遂良

摘要： 张效彬（1882—1968）,名玮、字效彬,号敔园,河南固始人,光绪二十八年（1902）中秀才,后留学于英国剑桥大学,归国后,任教于京师政法学堂。民国以后任北洋政府驻帝俄远东（伯力）领事,十月革命后归国,曾任教于中国大学、辅仁大学、朝阳学院等,喜收藏,精鉴赏,是民国时期北京著名的文物收藏、鉴赏大家。其父张仁黼为朱翼盦先生岳父,张效彬即朱翼盦之子朱家济、家濂、家源、家溍的三舅。

摘要： 当代书法界普遍认同书法是一门汉字书写的技艺,其师法＂传统＂,作＂带镣之舞＂,从而＂技进乎道＂。在这种概念与逻辑思维的指导下,书法家们日夜沉浸于传统碑帖,钻研＂十八般＂技艺,然将技艺烂熟于胸后,总还是与＂技进乎道＂的日子遥遥无期。

摘要： 【字源解说】屯,既是声旁也是形旁,表示种子萌芽扎根。春,甲骨文 = （林野）＋ （太阳）＋ （屯,像一颗种子,上部冒芽,下部生根）,表示经过了万物凋零的冬季,阳光回归,大地升温,地里的种子苏醒破壳,扎根生长,广阔林野,遍布新绿。

摘要： 在书法理论汉魏“力”“气”“势”、晋南北朝“情”“品”“韵”、唐宋“法”“意”“态”、明清“别”“流”“派”体系框架中,“格”并未进入其中蔚成气象。但“格”作为一个重要的美学概念,一直蕴含在传统书法理论之中,和“品”“味”“质”如影随形,唇齿相依。

摘要： 在篆隶楷行草的书体演变过程中,并不像大多数人想象中的那样先有楷书,然后发展成行书,最后形成草书。苏轼在书论中谈到张旭的草书时说：＂真生行,行生草。真如立,行如行,草如走,未有未能行立而能走者也。＂有的人认为真书就是指今天的楷书,所以行书是楷书的快写,其实这是不正确的。

摘要： 唐代著名的爱国政治家、诗人和书法家颜真卿酷爱体育,是一位典型的＂体育达人＂,长期的体育锻炼造就了书法大家的强健体魄。颜真卿自五岁起即拜在褚遂良、张旭门下练习书法。众所周知,书法讲究眼力、臂力与腰力的协调运作,书写时,书者必须凝神静气,摒弃杂念,心无旁骛,眼观鼻,

摘要： 我终于写到楷书了。我用了＂终于＂这个词,有点江山收了的意味。白茫茫大地真干净了,我才写到楷书。也像人到中年,客途听雨,满怀愁肠了,少年嫩绿没有了,一把辛酸无人说了,猛一回头,看到临摹的一篇楷书,下笔便到乌丝栏,面上不动声色,内心波涛翻滚了。少年听雨歌楼上,

摘要： 沈尹默的书法作品,理性、平实、规范,以＂二王＂为基调。从他的很多作品中都可以看到笔法的严谨,从起笔开始,对运笔、收笔都比较在意,很少有松懈的笔画,结字也中规中矩,少有开合变化。也正是因为沈氏作品带有规范、严谨的书写作风,使得他没有白蕉笔下那份从容。但是,这种规范、严谨的帖学观,呈现了一位帖学开拓者对于帖学的担当,他的探索无疑赋予了近现代帖学更为理性和积极的内涵。

摘要： 永徽六年（655年）,唐高宗以王皇后无生育为由,要废掉她,立武昭仪为后。此时,身为长安县令的裴行俭,敏锐地观察到这件事的后果,料定＂国家忧患必从此始＂。于是,他不顾位卑和风险,向太尉长孙无忌和左仆射禇遂良作了汇报,并商议对策。后来的事果然被裴行俭言中,李唐宗室被大量屠杀,国号也＂改旗易帜＂。裴行俭的所为很快被人告发,他被逐出京城,降职为西州都督府长史,但他并未因此而后悔。

摘要： 本发明公开了一种GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法。所述方法包括：在衬底上生长形成主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙；在第二半导体上生长形成栅介质层；刻蚀除去与漏电极对应区域的栅介质层，并制作漏电极，且使漏电极与形成于异质结构中的二维电子气形成欧姆接触；采用自对准工艺进行栅、源电极的制作，使源、栅电极分别与第二半导体和栅介质层形成肖特基接触。本发明充分利用电子遂穿效应实现了HEMT器件以常关型工作模式运行，提高了器件应用的安全性，并且功耗低，特别是通过采用自对准工艺，降低了工艺难度和器件的成品率，重复性好，利于工业化生产。

摘要： 本发明提供一种半导体产品的良率分析方法及良率分析系统，包括对过站资料的良率数据进行差异性分析，对量测资料及炉管位置资料的良率数据进行相关性分析，得到各个制程站点过站资料、量测资料及炉管位置资料的指标，并采用信息熵对过站资料、量测资料及炉管位置资料赋予权重，以获得到各制程站点的关键影响因素及各制程站点的综合指标。本发明可用于对影响半导体产品质量的根本原因从数据角度进行查找，使分析结果更加准确，提高了分析效率，并及时调整参数和实验，提高良率，降低成本。

摘要： 本发明公开了一种GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法。所述方法包括：在衬底上生长形成主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙；在第二半导体上生长形成栅介质层；刻蚀除去与漏电极对应区域的栅介质层，并制作漏电极，且使漏电极与形成于异质结构中的二维电子气形成欧姆接触；采用自对准工艺进行栅、源电极的制作，使源、栅电极分别与第二半导体和栅介质层形成肖特基接触。本发明充分利用电子遂穿效应实现了HEMT器件以常关型工作模式运行，提高了器件应用的安全性，并且功耗低，特别是通过采用自对准工艺，降低了工艺难度和器件的成品率，重复性好，利于工业化生产。

摘要： 本发明提供了一种良外观、良喷涂滑石粉填充PC/PBT合金及其制备和应用，所述PC/PBT合金组合物包括PC树脂40～70份、PBT树脂15～38.5份、滑石粉8～17份、增韧剂3～10份、异氰酸酯0.4～3份、中和分散剂0.4～3份、加工助剂0.4～2份；由该组合物制备得到的滑石粉填充PC/PBT合金材料具有优异的外观和喷涂性，且易工业化生产，适用于汽车外饰件、电子电器和家电等领域。

摘要： 本发明公开检测平附种良卵数、良卵率、实用孵化率的方法，涉及蚕养殖技术领域，包括如下步骤：S1：将蚕卵样本包进袋状结构内，进行催青，所述蚕卵样本点青后，进行遮黑孵化；S2：自所述蚕卵样本孵化第一日起，连续三天进行图像采集和统计；S3：计算良卵数、良卵率以及实用孵化率。本发明提供的方法，能够减轻检测人员的劳动强度，提高检测效率，同时检测结果更为客观准确。

摘要： 本发明公开用于确定参数时序良率及瓶颈的方法及设备的各种实施例，所述方法及设备通过设计中的集成电路芯片的共同时序弧考虑电路路径之间的相关性。时序弧延迟的蒙特卡罗样本经生成并用于计算时序良率且识别良率瓶颈。

摘要： 本发明提供一种半导体产品的良率分析方法及良率分析系统，包括对过站资料的良率数据进行差异性分析，对量测资料及炉管位置资料的良率数据进行相关性分析，得到各个制程站点过站资料、量测资料及炉管位置资料的指标，并采用信息熵对过站资料、量测资料及炉管位置资料赋予权重，以获得到各制程站点的关键影响因素及各制程站点的综合指标。本发明可用于对影响半导体产品质量的根本原因从数据角度进行查找，使分析结果更加准确，提高了分析效率，并及时调整参数和实验，提高良率，降低成本。

摘要： 本发明涉及一种良外观良触感聚丙烯组合物及其制备方法，包括如下组分：聚丙烯、密炼颗粒、聚丁烯、玻璃纤维、相容剂。本发明大大的改善了表面触感，材料表面的光泽度也得到了很大提升，具有极好的相容性无任何析出等特点，得到的材料具有均衡的物理性能，在汽车、家电、电动工具等行业会有广泛的应用前景。

摘要： 本发明涉及保护膜形成膜(1)及保护膜形成用片(2)、以及使用这些膜或片的工件或加工物的制造方法及检查方法、以及基于上述检查方法而被判断为良品的工件及加工物，其中，保护膜形成膜(1)含有填料，填料的平均粒径为0.4μm以下。根据本发明的保护膜形成膜及保护膜形成用片，在进行基于激光照射的打印加工时可形成打印视觉辨认性优异的保护膜。

摘要： 本实用新型涉及一种电池次品与良品分料和良品配对机构，包括：平台支撑座、伺服移载平台、旋转流道组件、检测次电池缓存线体、检测良电池出料线体和气缸；伺服移载平台设置在平台支撑座上并且位于旋转流道组件的正下方；检测次电池缓存线体设置在旋转流道组件的一边；检测良电池出料线体设置在旋转流道组件的另一边，在检测次电池缓存线体和检测良电池出料线体的两端分别设置有电机防护罩，气缸设置在平台支撑座的上方，同时位于旋转流道组件的下方。本实用新型实施例提供的一种电池次品与良品分料和良品配对机构能很好的实现对电池次品和良品进行分料和良品配对功能，装置兼容性强，生产效率高。