金属氧化物半导体场效应晶体管
金属氧化物半导体场效应晶体管的相关文献在1990年到2022年内共计678篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文163篇、会议论文37篇、专利文献1680932篇;相关期刊61种,包括电力电子技术、电力电子、电子产品世界等;
相关会议14种,包括第四届全国脉冲功率会议、2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会、中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛等;金属氧化物半导体场效应晶体管的相关文献由1320位作者贡献,包括张进成、韩根全、安荷·叭剌等。
金属氧化物半导体场效应晶体管—发文量
专利文献>
论文:1680932篇
占比:99.99%
总计:1681132篇
金属氧化物半导体场效应晶体管
-研究学者
- 张进成
- 韩根全
- 安荷·叭剌
- 郝跃
- 刘艳
- 孔蔚然
- 柏松
- 王新
- 凯尔·特里尔
- 张玉明
- 涂高维
- 蔡成宗
- 蔡振华
- 许曙明
- 谢福渊
- 陈柏安
- 雪克·玛力卡勒强斯瓦密
- 韦维克
- 马万里
- J·X·安
- 刘明山
- 唐纳德·R·迪斯尼
- 弗兰茨娃·赫尔伯特
- 徐秋霞
- 徐静平
- 李汉祥
- 杨银堂
- 林逸程
- 胡正明
- 陈大容
- 黄润华
- K-I.陈
- 不公告发明人
- 冯倩
- 刘航志
- 吕新立
- 吴健
- 吴国铭
- 周弘
- 周郁明
- 哈姆扎·耶尔马兹
- 夏晓川
- 宋庆文
- 廖志强
- 张春福
- 张鼎张
- 彭树根
- 斯科·K·雷
- 杨春松
- 杨绍明
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高秀秀;
邱乐山;
戴小平;
李诚瞻
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摘要:
为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中退火,测试了其输出和转移曲线,提取了有效迁移率和场效应迁移率,利用亚阈值摆幅法提取了界面态密度,并探讨了漏源电压、晶圆位置、温度对迁移率和界面态密度的影响。结果显示,LDMOSFET的沟道尺寸对沟道迁移率和界面态密度有显著的影响,增加NO的退火温度和时间可以提高沟道迁移率,1250°C40 min NO退火和1200°C70 min NO退火的LDMOSFET的常温峰值迁移率均约为45 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),沟道迁移率随测试温度的增加而增加,且高栅压下栅压比测试温度对迁移率的影响更大。
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杨燚;
赵凯;
赵钰迪;
董俊辰
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摘要:
研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应。利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐照诱导陷阱电荷和载流子的生成以及载流子俘获/发射等多种物理行为对阈值电压漂移的影响。结果显示MOSFETs阈值电压漂移主要受温度、辐照剂量和被钝化的悬挂键密度的影响。随着温度的升高,栅介质内产生新的缺陷参与载流子输运等行为,导致阈值电压漂移更加明显。辐照剂量很小时辐照效应相对较小,陷阱诱导的退化是主要的影响因素;随着辐照剂量的累积,辐照效应开始占主导地位并产生强烈的负向漂移;当辐照剂量累积到极高水平时,阈值电压漂移表现出反弹效应。
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黄东;
陈志达;
龚泽鹏;
吕晓哲;
苗瑞霞
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摘要:
为了降低低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)的噪声系数(Noise Figure,NF),提出了一种LNA衬底电阻噪声抑制方法。根据金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide Semiconductor,MOS)的衬底寄生电阻在源衬电容间产生噪声电流的原理,利用MOS管衬底电阻的小信号模型得出衬底噪声电流在大于一定的衬底电阻阻值时存在反比关系,采用增大衬底电阻阻值方法来降低MOS管衬底电阻噪声,从而减小整体LNA的噪声系数。将此方法应用于共栅级、电阻负反馈共源级与源简并电感型共源级等3种LNA中,采用台积电0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明,应用降噪技术后,共栅级、源简并电感型共源级和电阻负反馈型共源级LNA的NF最高降幅分别为0.99 dB、1 dB与1.18 dB。所提方法能够有效降低LNA的NF,并且提高3种LNA的线性度。
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李明珠;
蔡小五;
曾传滨;
李晓静;
李多力;
倪涛;
王娟娟;
韩郑生;
赵发展
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摘要:
静电放电(electro-static discharge,ESD)防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数,但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险.本文研究了ESD防护结构N沟道金属-氧化物-半导体(N-channel metal oxide semiconductor,NMOS)在30—195°C的工作温度下的维持特性.研究基于0.18μm部分耗尽绝缘体上硅工艺下制备的NMOS器件展开.在不同的工作温度下,使用传输线脉冲测试系统测试器件的ESD特性.实验结果表明,随着温度的升高,器件的维持电压降低.通过半导体工艺及器件模拟工具进行二维建模及仿真,提取并分析不同温度下器件的电势、电流密度、静电场、载流子注入浓度等物理参数的分布差异.通过研究以上影响维持电压的关键参数随温度的变化规律,对维持电压温度特性的内在作用机制进行了详细讨论,并提出了改善维持电压温度特性的方法.
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魏兆阳;
王佳宁;
黄耀东;
樊志鑫
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摘要:
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其优越的材料特性正逐渐替代硅(Si)基器件成为电力变换的核心器件,其长期运行的可靠性是一直以来的研究焦点。功率循环试验是评估其可靠性的有效方法,但目前大多试验的研究对象均为独立的单管或模块,此处将由多个SiC MOSFET单管、陶瓷片、导热硅脂、叠层母排及水冷散热器组成的模组作为研究对象,通过功率循环试验对其整体可靠性进行评估,并通过结构函数法实现模组整体热阻的监测以及导热硅脂热阻退化程度的判断。试验结果表明,在功率循环试验后SiC MOSFET单管结到外壳的热阻基本保持不变,模组的失效原因为导热硅脂层热阻增大引起结温升高,最终导致键合线先失效。
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白卫;
卢胜标;
刘冲
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摘要:
提出一种用于电力杆塔缺陷检测脉冲电源拓扑及其样机实现。该脉冲电源的拓扑采用新型开关器件,可满足脉冲快速、可调需求。电力杆塔缺陷检测需要在几十千伏的电压下产生具有亚纳秒上升时间的脉冲电源,为实现这一点,将传统脉冲电源引入固态开关器件。所提出的脉冲电源设计为由多个堆叠的同轴层组成的拓扑结构,其中每层由包含多个开关器件的印刷电路板(PCB)组成。然后,对所提出的脉冲电源进行3D电磁仿真分析,并设计5 kV脉冲电源样机,测试样机在2.5 kV、50Ω负载下可实现6 ns的脉冲上升时间,验证所提电源能够产生灵活脉冲波形,从而验证所提出设计方法的有效性。
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郑磊;
杜明星
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摘要:
碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结温的精准估计是其损耗计算、寿命预测与可靠性评估的重要基础.SiC MOSFET的结温估计常采用热敏感电参数法,该方法具有快速响应与高准确度等优点.首先研究了 SiC MOSFET关断阶段的电气行为特性,并重新定义了关断延迟时间的区间.其次,分析重新定义的关断延迟时间与温度的理论关系,进而证明相比于传统定义下的关断延迟时间,重新定义的关断延迟时间具有更为优良的温度特性.最后,提出以重新定义的关断延迟时间作为热敏感电参数的SiC MOSFET结温在线估计方法.实验结果表明,提出的方法具有较高的测量精度.
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赵春阳;
王恩会;
侯新梅
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摘要:
SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要.建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段.本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型(Song模型和Massoud经验关系式)以及硅碳排放模型(Si-C emission model)进行系统研究和比较.在此基础上,分析已有模型的优缺点,提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路.
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党晓圆;
李洁;
李辉;
于仁泽
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摘要:
针对雪崩工况下碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)芯片温升大影响材料热参数变化,往往导致温度计算不准确的问题,提出计及材料热参数温度依赖性的芯片瞬态热网络模型.首先,分析SiC MOSFET芯片材料的温度依赖性,采用多项式拟合获取热参数随温度变化规律;其次,利用扫描电子显微镜获取SiC MOSFET芯片几何参数,建立芯片元胞模型并通过实验验证其准确性,获取雪崩过程电压电流波形;最后,考虑温度对材料热参数的影响,建立SiC MOSFET芯片瞬态热网络模型,揭示雪崩工况下芯片温度变化规律.结果表明,与不考虑温度影响模型相比,所建芯片瞬态热网络模型更能准确地反映雪崩全过程芯片温度变化,且芯片温度骤升主要体现在内部,外部影响少.
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王异凡;
张斌;
郭清;
龚金龙
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摘要:
为获得两芯片碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)并联半桥模块的优化设计方案,采用Ansoft Q3D Extractor软件对不同互联拓扑结构的模块寄生电感进行研究,并通过ANSYS软件对不同互联拓扑结构的热传递过程进行了仿真.通过改变并联半桥模块内部换流回路中各元件的布局方式,减小模块内部换流通路的长度以及面积,从而实现减小寄生电感的目的,同时,也对不同方案的热学特性进行了比较分析.综合考虑寄生电感和散热性能两方面的因素,最终确定最优的模块设计方案;根据优化方案,针对电动汽车应用制作了6芯片并联半桥模块,并搭建Boost电路对模块进00行了测试.
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XU Mingming;
许明明;
WANG Jianing;
王佳宁;
FENG zhijian;
冯之健
- 《中国电源学会第二十二届学术年会》
| 2017年
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摘要:
基于Cree官网提供的C2M系列SPICE模型,本文对SiC MOSFET静动态特性进行了深入分析.分析结果表明该模型在工作结温较低时,与datasheet提供的静态特性曲线较吻合,但工作结温较高时对SiC MOSFET静态特性的模拟效果较差,于是在该模型基础上增加了一个温控电压源,以补偿工作结温上升带来的影响.之后,通过进行双脉冲测试,对比分析了该模型对SiC MOSFET动态特性的模拟效果.经过上述静、动特性的分析,发现该模型可较为准确地反映低结温时器件的真实工作特性,增加温控电压源后也适用于高结温工作状态.
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XU Mingming;
许明明;
WANG Jianing;
王佳宁;
FENG zhijian;
冯之健
- 《中国电源学会第二十二届学术年会》
| 2017年
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摘要:
基于Cree官网提供的C2M系列SPICE模型,本文对SiC MOSFET静动态特性进行了深入分析.分析结果表明该模型在工作结温较低时,与datasheet提供的静态特性曲线较吻合,但工作结温较高时对SiC MOSFET静态特性的模拟效果较差,于是在该模型基础上增加了一个温控电压源,以补偿工作结温上升带来的影响.之后,通过进行双脉冲测试,对比分析了该模型对SiC MOSFET动态特性的模拟效果.经过上述静、动特性的分析,发现该模型可较为准确地反映低结温时器件的真实工作特性,增加温控电压源后也适用于高结温工作状态.
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XU Mingming;
许明明;
WANG Jianing;
王佳宁;
FENG zhijian;
冯之健
- 《中国电源学会第二十二届学术年会》
| 2017年
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摘要:
基于Cree官网提供的C2M系列SPICE模型,本文对SiC MOSFET静动态特性进行了深入分析.分析结果表明该模型在工作结温较低时,与datasheet提供的静态特性曲线较吻合,但工作结温较高时对SiC MOSFET静态特性的模拟效果较差,于是在该模型基础上增加了一个温控电压源,以补偿工作结温上升带来的影响.之后,通过进行双脉冲测试,对比分析了该模型对SiC MOSFET动态特性的模拟效果.经过上述静、动特性的分析,发现该模型可较为准确地反映低结温时器件的真实工作特性,增加温控电压源后也适用于高结温工作状态.