钛酸锶

摘要： 钙钛矿类化合物钛酸锶具有明显的光致介电增长的性质,这是由于被光激发至Ti^(4+)的3d能带上的电子具有良好的巡游特性,为了进一步揭示光致介电增长的微观机理,这里假设巡游电子同时与两类声子发生耦合作用,一方面,电子与A_(1g)模式的晶格呼吸子发生强相互作用,另一方面,电子还与T_(1u)模式的非简谐声子具有相对较弱的耦合.通过变分法计算可得,这种复杂的电声耦合作用在晶体中形成两种极化子:自陷极化子和超顺电大极化子.正是由于超顺电大极化子的形成,导致了光致介电激增的现象.

摘要： 可逆固体氧化物电池(RSOC)因具备高效可逆的发电和电解产氢性能,被认为是一种具有良好发展前景的能源转化设备。然而,缺乏高活性和稳定性的电极材料是限制RSOC广泛应用的主要因素之一。传统的燃料电极一般采用浸镍的氧化钇稳定氧化锆(Ni-YSZ)材料,而氧电极则以钙钛矿型的氧化物居多。目前使用的燃料电极和氧电极的电化学性能都存在一定的不足。近期,诸多研究报道SrTiO_(3)基钙钛矿材料具有良好的稳定性和电化学性能,有望成为RSOC电极的热门候选材料。近年来,虽然对RSOC电极的研究较多,但是缺乏对该类材料系统的归纳和总结。因此,本文综述了SrTiO_(3)基钙钛矿材料在RSOC电极方面的应用进展。首先,系统分析了SrTiO_(3)基钙钛矿材料在RSOC燃料电极和氧电极的研究现状,介绍了目前常用的SrTiO_(3)改性的手段和策略,如掺杂其他元素、构建非ABO_(3)化学计量比氧化物、构建复合材料以及利用原位纳米颗粒出溶技术等;其次,探讨了SrTiO_(3)基钙钛矿材料应用于对称结构RSOC电极的可行性;最后,结合构建未来新一代RSOC高性能能源互联器件,展望了SrTiO_(3)基钙钛矿材料在RSOC中的应用前景,并提出了亟需解决的问题。

摘要： 高通量材料合成方法和高通量材料表征手段区别于传统低效率的“试错法”材料发展方法,极大地加速了材料科学的变革和发展.通过设计程序进行了高通量X射线衍射实验,在保证数据分辨率条件下,高效地表征了La_(1-x)Sr_(x)TiO_(3)薄膜上多个数据位点的晶体结构,验证了其成分的连续变化性质,为后续开展更多类型的高通量X射线衍射实验提供了指导.

摘要： 钛酸锶作为一种典型的钙钛矿型氧化物半导体,在光催化领域占据重要的地位,本文总结了钛酸锶光催化剂的制备方法,包括溶胶凝胶法、水热法以及固相反应法.对于钛酸锶光催化剂在废水处理中的应用,本文列举了研究者目前所使用的对其光催化性能改性研究的最有效方法,主要有离子掺杂、异质结的构建以及表面构建氧缺陷等.

摘要： cqvip:作为"宝石之王"的钻石价值很高,很多人想得到钻石的璀璨但又没有足够的经济实力,钻石的仿制品(简称仿钻)随之产生。可以作为钻石仿制品的天然宝石有:无色水晶、无色蓝宝石、无色托帕石、无色绿柱石等;人工宝石有:莫桑石、合成立方氧化锆、铅玻璃、合成金红石、人造钛酸锶、人造钇铝榴石、人造钆镓榴石等。

摘要： 具有独特钙钛矿结构的钛酸锶由于其独特的光学性能已经受到广泛关注.本文尝试以廉价、无毒的铝化合物作为掺杂剂,进行铝掺杂钛酸锶光催化剂的合成.合成的干凝胶于500°C环境下煅烧3h合成SrTiO3光催化剂,表征结果显示:合成的光催化剂以立方钛酸锶型为主、部分无定形和部分金红石型TiO2.Al元素掺杂改进了形貌且出现部分片状形貌.

摘要： 采用细胞与材料直接作用的方式研究钛酸锶微/纳米颗粒刺激RAW 264.7细胞产生的生物学反应.利用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、激光粒度仪、X射线衍射仪及比表面积测定仪表征材料的理化性质.采用CCK-8检测和活/死细胞染色法评估钛酸锶微/纳米颗粒对RAW 264.7细胞增殖活性的影响;采用SEM观察细胞的形态变化;采用RT-qPCR技术检测在钛酸锶微/纳米颗粒刺激作用下RAW 264.7细胞炎性细胞因子基因的表达;采用免疫荧光染色技术检测RAW 264.7细胞诱导型一氧化氮合酶(inducible nitric oxide synthase,iNOS)的表达.结果表明,微米和纳米钛酸锶颗粒成分组成均一,皆为不规则形状,微米钛酸锶颗粒平均粒径为1085.0 nm,比表面积为1.72 m2/g,纳米钛酸锶颗粒平均粒径为505.2 nm,比表面积为2.94 m2/g.微米和纳米钛酸锶颗粒对RAW 264.7细胞第24 h、72 h活性并无影响.在微/纳米钛酸锶颗粒的刺激下RAW 264.7细胞向多边形发展,并具有更大的贴附面积.微米钛酸锶颗粒刺激RAW 264.7细胞高表达iNOS、白细胞分化抗原(cluster of differentiation,CD)86、肿瘤坏死因子(tumor necrosis factor,TNF)-α和白细胞介素(Interleukin,IL)-6基因.纳米钛酸锶颗粒刺激RAW 264.7细胞高表达iNOS和TNF-α 基因,而IL-10基因的表达显著下调.微米和纳米均刺激RAW 264.7细胞高表达iNOS,诱导RAW 264.7细胞向M1表型极化,产生炎症反应,并且微米钛酸锶颗粒诱导的炎症反应更显著.

摘要： 掺杂稀土元素的发光材料具有优异性能,通过溶胶-凝胶法制备了2种晶型钛酸锶材料(钙钛矿结构和层状钙钛矿结构),并制备以钛酸锶为基质掺杂稀土离子Sm3+的凝胶前驱体,高温煅烧前驱体得到发光性能优异的发光材料粉体.试验对制备的红色荧光粉的结构、形貌和性能进行表征,并得出最佳钐掺杂量.

摘要： 采用嵌入式电容材料替代分离式电容元件是电子产品的发展趋势.钛酸钡型嵌入式电容材料具有优异性能,是目前市场上的主要产品.但是随着电子产品对高频应用需求的增加,钛酸钡型嵌入式电容材料由于材料本身的限制,有时很难满足要求.本文采用钛酸锶替代钛酸钡制造嵌入式电容材料,研究了用其制造的不同尺寸电容元件的介电性能,发现这类材料能够满足现有电容密度要求,且在高频下的介电损耗表现更佳.另外,所研制的钛酸锶型嵌入式电容材料的剥离强度在10N/mm以上,可以满足应用需求.钛酸锶型嵌入式电容材料具备较充分的工业生产条件,可以作为钛酸钡型嵌入式电容材料的一种应用补充,,极具商业开发价值.

摘要： 本文报道了一种有效降低钛酸锶热电材料热导率的方法.铌掺杂钛酸锶材料是n型热电氧化物陶瓷中最有效的材料之一,但其热导率仍然很高,限制了其热电优值的进一步提高.氧化钇稳定二氧化锆(YSZ)是著名的热障涂层材料,相对于钛酸锶有非常低的热导率.本文通过添加纳米尺度的低热导率添加剂YSZ,形成钛酸锶复合热电材料.研究发现,虽然电子热导率有明显提高,但声子热导率降低的更加明显,进而导致总热导率显著下降.声子热导率的降低主要是因为纳米YSZ在钛酸锶体材料中弥散分布,声子在纳米YSZ与钛酸锶界面处被大量散射,导致声子平均自由程明显降低,进而导致了声子热导率的明显降低.

摘要： 采用溶胶沉淀法多种方案制备了纳米级钛酸锶粉体,得到最优工艺路径.在75-100°C低温得到了20-25nm左右精细纳米材料.75-100°C的低温合成温度远低于目前Sol-gel 法的575°C以及高温固相法的1000°C.相对于普通溶胶沉淀法获得材料的晶粒尺寸(40-100nm),本方案获得的晶粒尺寸(20-25nm)明显减小.

摘要： 钛酸锶钡是一种具有钙钛矿结构的铁电材料，在外加直流偏置电场作用下，钛酸锶钡(BSTO)的介电常数随着电场强度增加而降低，是目前相控阵天线移相器材料的研究热点。本工作以双层流延法制备了具有STO-BTO-STO-BTO-STO-…的多层叠合钛酸锶钡陶瓷，并通过控制多层陶瓷材料的烧结温度、烧结时间，以获得烧结后钛酸锶、钛酸钡双层扩散成分梯度分布的陶瓷材料，从而达到调节介电性能的目的。双层流延法制备的钛酸锶钡叠层材料通过介电性能测试发现，BTO-STO复合结构大大降低了材料的介电常数，样品介电常数均可降至300以下，最低可达210，介电损耗tanδ可降至0.02以下。BTO-STO多层陶瓷的介电可调性也有较大幅度的降低。该现象可由介质混合法则解释。通过SEM的分析结果可以看到清晰BTO-STO周期层状结构。经烧结后流延层间结合紧密。随着烧结温度的提高，烧结时间的增加，试样晶粒明显长大，而层间界线也更为模糊。

摘要： 钛酸锶(SrTiO3)具有典型的钙钛矿型结构，是一种用途广泛的电子功能陶瓷材料，具有介电常数高、介电损耗低、热稳定性好等特点，广泛应用于电子、机械和陶瓷工业。同时，作为一种功能材料，钛酸锶具有禁带宽度高(3.2eV)、光催化活性优良等特点，在光催化分解水制氢、光催化降解有机污染物和光化学电池等光催化领域也得到了广泛的应用。本文采用水热合成法，以硝酸锶和钛酸丁酯为原料，以四甲基氢氧化铵为矿化剂，在低温下合成了高纯、超细单一钙钛矿型SrTiO3粉末作为光化学电池用光催化剂。

摘要： 针对当前蓝宝石氢原子氢标微波腔的频率温度系数比较高，提出采用一种新的负温度系数晶体——钛酸锶。通过软件仿真计算，对蓝宝石微波腔进行介质温度补偿设计及优化，并比较了钛酸锶与金红石的温度补偿能力。根据仿真设计进行实验，得到的实验结果证明了介质补偿的有效性。当钛酸锶晶体尺寸为Φ17×8 mm时，温度系数为由元补偿时的-66 kHz/°C降为-10.35 kH/°C。

摘要： 介绍第一性原理计算SrTiO3与GaAs的(001)表面构成的异质结界面。采用软件模拟构成异质结,以半导体材料GaAs作为衬底,而由于(001)表面GaAs旋转45°的晶格常数与SrTiO3的晶格常数接近,可构成良好的异质结.讨论其SrO-Ga和SrO-As界面异质结界面处能量,比较得到SrO-As界面异质结构更稳定。而异质结的能带图和电子态密度分析,得出界面出现了导电现象,可看作一层薄的导体,就其原因是界面原子存在的悬挂键造成的。

摘要： ZnO压敏材料问世50年来,新型压敏材料的研发一直备受各国研究者和业界的关注。根据本研究组的一些研究结果,结合有关文献报道,对国内外压敏陶瓷材料研究发展现状作了一回顾与综述,指出随着科学技术的飞速发展,无论是SrTiO4系压敏陶瓷、TiO2系压敏陶瓷、低压ZnO压敏电阻和高压ZnO阀片还是多层片式ZnO压敏电阻器,各种新型压敏陶瓷材料和压敏元件的研发都取得了很大进展。然而,近年来国外在高性能、高梯度ZnO阀片和在新型SnO2压敏材料领域的醒目进展需要引起国内业界的极大关注。

摘要： ZnO压敏材料问世50年来,新型压敏材料的研发一直备受各国研究者和业界的关注。根据本研究组的一些研究结果,结合有关文献报道,对国内外压敏陶瓷材料研究发展现状作了一回顾与综述,指出随着科学技术的飞速发展,无论是SrTiO4系压敏陶瓷、TiO2系压敏陶瓷、低压ZnO压敏电阻和高压ZnO阀片还是多层片式ZnO压敏电阻器,各种新型压敏陶瓷材料和压敏元件的研发都取得了很大进展。然而,近年来国外在高性能、高梯度ZnO阀片和在新型SnO2压敏材料领域的醒目进展需要引起国内业界的极大关注。

摘要： ZnO压敏材料问世50年来,新型压敏材料的研发一直备受各国研究者和业界的关注。根据本研究组的一些研究结果,结合有关文献报道,对国内外压敏陶瓷材料研究发展现状作了一回顾与综述,指出随着科学技术的飞速发展,无论是SrTiO4系压敏陶瓷、TiO2系压敏陶瓷、低压ZnO压敏电阻和高压ZnO阀片还是多层片式ZnO压敏电阻器,各种新型压敏陶瓷材料和压敏元件的研发都取得了很大进展。然而,近年来国外在高性能、高梯度ZnO阀片和在新型SnO2压敏材料领域的醒目进展需要引起国内业界的极大关注。

摘要： 一种SBT-BST异质介电材料及其合成方法和应用。该材料以Si片作衬底，由多层衬底电极和沉积在其上的多层膜组成，多层衬底电极由Si片和依次沉积在Si片的表面上的SiO

摘要： 本发明涉及一种掺Mn的钛酸铋纳-钛酸铋钾-钛酸锶三元系压电薄膜材料及其制备方法，按0.95(0.8Bi

摘要： 本发明提供一种锶‑二氧化钛/钛酸锶纳米异质结的制备方法，是以TiO2纳米片和Sr(NO3)2·8H2O为原料，在去离子水中发生水热反应后得到的；所述水热反应的条件为180°C，120分钟。本发明还提供应用该方法制备得到的Sr‑TiO2/SrTiO3纳米异质结及其应用。本发明成功地将Sr2+掺入TiO2/SrTiO3中，提高了TiO2的光生载流子的分离效率，Sr2+的掺杂改善了TiO2/SrTiO3的光电化学性能，Sr‑TiO2/SrTiO3纳米片异质结材料在光催化分解水方面有着良好的应用。

摘要： 本发明属于高温压电陶瓷材料领域，具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2，其中0.01≤x≤0.04，0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低，还保持了高压电性能和高居里温度，满足高温压电传感器对压电功能元件的要求，制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产，在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。

摘要： 一种钛酸锶铅薄膜的制备方法及制备的钛酸锶铅薄膜，所述方法是在具有底电极的衬底上利用原位射频磁控溅射的方法制备钛酸锶铅薄膜，在制备薄膜过程中将衬底温度加热到200-500°C，使溅射和薄膜的结晶在所述衬底温度下进行以制备所述薄膜。本发明制备的薄膜所需要的处理温度非常低，可以直接同硅器件进行集成，且具有优异的性能，显示该工艺制备的薄膜具有较好的应用前景；本发明所制备的薄膜通过改变薄膜的结晶度实现薄膜在零场和高场下介电常数皆可通过改变衬底温度调制，从而使得调谐率在更宽的范围内得以优化。

摘要： 一种氧化钛和氧化钡和/或氧化锶的无定型粉末通过在氧化钡、氢氧化钡或醇钡或者氧化锶、氢氧化锶或醇锶以及含有6个碳原子以上的酸性有机化合物存在下水解醇钛被沉淀，将无定形粉末进行加热，同时用含有水蒸汽、氨气或CO2的气流处理以使钛酸钡或钛酸锶发生结晶，并蒸除酸性有机化合物。钛酸钡和/或钛酸锶晶体的粒度小于1微米，它们具有不规则的多角形形态。

摘要： 本发明涉及一种掺Mn的钛酸铋纳-钛酸铋钾-钛酸锶三元系压电薄膜材料及其制备方法，按0.95(0.8Bi

摘要： 本发明提供一种锶‑二氧化钛/钛酸锶纳米异质结的制备方法，是以TiO2纳米片和Sr(NO3)2·8H2O为原料，在去离子水中发生水热反应后得到的；所述水热反应的条件为180°C，120分钟。本发明还提供应用该方法制备得到的Sr‑TiO2/SrTiO3纳米异质结及其应用。本发明成功地将Sr2+掺入TiO2/SrTiO3中，提高了TiO2的光生载流子的分离效率，Sr2+的掺杂改善了TiO2/SrTiO3的光电化学性能，Sr‑TiO2/SrTiO3纳米片异质结材料在光催化分解水方面有着良好的应用。

摘要： 本发明属于高温压电陶瓷材料领域，具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2，其中0.01≤x≤0.04，0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低，还保持了高压电性能和高居里温度，满足高温压电传感器对压电功能元件的要求，制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产，在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。

摘要： 本发明的目的在于提供一种钛酸锶/钌酸锶铁电超晶格薄膜材料及其制备方法，该材料由周期性生长的量子顺电绝缘体钛酸锶和金属导电性氧化物钌酸锶所构成。本发明的钛酸锶/钌酸锶铁电超晶格薄膜材料是一种高性能的无铅铁电材料，其剩余极化强度达到33.0μC/cm