超级芯片

摘要： 在康斯威星球上,有一个伟大的发明家叫威尔博士,他穷尽一生的精力研发出T300系列智能武装机器人,而科翰是这批机器人中最出色的一员,因为它的胸口上安装着超级芯片,这使它能够在战场上快速分析敌情,并作出准确的判断,带领康斯威星人无往不胜。

摘要： 海信MU7000U系列产品是指型号为LED43M7000U、LED50MU7000U、LED55MU7000U、LED65MU7000U、LED70MU7000U等产品，其中除43英寸不是使用ULED屏，其他型号均使用ULED屏。该系列产品使用MSD6A828EV超级芯片，集成有图像、声音信号处理及整机控制等功能。配合主芯片MSD6A828EV电路中还使用了四块DDR3（型号为H5TQ4G63CFR-RDC）、一块EMMC存储器（型号为KLM4GIFE3A-A001）、一块数字伴音功放（型号为NTP8204，位号N81）及一块画质处理HS3700。

摘要： 一台长虹PF29118彩电，通电后不开机。该机属长虹CH-13（F31）机芯。采用超级芯片CH04T1307／LA76933G7N／59E47LAOV，开关电源采用FSCQ1265RT。

摘要： 一台14英寸CRT组装彩电，开机后屏上出现一条水平亮线。该机采用华洋彩电主板，小信号处理及遥控控制为超级芯片LA76931，场输出电路为LA78040。

摘要： 英特尔公司目前正积极面向服务器及工作站设备开发一款强大的至强Phi处理器,旨在针对人工智能软件进行“优化”--目前其代号已经公布,名为Knights Mill.

摘要： 故障现象：一台TCLNT21A31A彩电，雷击后AV输入无图像、无伴音；接收有线电视信号，声像均正常。由于我地全面使用数字电视机顶盒，同时有线电视只有6个模拟频道，因此用户要求修理。

摘要： 英特尔公司于日前宣布，该公司的72核超级芯片将进入量产阶段，并有可能应用在工作站产品中。这款代号为“Knights Landing（登陆骑士）”的芯片被认为是英特尔目前最强大的芯片。英特尔公司HPC平台集团总经理Charles Wuischpard表示，他们将会在2016年上半年推出有限数量的搭载这款72核芯片的工作站产品，而当这肷产品的使用范围扩展了之后，他们希望PC制造商和其他合作伙伴能够出售配有这款芯片的台式机。

摘要： 2014年8月26日，全球首款Intel Moorefield四核处理器平板电脑——华硕新品Fonepad7FE7530CXG品鉴会在京举行。这款新品被称为“三超话王”，是集超级芯片、超长待机、超窄边框为一体的超快通话平板。该产品官方正式售价仅为1299元!

摘要： 康佳T2568K彩电是康佳集跚开发的超级挚片K系列彩电之一，该系列测采用了将微处理器与小信号处理电路合二为一超级芯片TDA9383，康佳公司命名为CKPl403S；环绕市体声处理电路TDA7429T，丽音解码电路TDA9874AN，存储器型号为PCF8598或M24C08。

摘要： 2．图像处理电路的维修 数字视频信号处理电路主要包括A／D转换、去隔行处理、图像缩放电路SCALER等，一般由一片超级芯片或几片芯片完成，其主要作用是把图像模拟信号处理电路处理后的TV视频信号和Av输入信号以及VGA、DVI输入信号进行A／D转换，

摘要： 公开一种适合于使用焊料回流工艺安装在印刷电路板上的储能设备。在一些实施例中，所述设备包括：密封的壳主体(例如，其上附接有盖的下主体)，所述密封的壳主体包括设置在所述主体内的正极内部接触件和负极内部接触件(例如，金属接触垫)，并且每个接触件相应地与正极外部接触件和负极外部接触件电连通。所述外部接触件中的每个都提供到主体外部的电连通，并且可以设置在所述主体的外表面上。双电层电容器(EDLC)(在本文中也称为“超级电容器”或“超级电容”)储能单元设置在所述主体中的空腔内，包括交替的电极层和电绝缘分隔体层的堆叠体。电解质设置在所述空腔内并且润湿所述电极层。正极引线将第一组一个或多个所述电极层电连接到所述正极内部接触件；并且负极引线将第二组一个或多个所述电极层电连接到所述负极内部接触件。

摘要： 本发明涉及一种非对称微芯片超级电容器及其制备方法，包括：将墨水性质的正负极浆料分别加在PDMS模板两侧凹槽内，在毛细管力的作用下实现非对称微芯片电极的自组装；使用PAM/Na2SO4凝胶为电解质，完成器件组装。墨水性质的电极浆料在微芯片器件的组装过程中容易操控，可以形成非常均匀的电极薄膜。非对称微芯片器件与传统三明治结构器件相比具有更好的柔性和抗弯折性能。对非对称微芯片器件的低成本、大规模制备具有一定的指导意义。

摘要： 本发明提供一种超级电容器芯片的制备方法、超级电容器芯片及超级电容器，其提供一具有导电线路的衬底；在所述衬底上形成两个独立设置的集流体，每个所述集流体电连接至衬底的导电线路之上；在其中一所述集流体上制备正电极，在另一所述集流体上制备负电极，并在正电极与负电极之间形成固态/准固态电解质膜，得到多层膜；将所述多层膜用封装膜进行封装保护，得到超级电容器芯片。利用上述方法制备得出的超级电容器芯片集成超级电容器后能够满足大电流或大电压的使用需求。

摘要： 本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，属于半导体技术领域，制造方法包括：提供具有外延层的衬底；在外延层的上表面定义刻蚀区域；根据刻蚀区域，利用刻蚀工艺在外延层内形成具有第一深度的刻蚀沟槽；对刻蚀沟槽的底部进行离子注入形成掺杂区，掺杂区具有第二导电类型且掺杂区的第二深度与第一深度之和等于目标深度；在刻蚀沟槽进行外延填充以形成填充区，填充区与掺杂区形成的纵向掺杂区与相邻的外延层区域构成超级结；形成栅极和体区，体区位于纵向掺杂区的顶部，栅极位于外延层的上表面并覆盖部分体区。通过本发明提供的方法，提高沟槽刻蚀深度的均一性，减小沟槽深宽比，改善外延填充空洞。

摘要： 本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，属于半导体技术领域，制造方法包括：提供具有外延层的衬底，所述衬底和所述外延层具有第一导电类型，且所述衬底为重掺杂；在所述外延层的上表面定义刻蚀区域；根据所述刻蚀区域，利用刻蚀工艺在所述外延层内形成沟槽；通过外延填充在所述沟槽内形成具有第二导电类型的填充区，所述填充区与相邻的外延层区域构成超级结，其中，所述填充区的杂质浓度按照由下至上的方向依次递减；形成栅极和体区，所述体区位于所述填充区的顶部，所述栅极位于所述外延层的上表面并覆盖部分体区。通过本发明提供的方法，能够保证超级结实现电荷平衡，提高击穿电压。

摘要： 芯片形式超级电容器。公开一种适合于使用焊料回流工艺安装在印刷电路板上的储能设备。在一些实施例中，所述设备包括：密封的壳主体(例如，其上附接有盖的下主体)，所述密封的壳主体包括设置在所述主体内的正极内部接触件和负极内部接触件(例如，金属接触垫)，并且每个接触件相应地与正极外部接触件和负极外部接触件电连通。所述外部接触件中的每个都提供到主体外部的电连通，并且可以设置在所述主体的外表面上。双电层电容器(EDLC)(在本文中也称为“超级电容器”或“超级电容”)储能单元设置在所述主体中的空腔内，包括交替的电极层和电绝缘分隔体层的堆叠体。电解质设置在所述空腔内并且润湿所述电极层。

摘要： 本发明公开了一种用于芯片测试的超级平整度PCB制作方法及PCB，属于PCB制作技术领域。本发明的PCB制作方法包括获取PCB的原始材料，其中，原始材料包括上层板、下层板、第一铜基板、第二铜基板、至少一个芯板、至少两个半固化板；在第一铜基板的一侧放置第一光板层，在第二铜基板的一侧放置第二光板层；根据预设的第一压合叠层，将第一铜基板、第二铜基板、至少一个芯板和至少两个半固化板进行压合，得到第一内层板；对第一内层板进行蚀刻和研磨处理，得到第二内层板；根据预设的第二压合叠层，将第二内层板、上层板、下层板进行压合，得到多层板；对多层板进行标准化处理，得到最终的PCB。这种PCB制作方法能够使得PCB满足平整度的要求。

摘要： 本发明提供了一种高效率充电集成微型超级电容组芯片，内部包括电源电路、均压电路、微型超级电容组和控制电路，采用半导体制造工艺，将微型超级电容组和电路制造在硅基上，通过硅基键合技术结合在一起，然后进行封装；其中控制电路分别与电源电路、均压电路以及微型超级电容组相连；电源电路的输出端与均压电路以及微型超级电容组相连，为均压电路以及微型超级电容组供电；均压电路与微型超级电容组连接，通过均压电路实现微型超级电容组中各个电容间的均压；微型超级电容组由多个微型超级电容器组成。本发明通过微型储能器件和电路相结合，利用比较器和电阻构成施密特触发器进行电压检测、缓冲器、反相器实现一个反馈通道，以便对电路做出迅速的反应，以更好的保护微型超级电容器。

摘要： 本发明公开了一种3D打印技术制备叉指状芯片式微型超级电容器的方法。其步骤：1)利用建模软件，设计叉指状芯片式电极图案；2)以高分子丝材为原料，利用3D打印技术，打印出叉指状芯片式电极凹模具，由底板和凹槽构成的叉指状芯片式电极图案两部分组成；3)在凹槽中通过滴涂工艺依次沉积银集流体、电极活性物质和银集流体，得到叉指状电极；4)在叉指状电极叉指部分涂抹电解质，电极两端连接铜片，过塑封装，制成叉指状芯片式微型超级电容器。该方法工艺简单，制作精度高，成本低，可自行设计电极图案，所得微型超级电容器的电极活性物质单位面积负载量大，微电容器能量密度高，同时具有优良的拉伸性能，适于大规模生产。

摘要： 本实用新型实施例公开了基于低压超级电容的时钟芯片电路和弱电设备，包括芯片起振电路、限压恒流电路、输出电平转换电路、时钟芯片和超级电容；超级电容的耐压为2.5V，时钟芯片包括振荡器输入引脚、振荡器输出引脚、正电源引脚、串行时钟输入引脚和串行数据I/O引脚；限压恒流电路与超级电容并联，用于限制超级电容的充电电压和充电电流；超级电容的正极与直流电压源以及正电源引脚相连；振荡器输入引脚和振荡器输出引脚分别与芯片起振电路的两端相连；串行时钟输入引脚和串行数据I/O引脚分别与输出电平转换电路的时钟信号输入引脚和串行数据输入引脚相连，以对时钟芯片的输出信号进行电平转换。本方案保证超级电容的使用寿命，维持良好供电状态。