键合

摘要： 铝丝键合作为一项半导体产品的封装工艺,被广泛用于连接半导体器件内具有铝焊盘4的芯片与其它元件。然而,如果产品内铝丝连接设计或者键合工艺参数超出铝丝材料承受能力,会降低产品的可靠性。本文以铝丝键合失效案例为起始,设计铝丝键合工艺研究试验,对铝丝所能承受的最高弧度和最大跨度进行了讨论和总结,并提出修改意见。通过对比调整前后产品内铝键合丝拉断力和拉断力标准差,证明修改后该产品可靠性明显得到了提升,也论证本文更改建议的正确性。

摘要： 设计了一种交错梳齿型(SVC)静电驱动MEMS微镜,首先在底层硅片上通过刻蚀预留出微镜活动空间,并进行固定梳齿组刻蚀,然后再在上面键合顶层硅片,并将顶层硅片减薄抛光至目标厚度,再在其上进行移动梳齿组和镜面结构的刻蚀.该工艺既兼顾了SVC型微镜偏转角度较大的优点,又避免了使用SOI衬底导致背面套刻精度差的缺点,提高了整个结构的稳定性,该微镜的最大理论角度可达24.7°.

摘要： 随着LED器件芯片几何尺寸和电极尺寸的减小,封装难度的增大,1st点键合的失效率也随之增加。本文对光电元器件1st点键合失效的种类和原因进行了分析,得出造成1st点键合失效的主要原因是:芯片电极表面存在污染和焊线机的劈刀(瓷嘴)的选型不匹配。采用实验验证法发现,固晶吸嘴磨损会造成二次粘胶污染和固化后造成芯片电极表面污染,影响芯片键合,不能达到标准,在封装过程中通过监控固晶吸嘴的磨损和固晶固化可有效避免芯片电极污染。劈刀和线材不匹配,会造成键合线材受损,达不到最小拉断力,当劈刀孔径的选配为线径的1.3~1.5倍时,可以完全释放线材的最小拉断力。

摘要： 描述了一种结合微电铸与键合工艺的纳米尖端聚焦电射流打印头的设计及制备方法,并对所制备的打印头进行打印测试。首先通过单晶硅自停止腐蚀工艺制备硅模板,然后通过电铸工艺制备出纳米尖端,最后通过键合及湿法减薄工艺制备出硅-玻璃-纳米镍尖一体化打印头并对纳米打印头进行了打印测试。结果表明,结合微电铸与键合工艺制备的纳米尖端曲率半径可达84.4 nm,使用NOA61(300 mPa·s)紫外固化胶作为打印溶液可打印出平均直径为838 nm的点阵,解决了传统电射流打印百纳米级喷嘴易堵塞及墨水黏度限制在90 mPa·s的问题。

摘要： 以硅胶为载体、3-氯丙基三乙基氧基硅烷为硅烷偶联剂、咪唑和1,3-丙烷磺内酯为功能基、硫酸为质子酸,设计合成了硅胶键合咪唑型酸性离子液体催化剂.将该催化剂用于催化环己酮肟重排合成己内酰胺,考察了催化剂的催化活性、反应时间、溶剂用量、反应温度、催化剂用量和催化剂重复使用等因素对该反应的影响,得到了合成己内酰胺的最优条件.结果表明,该催化剂在己内酰胺合成中表现出了极高的活性,使用该催化剂具有易分离,反应条件温和,产品纯度好,收率高等特点.

摘要： 通过在银导体上逐次化学镀镍钯金来实现在LTCC纯银基板上的键合、钎焊等功能,避免了传统LTCC基板常用的多次贵金属套印,有效降低了生产成本.通过对样品进行试验验证,膜层键合强度和可焊性等都满足使用要求,可广泛应用于表面贴装和裸片邦定的微波产品工艺.

摘要： 本文介绍了键合机的基本原理,通过不同设备参数在不同材料的基板及器件上键合的失效模式,探讨了设备参数在不同材料上键合工艺的影响,论证了不同设备参数是增强不同材料引线键合可靠性的有效手段。

摘要： 某车载转向灯模组在售后行驶9 km后出现故障,模组上的三极管发生烧毁.首先,通过X-ray透视检查和开封观察发现三极管芯片发射极发生了过流烧毁;然后,从电路原理图分析发现正常情况下外部电学条件不可能引发三极管过流烧毁,因而结合失效三极管的烧毁形貌推断三极管本身存在缺陷;最后,对三极管物料进行破坏性分析,发现:三极管芯片存在键合弹坑损伤,导致发射极耐压不断下降和漏电流不断增大,从而引发了正常使用时发生过流烧毁.

摘要： 文中针对低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)微波多层基板高密度布线和多深腔的结构形态,结合化学镀工艺过程及原理,讨论了采用化学镀在LTCC微波多层基板表面制备可焊性镀层的工艺难点.针对某微波多层基板化学镀生产中出现的漏镀和渗镀缺陷,深入分析了各影响因素及作用机理,借助扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、能谱仪(Energy Dispersive Spectrometer,EDS)等微观分析手段,确定了引起漏镀和渗镀缺陷的主要原因,采取酸漂洗、增强玻璃刻蚀条件等措施,解决了漏镀和渗镀的难题.对可焊性镀层的附着力和键合可靠性进行了测试评价,结果表明,金属浆料及可焊性镀层均附着良好,键合强度较高,键合点可靠,能很好地满足微波组件的应用要求.

摘要： 系统级封装(System in Package,SiP)设计理念是实现电源小型化的有效方法之一.然而,SiP空间有限,功率开关MOSFET的集成封装方案对电源性能影响大.本文讨论同步开关电源拓扑中的半桥MOSFET的不同布局方法,包括基板表面平铺、腔体设计、3D堆叠等;以及不同的电源互连方式,包括键合、铜片夹扣等.从封装尺寸、载流能力、热阻、工艺复杂度、组装维修等方面,对比了不同方案的优缺点,为电源SiP的设计提供参考.

摘要： 论文介绍了利用溶胶凝胶(sol-gel)键合技术制作的Si基集成共振腔增强型(RCE)光电探测器。键合界面在RCE结构的下DBR和Si衬底之间，键合温度为300°C。器件峰值响应波长在1552.7nm，峰值半高宽(FHWM)为6.4nm，响应度为0.6A/W，带宽为17.05GHz。

摘要： 键合是微流控芯片制作的关键技术之一。本文研究了PMMA的基片和盖片经过紫外光表面照射3h后，再浸入沸水中煮40min，可键合制成PMMA芯片。采用紫外光处理后的PMMA表面亲水性得到改善，并缩短了键合时间。

摘要： 使用EBSD取向成像技术分析了铜丝键合不同工艺阶段(原始拉拔丝、熔化自由球、第一点球键合、第二点楔形键合)的组织不均匀性及微织构。讨论了它们可能对性能的影响.

摘要： 本文阐述了适合于塑料微流控芯片键合的超声波焊接的原理,设计了适用于微流控芯片的超声波焊接的两种导能筋,利用有限元软件模拟超声波焊接的过程,利用单元的"生死"和热焓法控制相变,计算出导能筋中温度场的分布情况,及微沟道在焊接过程中的变形情况.理论上验证了利用超声波焊接进行芯片键合的可行性.

摘要： 本论文扼要综述我们最近用DFT法及光化学等实验方法在探讨键合在DNA中配合物间电荷传递问题上所做的工作与进展.

摘要： 设计了一种新型结构的InGaAs/Si雪崩光电二极管(APD),这种结构将光吸收区(InGaAs)和Si的P-N结分开,由光吸收区入射的载流子在Si倍增层得到放大,从而可以得到灵敏度极高的探测器.InGaAs与Si通过键合技术连接到一起,优化InGaAs/InP和Si外延片的物理化学清洗及键合条件,制备得到的InGaAs/Si材料界面质量良好,可用于制备高带宽、高灵敏度的应用于长波长光通信接收系统的接收机.

摘要： 本文阐述用光刻、湿法腐蚀和键合等微细加工技术进行微全分析系统中微通道的研制过程。采用SU-8胶和硅材料制作出了作为聚二甲基硅氧烷的母模板。在优质玻璃材料上制作出微通道,并完成微通道的工艺键合。

摘要： 本文提出一种基于SDB技术的非平面双介质埋层SOI材料研制方法。通过高压氧化获得高质量第一埋氧层,进而化学气相淀积多晶硅,运用化学机械抛光来实现键合面的平坦化,在高温下对有源片和衬底片进行牢固键合.通过以上等工艺步骤,获得了Si/SiO2/Poly/SiO2/Si共5层纵向结构的双埋层夹多晶硅SOI材料。测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点。

摘要： 利用键合型纤维素-(3,5-二甲基苯基氨基甲酸酯)固定相高效液相色谱法直接拆分了甲霜灵对映异构体,通过考察流动相中的改性剂(醇类、四氢呋喃、三氯甲烷)、流动相的流速对手性拆分的影响,优化了色谱分离条件.结果表明,键合型手性固定相对甲霜灵有很好的拆分效果,在150mm的色谱柱上,使用正己烷/异丙醇(80/20,v/v)流动相,甲霜灵可以得到良好的分离.在优化的条件下,建立了键合型手性柱上分离分析甲霜灵的方法,对其线性范围.检测限、重现性以及回收率进行了考察,结果表明该方法简单、灵敏、准确、可靠.

摘要： 本发明有关一种微发光装置的键合治具及其键合方法，其主要由若干块多孔板构成，各多孔板设有穿孔以容置依据待键合微发光装置待分离点设置的顶针，顶针两端凸伸出治具，其在待键合微发光装置端，为与待键合微发光装置的待分离点对应的接触端，而在针床端，则为与针床的弹簧针接触的接触端，各顶针依据待分离点具有适当的斜率，该针床端的多孔板穿孔外缘具有容设顶针端部的定位孔，且该定位孔深度依据所容置顶针的斜率大小而定，使待键合微发光装置端的顶针具有相同出针长度，具有提高键合治具的稳定性，避免微发光装置键合排列不齐的效果。

摘要： 本发明提供了一种用于晶圆键合和解键合的装置及晶圆键合和解键合方法，涉及半导体封装技术领域。该装置，包括：平台和位于平台上的工作台；移动结构，通过移动结构，工作台在平台上能够在第一位置与第二位置之间移动；真空吸附结构，用于吸附设置于工作台上的待键合载片或待解键合晶圆；滴胶结构，用于向待键合载片滴入键合胶；吸盘结构，用于吸附待键合晶圆；驱动结构，用于驱动工作台在第一位置转动；侧向推动结构，用于推动工作台横移预设距离。通过驱动结构驱动工作台旋转，并在旋转过程中滴入键合胶，可以使键合胶更加均匀，通过侧向推动结构推动工作台横移，减小晶圆与工作台上载片的接触面积，更易于解键合，减少解键合过程中的碎片概率。

摘要： 提供了一种用于在键合机上将半导体元件键合到基板的键合工具。键合工具包括本体部分，该本体部分包括用于在键合过程期间在键合机上接触半导体元件的接触区域。键合工具还包括从本体部分延伸的支座，并且该支座配置为在键合过程的至少一部分期间接触基板。

摘要： 本发明提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构，通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触，减少后续的高温CVD过程中气泡的产生，从而降低边缘破裂的风险，可以提高产品的产量并可以增加产率。

摘要： 本发明有关一种微发光装置的键合治具及其键合方法，其主要由若干块多孔板构成，各多孔板设有穿孔以容置依据待键合微发光装置待分离点设置的顶针，顶针两端凸伸出治具，其在待键合微发光装置端，为与待键合微发光装置的待分离点对应的接触端，而在针床端，则为与针床的弹簧针接触的接触端，各顶针依据待分离点具有适当的斜率，该针床端的多孔板穿孔外缘具有容设顶针端部的定位孔，且该定位孔深度依据所容置顶针的斜率大小而定，使待键合微发光装置端的顶针具有相同出针长度，具有提高键合治具的稳定性，避免微发光装置键合排列不齐的效果。

摘要： 本发明涉及一种C2W键合方法、C2W键合控制系统及键合设备。在将多个芯片键合到半导体基底上时，从所述半导体基底上设置的与所述多个芯片一一对应的多个键合单元中选择若干个键合单元作为定位单元，获取每个所述定位单元在一键合坐标系中的坐标，然后利用各个定位单元在所述键合坐标系中的坐标和所述多个键合单元在单元分布图中的相对位置，获得各个键合单元在所述键合坐标系中的坐标，在进行键合时，利用各个键合单元在所述键合坐标系中的坐标，将所述多个芯片分别移动到与对应的键合单元进行键合的位置，并与对应的键合单元键合，有助于提高键合效率。

摘要： 本申请提供一种键合标记的制作方法、键合晶圆、载体晶圆及键合方法，其中所述键合标记的制作方法包括：提供键合裸晶圆，所述键合裸晶圆的表面形成有第一氧化层；刻蚀所述第一氧化层，在所述第一氧化层中形成不贯穿所述第一氧化层的标记孔；在所述标记孔中填充标记材料，且使所述标记材料的顶面和所述第一氧化层的表面共面，形成键合标记。本申请技术方案能够更好的实现晶圆堆叠与键合，提升良率。

摘要： 本发明涉及一种键合对位装置、倒装芯片键合机和键合方法，所述键合对位装置用于辅助芯片与基板的键合。所述键合对位装置包括键合头组件、用于承载所述芯片的第一载台以及用于承载所述基板的第二载台，所述键合头组件能够拾取所述芯片，所述键合头组件能够带动所述芯片沿第一方向靠近所述基板，所述第一载台及所述第二载台沿所述第一方向依次分布。键合对位装置能够提高芯片与基板键合时的精度。倒装芯片键合装置包括上述键合对位装置，能够提高芯片与基板键合时的精度。键合方法应用于上述倒装新品键合装置，能够提高芯片与基板键合时的精度。

摘要： 本发明涉及一种键合头、芯片键合机和键合方法，所述键合头包括：拾取组件、多个柔性体及多个控制件，所述拾取组件用于拾取芯片，所述柔性体包括第一连接端和第二连接端，多个所述柔性体的所述第一连接端均与所述拾取组件连接，多个所述柔性体的所述第二连接端分别对应地与多个所述控制件连接，所述控制件能够控制所述第一连接端与所述第二连接端之间的距离。上述键合头能够自适应地调平芯片与基板，提高芯片与基板键合时的精度。芯片键合机包括上述键合头，能够提高芯片与基板键合时的精度。键合方法应用于上述芯片键合机，能够提高芯片与基板键合时的精度。

摘要： 本发明公开了一种半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机及键合方法，其特征在于，包括机体，设在机体上的真空腔体和用于将真空腔体进行抽真空的抽真空装置，所述真空腔体内设有用于分别放置待键合加工的半导体晶片的上样品台和下样品台，上样品台与下样品台相对设置且能够相对运动以使位于其上的两半导体晶片贴合；所述真空腔体内设有能够水平移动至两半导体晶片之间的阴极放电板；所述上样品台和下样品台上设有加热器，该加热器产生的热量传递给上样品台和下样品台上所定位的半导体晶片。该半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机可避免键合界面的气泡和氧化层的生成，可提高键合质量。