闪存产品

摘要： 针对闪存产品(Flash)生产过程中出现的良率低下问题,研究离子注入机台水汽类颗粒物的监控方法.做了一系列实验,推导出离子注入过程中水汽对离子注入影响的机理.形成一套简单、有效监控离子注入机台水汽类颗粒物的方法.基于此方法的有效实施,可以避免闪存产品等在生产过程中,由于水汽类颗粒物导致的良率低下等问题.

摘要： 兆易创新GigaDevice宣布,其GD25全系列SPI NOR Flash产品已完成AECQ100认证,是目前唯一的全国产化车规闪存产品,为汽车前装市场以及需要车规级产品的特定应用提供高性能和高可靠性的闪存解决方案。 GigaDevice的GD25全系列SPI NOR Flash产品容量覆盖1~512 Mb,采用3.3 V/1.8 V供电,提供丰富的封装选项,工作温度范围在-40~85 °C/-40~105 °C/-40~125 °C。该系列产品具有高品质的特点,是唯一全国产化和符合AECQ100标准的闪存解决方案。通过提供全系列的车规产品解决方案,大大加快了汽车行业用户的研发速度和产品上市时间,并提高了系统的性能与可靠性。

摘要： 在美国加州Santa Clara(圣克拉拉),上海宝存信息科技有限公司(Shannon Systems)携全新升级固态闪存产品亮相''Flash Memory Summit''。此次宝存科技推出全球首家大规模商用的基于NVME的OpenChannel SSD产品。宝存科技表示,本次发布的产品采用的原材料NAND颗粒,从3D MLC升级到目前最先进的3DTLC.

摘要： 日前,兆易创新(GigaDevice)宣布与Digi-Key Electronics合作。兆易创新的SPI NOR Flash及NAND Flash等闪存产品可通过Digi-Key实现全球即时发货,并在交货周期及产品价格上更贴近客户需求。兆易创新的SPI NOR Flash产品容量目前涵盖512Kb至512Mb,并即将推出1Gb及2Gb的更高容量产品,以及业界最小尺寸的1.5mm×1.5mm USON封装(容量高达8Mb)。NAND Flash产品包含SPI和ONFi NAND两类,容量分别为1Gb,2Gb和1Gb。此外,兆易创新计划于2019年推出4Gb和8Gb SLC NAND Flash。

摘要： 赛普拉斯宣布其配备四串行外设接口（QuadSPI）的NOR闪存系列新增64Mb和128Mb产品。全新的两款FL-LNOR闪存可为那些在扩展温度范围内运行并需要存储重要数据的嵌入式系统提供最高可靠性和安全性。该系列闪存产品具备低功耗和AEC—Q100汽车认证，并且能够在扩展温度范围内提供更高的读带宽和更快的编程速度。

摘要： 赛普拉斯半导体公司（赛普拉斯）与L海华力微电子有限公司（华力）日前共同宣布，基于华力55nm低功耗工艺技术和赛普拉斯氧化硅氮氧化硅（SONOS）嵌入式闪存知识产权相结合，为闪仔产品树立了一个新的里程碑。

摘要： 混合云无疑将成为2015年最热IT架构，企业CIO都面临着商用产品的评估和选型。作为基础架构中存储产品的重要组成部分，闪存，尤其是全闪存产品的评估和选型也是CIO需要着重思考的。目前市面上有很多全闪存存储阵列，所有人都震惊于它们的速度和容量，而这样的性能参数还在层出不穷。在这里我们不妨列出最主要的几欹闪存产品类型并逐一分析，帮助CIO做出准确的选择。

摘要： 东芝集团创立于1875年，致力于为人类和地球的明天而努力奋斗。2015年是东芝成立140周年的纪念。自东芝1987年发明了全球最早的NAND闪存以来，全人类都在享受该创新带来的丰富价值。今年4月起，东芝电子（中国）在闪存产品的基础上，开始正式销售面向消费者的移动硬盘。针对全面负责东芝存储业务的情况，本刊专访了东芝电子（中国）有限公司董事长兼总经理田中基仁先生。田中先生表示，未来东芝会通过技术与愿景的结合，为中国消费者带来犹如魔法般便捷快速的存储体验感受。

摘要： 赛普拉斯半导体公司近日推出一款配备四串行外设接口（QuadSPI）的256Mb NOR闪存产品。借助Quad SPI的4KB统一扇区，全新的赛普拉斯FL—LNOR闪存可提供业内最高的读取带宽和最快的编程速度，同时保证小巧的PCB布局。通过采用统一小巧的物理存储扇区，该闪存能够以最佳方式存储程序代码和参数数据。

摘要： FL-LNOR闪存是一款配备四串行外设接口（Quad SPI）的256Mb NOR闪存产品。

摘要： 本发明实施例提出了一种闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统，涉及存储技术领域，该方法中：闪存控制器在获得由固件发送的目标操作指令后，通过监听目标LUN的当前状态，并在目标LUN处于空闲状态时，将目标操作指令添加到命令队列，进而由闪存控制器将命令队列中所存储的所有操作指令分别发送给存储单元，以使存储单元执行命令队列中的所有操作指令。发明实施例所提供的一种闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统，能够简化固件的代码，提升系统性能。

摘要： 本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法，所述闪存存储管理方法包括：提供闪存模块，所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块；将欲写入的数据分类为多个数据群；分别执行单层单元数据写入以及执行类似容错式磁盘阵列错误更正编码操作产生对应的校验码，以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块；当完成所述多个单层单元数据区块的写入时，执行内部复制，将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码，依所述多个单层单元数据区块存储顺序，依序写入至所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用，闪存数据空间使用效率更高。

摘要： 本发明提供了一种闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括形成有N阱的P型衬底和所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位和第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位共享一个字线栅。通过对闪存单元的控制栅、位线、字线栅、N阱进行电压配置，从而达到编程的操作。通过在字线栅上施加正电压，在两个存储位的控制栅上施加负电压，快速擦除信息，所述字线栅的结构产生增强型电子隧穿效应，使用较低的电压就可实现快速擦除的目的。

摘要： 本发明公开了一种闪存控制装置、闪存控制系统和闪存控制方法。所述闪存控制装置包括数据读写接口和控制器。当所述数据读写接口耦接到第一闪存与第二闪存时，所述控制器通过所述数据读写接口来将第一闪存的第一储存平面所储存的至少一笔有效数据暂存到第二闪存的第二缓冲器；所述控制器对已经没有有效数据的所述第一储存平面执行擦除循环，以清除所述第一储存平面内的非有效数据并且整理出所述第一储存平面内的闲置空间；以及所述控制器还将暂存于所述第二缓冲器的所述至少一笔有效数据重新写入所述第一储存平面。本发明可实现更快的操作速度，并且降低闪存控制器的制造成本。

摘要： 本发明提供了一种闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括形成有N阱的P型衬底和所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位和第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位共享一个字线栅，本发明提供的闪存单元编程功耗低，读取速度快，存储的状态更多。通过在闪存单元的控制栅施加正电压，在位线上施加负电压，从而达到编程的操作，本发明提供的闪存单元的编程方法可以选择编程的存储位，也可以对两个存储位同时进行编程。通过在字线栅上施加正电压，在两个存储位的控制栅上施加负电压，快速擦除信息，所述字线栅的结构产生增强型电子隧穿效应，使用较低的电压就可实现快速擦除的目的。

摘要： 本发明公开了一种闪存的控制方法、闪存晶粒以及闪存。其中，闪存具有连接多个闪存晶粒的外部数据总线。闪存的控制方法包括：在设定阶段，于命令输入的操作模式下，由主控器送出设定命令，将各闪存晶粒的数据总线的各端口分别映射到各闪存晶粒的状态指标；以及于要求阶段，于命令输入的操作模式下，由主控器向各闪存晶粒送出要求命令，并且于数据输出的操作模式下，将各闪存晶粒的状态指标的状态经由相对应的外部数据总线的各端口，传送到主控器。

摘要： 本发明公开一种检查闪存装置的闪存的存储单元的方法，包括：写入数据至存储单元；以及执行数据读取操作以从存储单元中读取数据以比较所述所读取的数据及所述所写入的数据以检查数据是否被正确地写入至存储单元，所述数据读取操作包括：执行依序读取操作以依序地选取出第一存储单元并从所述第一存储单元中读取数据；如果所述第一存储单元损坏，则累加连续的损坏存储单元的个数的值；以及如果所述连续的损坏存储单元的所述个数的值大于所述第一门限个数的值，则退出所述依序读取操作并接着执行随机读取操作以读取特定存储单元的数据。本申请所提供的技术解决方案可以在所述时间限制到期前尽可能地令被开卡的闪存装置具有较大的总存储容量。

摘要： 本发明提供一种闪存单元、闪存模块以及闪存芯片，该闪存单元包括：用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储临时数据的模拟电容单元，可编程半导体器件与模拟电容单元并联连接，其中，通过设置模拟电容单元存储临时数据，能够有效减少可编程半导体器件的擦写次数，避免可编程半导体器件的老化。

摘要： 本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法，所述闪存存储管理方法包括：提供闪存模块，所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块；将欲写入的数据分类为多个数据群；分别执行单层单元数据写入以及执行类似独立磁盘冗余阵列错误更正编码操作产生对应校验码，以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块；当完成所述多个单层单元数据区块的写入时，执行内部复制，将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码，依所述多个单层单元数据区块存储顺序，依序写入所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用，闪存数据空间使用效率更高。

摘要： 本实用新型实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存芯片、闪存设备及闪存存储系统。其中所述的闪存芯片，应用于闪存设备，所述闪存设备包括闪存控制器，所述闪存芯片包括多个闪存通道，每一闪存通道对应设置有一个信号标志单元，所述信号标志单元通过信号标志值确定与其对应的闪存通道处于高功耗状态或低功耗状态；所述闪存控制器包括功耗检测单元，用于确定是否存在处于高功耗状态的闪存通道，以使所述闪存控制器确定是否向空闲闪存通道发送命令。通过信号标志单元的信号标志值确定对应的闪存通道的功耗状态，以使闪存控制器确定是否向空闲闪存通道发送命令，从而解决闪存芯片的瞬时功耗较高的技术问题，有效保障闪存芯片的正常工作。