能材料,具有形状可控、模量可调等特点,

摘要： 对研制出的DFB激光器阵列与MMI、SOA的单片集成器件进行了初步的电注入热串扰分析。在20°C下的测试温度下,当邻近支路的激光器注入电流发生改变时,测试支路的激光器波长发生红移；两者距离为100μm且电流变化在l00mA以内时,波长红移0.13nm;在距离超过200μm时红移量只有0.06nm；增大激光器之间的距离可以明显改善热串扰的影响。

摘要： 本文设计和数值研究了基于等效啁啾技术的分布反馈半导体激光器与马赫-曾德尔调制器的集成器件.在激光器的光栅中心引入等效π相移,从而提高激光器单模输出.为了提高激光器出光的利用率,在激光器两个输出端面设计了对称的外接弯曲波导,在弯曲波导之后是一段直波导,再之后是弯曲波导,最后,使用多模干涉波导将两个波导的光耦合出来.数值计算了弯曲波导的损耗,结果表明,随着弯曲波导半径的增大,弯曲波导的损耗减小.同时为了得到适中的集成器件面积,弯曲波导的半径取1500μm,并在直波导上设计电极,从而构成马赫-曾德尔调制器.为了使得结构紧凑,将电极设计在内侧的空白处,通过调节马赫-曾德尔调制器的输入电流,可以对激光器的输出进行调制.结果表明,调制速率可以达到10Gb/s.

摘要： 本文提出了一种改善集成器件中各部分之间耦合效率的新结构,通过SEM照片观察多种情况下的外延形貌,研究了不同的刻蚀方法和工艺步骤对对接外延质量的影响.实验结果表明,采用非选择生长同时外延激光器和调制器上波导层以及两者之间的对接波导的方法,可以获得很好的生长界面,有助于提高多量子阱波导对接的耦合效率.

摘要： 本发明提供一种固体电解质集成器件，在该具有表面有绝缘性的基板的固体电解质集成器件中，第1下部电极层和第2上部电极层在第1主表面侧电连接，第1上部电极层、第1下部电极层、第2上部电极层及第2下部电极层均能够使离子穿过或/及具有离子氧化还原能力，且含有金属或金属氧化物这两者之一、或者这两者，还具有进行透气的透气部。

摘要： 本发明公开了一种磁芯、磁集成器件、线路板及其磁集成器件制作方法，该磁芯的第一磁芯部和第二磁芯部采用上下两层的分布结构，分别供不同的绕组进行绕设，实现了将原本分立的磁性器件集成在一起，能有效减少磁芯及磁集成器件的体积，降低生产成本，由于具有上下两层的分布结构，且第一磁芯部和第二磁芯部具有共用磁路的第一磁芯组件，因此能够进一步减小磁芯和使用该磁芯的磁芯器件的体积，有利于电控线路板的布线设计和电控线路板和电控盒等小型化设计。插片磁芯组件先绕设线圈后再插入到磁芯主体中，便于实现磁性器件的自动化生产，降低生产难度，提高生产效率，能有效降低生产成本。

摘要： 本发明提供了一种单片集成器件的制作方法，包括：选择一衬底；在衬底上外延生长多量子阱有源区；在多量子阱有源区上刻蚀光栅层和相位层，并对接生长无源波导层；在无源波导层上制作光栅；在多量子阱有源区上刻蚀电吸收调制区，并对接生长电吸收调制层；在多量子阱有源区、无源波导层、光栅和电吸收调制层上生长光限制脊波导层；在光限制脊波导层上生长电接触层；在电接触层上制作P电极；在衬底背面制作N电极；将经操作后的衬底解理成条状且一端蒸镀高反射膜、另一端蒸镀抗反射薄膜，并解理成单个管芯，进行封装。本发明提供的制作方法，能够有效地解决了TWDM‑PON的核心半导体光电子集成芯片和封装技术的问题。

摘要： 本发明提供一种集成器件和集成器件的制造方法。其中，能够使基板上所搭载的部件在不加热的状态下高精度且简单地进行装配。集成器件中，在基板(100)上混载装配作为光学元件的LD121、波长转换元件122、和作为电气元件的驱动器IC123。光学元件和电气元件通过表面活化接合被接合在形成于基板(100)上的由金属材料构成的接合部(110、111、112)上。通过在该接合部(110、111、112)上形成有微凸起、且利用原子间的粘附力就能够在常温进行接合。

摘要： 本发明提供一种固体电解质集成器件，在该具有表面有绝缘性的基板的固体电解质集成器件中，第1下部电极层和第2上部电极层在第1主表面侧电连接，第1上部电极层、第1下部电极层、第2上部电极层及第2下部电极层均能够使离子穿过或/及具有离子氧化还原能力，且含有金属或金属氧化物这两者之一、或者这两者，还具有进行透气的透气部。

摘要： 本发明提供一种集成器件、电子设备及集成器件的制作方法，集成器件包括衬底，衬底包括相互连接的第一衬底和第二衬底，第一衬底上设置有压力传感器，压力传感器包括第一电极、第一P型重掺杂层和第一P型轻掺杂层，第一P型重掺杂层与第一电极连接，第二衬底上设置有温度传感器，温度传感器包括P型二极管。该集成器件采用P型二极管可以使得温度传感器的制作工艺与压力传感器的制作工艺相兼容，能够在压力传感器的制作工艺台制备温度传感器，制作P型二极管时实现工艺兼容，具有制作工艺简单、制造成本低的优点；并且相较于普通的半导体电阻，具有更高的灵敏度。

摘要： 本申请提供了一种磁集成器件、开关电源及磁集成器件的制造方法。磁集成器件包括底板、I型磁芯、第一E型磁芯、第二E型磁芯、初级线圈以及次级线圈，I型磁芯夹持在第一E型磁芯和第二E型磁芯之间，第一E型磁芯和第二E型磁芯均与I型磁芯构成闭合磁路，第一E型磁芯和第二E型磁芯的中柱上均安装有初级线圈和次级线圈，I型磁芯、第一E型磁芯、第二E型磁芯、初级线圈以及次级线圈结合在一起并固定于底板，以构成两个变压器。本申请提供磁集成器件将两个独立的变压器集成组合在一起，可节省一个I型磁芯的厚度空间，从而减小磁集成器件的体积和重量，提高磁集成器件的性能及功率密度。

摘要： 本发明公开了一种磁芯、磁集成器件、线路板及其磁集成器件制作方法，该磁芯的第一磁芯部和第二磁芯部采用上下两层的分布结构，分别供不同的绕组进行绕设，实现了将原本分立的磁性器件集成在一起，能有效减少磁芯及磁集成器件的体积，降低生产成本，由于具有上下两层的分布结构，且第一磁芯部和第二磁芯部具有共用磁路的第一磁芯组件，因此能够进一步减小磁芯和使用该磁芯的磁芯器件的体积，有利于电控线路板的布线设计和电控线路板和电控盒等小型化设计。插片磁芯组件先绕设线圈后再插入到磁芯主体中，便于实现磁性器件的自动化生产，降低生产难度，提高生产效率，能有效降低生产成本。

摘要： 本发明提供了一种单片集成器件的制作方法，包括：选择一衬底；在衬底上外延生长多量子阱有源区；在多量子阱有源区上刻蚀光栅层和相位层，并对接生长无源波导层；在无源波导层上制作光栅；在多量子阱有源区上刻蚀电吸收调制区，并对接生长电吸收调制层；在多量子阱有源区、无源波导层、光栅和电吸收调制层上生长光限制脊波导层；在光限制脊波导层上生长电接触层；在电接触层上制作P电极；在衬底背面制作N电极；将经上述操作后的衬底解理成条状且一端蒸镀高反射膜、另一端蒸镀抗反射薄膜，并解理成单个管芯，进行封装。本发明提供的制作方法，能够有效地解决了TWDM‑PON的核心半导体光电子集成芯片和封装技术的问题。

摘要： 本发明涉及一种应变Ge槽型栅CMOS集成器件制备方法及其CMOS集成器件，该制备方法包括:选取SOI衬底；生长SiGe层、应变Ge层及应变Si帽层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；利用干法刻蚀工艺在NMOS有源区表面指定的NMOS栅极区域刻蚀形成两个倒梯形凹槽；在NMOS有源区和PMOS有源区表面生长氧化层，利用干法刻蚀工艺刻蚀PMOS有源区表面部分区域的氧化层，形成所述PMOS的栅介质层；采用离子注入工艺向PMOS有源区表面注入P型离子形成PMOS源漏区；在PMOS的栅介质层表面生长栅极材料形成PMOS栅极；在NMOS栅极区域生长栅极材料以形成NMOS栅极；金属化处理。本发明实施例采用各项异性的干法刻蚀刻蚀出两个倒梯型凹槽，并采用高功函数材料作为NMOS的栅极，实现了高性能的应变锗(Ge)CMOS器件。