二极管激光

摘要： 牙本质敏感症是一种常见、多发的临床症状,具有较高的发生率。研究表明,在18岁~35岁间约有42%的人具有牙本质敏感的症状,50岁以上具有牙本质敏感症状的人为70.8%。目前,治疗牙本质敏感症的主要方法以流体动力理论为基础,采用各种手段来封闭或阻塞暴露的牙本质小管,或封闭牙本质表面以隔绝各种外部刺激,避免小管内液体的异常流动而产生压力变化导致牙髓神经的刺激。然而临床中真正理想的脱敏剂是不存在的,没有一种有效的方法可以达到快速安全、永久性牙本质脱敏的目的。二极管激光是口腔临床常用激光,具有机体小、轻便,造价低廉、治疗波长可调控等优点,已应用于口腔临床多种疾病的治疗。目前,二极管激光已成为治疗牙本质敏感症的一项新技术,并取得了良好的效果,同时经二极管激光照射后牙本质小管管壁粗糙不平,且厚薄不一,容易使药物附着在表面,加速渗透,较单独的使用二极管激光具有更好的封闭效果。本文就国内外有关二极管激光在牙本质敏感症中的治疗及应用的研究进展作一综述。

摘要： 为了研究低强度红色激光能否有效控制近视儿童眼轴的延长,将50个8~12岁双眼近视的儿童随机分为框架眼镜联合红光组和框架眼镜对照组进行实验,3个月、6个月后随访眼轴长度、前房深度、角膜曲率、脉络膜厚度及屈光度。结果显示,红光组3个月和6个月后眼轴相对基线分别有82.5%和72.7%的近视右眼无轴性延长,而对照组近视眼100%右眼轴延长,红光组和对照组存在显著差异(p<0.0001),低强度红激光治疗有效延缓轴性近视进展。但是其他生物学参数,比如脉络膜厚度、前房深度、角膜曲率等均无统计学意义上的差别。

摘要： 目的 系统评价比较二极管激光经尿道前列腺剜除术(DiLEP)与经尿道前列腺等离子剜除术(PKEP)治疗前列腺增生安全性及效果.方法 检索2000年1月—2020年10月Embase、Cochrane library、PubMed、Web of Science、中国生物文献数据库、中国知网、万方、维普等数据库.比较两种手术方式的随机对照研究,采用RevMan 5.3软件进行meta分析.结果 共5篇文献纳入研究,荟萃分析显示两种手术方式在血红蛋白下降水平(P<0.00001)、术后膀胱冲洗时间(P=0.03)、术后留置尿管时间(P=0.003)、刺激症状发生率(P=0.003)以及术后第6个月国际前列腺症状评分(P=0.04)方面差异均有统计学意义.结论 与PKEK比较,DiLEP术中出血较少,术后膀胱冲洗时间及术后留置尿管时间较短,刺激症状发生率更低.此外,DiLEP在早期疗效方面与PKEP旗鼓相当,并且在症状缓解方面更有优势.

摘要： 针对用高功率近红外固体激光器进行激光倍频实验存在光路调节难度大、安全防护要求高的问题,提出一种基于低功率连续可见二极管激光的倍频实验方案.使用功率小于50 mW、中心波长506 nm的二极管激光作为基频光,利用偏硼酸钡晶体生成了nW级光功率的倍频紫外激光,并由高效光电倍增管探测.实验结果显示倍频光功率与基频光功率为二次函数关系,倍频效率与基频光功率为一次函数关系,实验结果与理论值高度吻合.该实验方案具有光路校准难度小和安全防护要求低的优点.

摘要： 目的:评价二极管激光治疗牙本质过敏症的疗效及安全性.方法:电子检索中国生物医学文献数据库、CNKI、Medline、CENTRAL,EMBASE和Pubmed数据库,收集有关二极管激光治疗牙本质过敏症的临床随机对照试验.文献筛选并提取数据后采用RevMan5.3.3软件进行Meta分析.结果:最终纳入文献9篇,涉及患牙1084颗.Meta分析显示,牙本质过敏症患者接受二极管激光治疗后即刻(Z=2.57,P=0.01)、1个月(Z=3.41,P=0.0006)、和6个月(Z=2.07,P=0.04),其牙本质过敏症状视觉模拟评分(visual analogue score,VAS)均较对照组明显降低,而在治疗后即刻(OR=3.24,P<0.00001)、1个月(OR=2.94,P=0.001)、3个月(OR=4.63,P<0.00001)和6个月(OR=5.17,P<0.00001)临床有效率也均明显高于对照组,差异有统计学意义.结论:二极管激光能够显著缓解牙本质敏感症患者的临床症状,具有十分积极的治疗作用.

摘要： 目的比较氯己定液根管冲洗与二极管激光对离体牙中粪肠球菌的抑菌效果。方法选择新鲜拔除的100颗人单根管恒牙浸泡于粪肠球菌悬液中,建立粪肠球菌感染根管模型。将100颗感染粪肠球菌的离体牙根管随机分为A、B、C1、C2、D五组,每组各20例。A组采用二极管激光处理,B组采用2%氯己定液冲洗,C1组采用5.25%次氯酸钠(NaClO)+乙二胺四乙酸(EDTA)液冲洗,C2组采用二极管激光+5.25%NaClO+EDTA液处理,D组采用0.9%生理盐水冲洗。测定菌落计数,分析杀菌率。结果实验后,根管菌落计数排序为D组>B组>C1组>A组>C2组,各组两两比较,差异均有统计学意义(P<0.05)。C2组杀菌率高于A组、B组、C1组及D组(P<0.05)。结论二极管激光治疗能抑制粪肠球菌的生长繁殖,与5.25%NaClO+EDTA联合应用于根管治疗效果良好,可降低菌落计数,杀菌率优于临床传统治疗。

摘要： Objective:To evaluate the clinical outcomes following non-surgical mechanical therapy of peri-implantitis with ad-junctive application of a diode laser.Methods:25 patients diagnosed with peri-implantitis were divided into two groups.Experimental group was treated with subgingival scaling and adjunctive application of a diode laser.Control group was treated with subgingival scal-ing.The periodontal clinical indexes were measured in two groups before and after operation in 3,6,12 and 24 month.Results:Pocket depth (PD),plaque index (PLI),and sulcus bleeding index (BI) were significantly lower than those in the control group (P 0.05).Conclusions:Non-surgi-cal mechanical therapy of peri-implantitis with adjunctive application of a diode laser yielded significant clinical improvements,the treatment is better than the simple mechanical scaling.%目的:研究二极管激光(Diode laser)治疗种植体周围炎的临床疗效.方法:将25例种植体周围炎患者随机分成两组,实验组采用龈下刮治和激光治疗,对照组常规龈下刮治.比较术前、术后3个月、6个月、12个月、24个月两组检测牙周临床指标.结果:术后3个月、6个月和12个月实验组探诊深度(PD)、菌斑指数(PLI)、出血指数(BI)均明显降低,与对照组相比有统计学意义(P0.05).结论:二极管激光联合龈下刮治能显著改善种植体周围炎症水平,治疗效果优于单纯机械刮治.

摘要： 目的:探讨二极管激光对慢性牙周炎的临床治疗效果.方法:将40例慢性牙周炎患者随机分为两组,分别进行牙周引导再生术.其中一组术后激光治疗,另一组术后未行激光治疗,另选取20名健康人群为对照组.术前、术后6个月、12个月检测各组牙周临床指标和龈沟液骨膜蛋白的浓度.结果:术后6个月与12个月两组临床指标均有显著改善,激光+手术组的效果更好;激光+手术组在6个月、12个月骨膜蛋白浓度均高于手术组,差异有统计学意义(P<0.05).结论:二极管激光可作为慢性牙周炎有效辅助治疗的方法.

摘要： 可调谐二极管激光吸收光谱(TDLAS)技术与长光程吸收池相结合构成的痕量气体检测系统具有高灵敏度、高精度、反应快等优点.由于激光器噪声、电子学噪声以及光学噪声的存在,实际测量得到的二次谐波信号出现偏差.分析了TDLAS谐波信号的特征,建立了谐波信号的数学模型,利用较高浓度气体的二次谐波信号作为标准曲线,对待测气体的谐波信号进行线性回归,并研究了相关系数和气体浓度的规律.以CO,CO2气体为例,验证了算法.

摘要： 本文实验研究了温度对近红外二极管激光波长调制光谱的二次与一次谐波信号比值的影响，实验结果表明随着温度的升高，比值减小，温度从 30°C 增加到 50°C，比值减小～5﹪，实验结果与理论计算相一致。对于同一个温度，二次和一次谐波信号的比值与浓度呈线性关系，因此对于二极管激光气体传感器的实际应用，可以通过温度标定曲线来对测量结果加以修正。

摘要： 本文利用近红外可调谐半导体二极管激光作为光源，将多光程吸收光谱技术、波长调制光谱技术和谐波探测技术相结合，建立了一套具有高灵敏度和分辨率的测量气态分子光谱和进行微量分析的实验装置。并利用该装置研究了压力 0.5torr 下的纯 CO2分子在 6360cm-1附近的近红外光谱，检测灵敏度远高于传统的吸收光谱技术，为气态分子的吸收特征和气态样品微量成分、同位素含量分析检测提供了一种高灵敏度的光谱测量方法。

摘要： 燃烧过程的实时准确诊断及其性能控制,意义重大.可调二极管激光器具有快速准确、价格低廉、坚固紧凑等诸多优点,可用于恶劣环境中的燃烧测控及大气污染物的监测.本文首先简述了二极管激光吸收光谱术用于燃烧多组分多参数测量的原理和方法.然后,论述了将该法用于燃烧过程的自适应实时控制的方法和实施效果.结果表明,DLAS技术为燃烧的基础研究及实施燃烧监控提供了一种适应性强、速度快、准确性高的有效手段.

摘要： 研究了高功率二极管激光封装中的铟焊料蒸镀工艺和回流焊工艺对芯片焊接状态的影响.在数值模拟和实验研究的基础上,优化了冷却器结构设计,研制出具有热阻低、压降小的铜微通道液体冷却器,可以满足热耗散功率大于60W的二极管激光器散热冷却需要.通过封装实验得到输出功率40W、波长808nm、谱线半高宽＜2nm、电光效率近40﹪的连续线阵二极管激光器,该激光可用作Nd:YAG固体激光的泵浦源.

摘要： 该文介绍了二极管激光侧泵浦单横模１００Ｈｚ电光调Ｑ激光器。

摘要： 报道了采用1064nm激光抽运PPMgLN晶体准相位匹配技术实现3.8μm激光输出的实验结果。抽运源为二极管激光连续抽运Nd：YAG晶体声光调Q1μm激光器，PPMgLN晶体(MgO掺杂浓度5mol%)单谐振光参量振荡技术采用e→e+e相位匹配，消除了光束之间的走离效应，利用了PPMgLN晶体的最大非线性系数d33(27.4pm/V)。在1064nm激光抽运功率94W，声光Q开关工作频率8kHz的条件下，获得了平均功率11.2W，波长3.841.μm激光输出，光-光转换斜率效率14.5%，对应闲频波长1.47μm激光输出功率约28W。3.8μm激光水平方向和垂直方向光束质量M2因子分别为2.01和5.78。

摘要： 利用TDLAS技术波长扫描直接吸收法实现了对高温瞬态超声速流场温度的测量,获得了重复频率为10 kHz的温度测量结果,该测量数据对研究超燃流场点火过程、燃烧速率以及污染物形成等方面具有重要的参考价值。

摘要： 一种制造激光器二极管器件的方法，该器件具有：电绝缘的外壳基体(1)和电连接导体(5a，5b)，该电连接导体从外壳基体(1)中引出并且可以从外壳基体(1)之外接近。外壳基体(1)由可透过激光器二极管器件所发出的激光束的材料制成，并包括芯片安装部位(3)。激光器二极管器件的射束轴穿过外壳基体(1)。此外，本发明还涉及一种这样方法制造的壳体和具有这种类型的壳体的激光器二极管器件。

摘要： 一种制造激光二极管基座的方法包括提供底座的步骤，底座配置有陶瓷载体和在衬底上沉积的金属层。该方法还包括使用脉冲激光器，脉冲激光器操作为产生多个脉冲，所述多个脉冲在金属层表面上以预定的图案选择性排列，从而将金属层的所需区域烧蚀至所需深度。随后，将底座分割为多个基座，每一个基座均支撑激光二极管。金属层包括在陶瓷上沉积的并且厚度足以有效地促进散热的银子层。

摘要： 本发明公开了一种微激光二极管转移方法和制造方法。该转移方法包括：在接收衬底上形成结合层，其中，第一类型电极连接到所述结合层；将承载衬底上的微激光二极管的第一侧与所述接合层接触，其中，所述承载衬底是激光透明的；以及从承载衬底侧用激光照射所选择的微激光二极管，以从承载衬底剥离所选择的微激光二极管。

摘要： 提出一种半导体激光二极管，其具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有竖直地上下重叠地施加的半导体层，所述半导体层具有有源层(11)，所述有源层在运行中经由辐射耦合输出面放射激光辐射，其中辐射耦合输出面由半导体层序列(1)的侧面形成；和横向地彼此相邻地在半导体层序列(1)的主表面(12)上的隔热层(2)和金属的接触层(5)，其中隔热层(2)由电绝缘的多孔材料(9)形成。由此，在运行中产生的热量经由p型电极(5)引向热沉(20)并且避免构成二维的温度梯度。因此，反作用于在边缘发射器中的热透镜。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管和半导体激光二极管装置的方法。

摘要： 一种制造激光器二极管器件的方法，该器件具有：电绝缘的外壳基体(1)和电连接导体(5a，5b)，该电连接导体从外壳基体(1)中引出并且可以从外壳基体(1)之外接近。外壳基体(1)由可透过激光器二极管器件所发出的激光束的材料制成，并包括芯片安装部位(3)。激光器二极管器件的射束轴穿过外壳基体(1)。此外，本发明还涉及一种这样方法制造的壳体和具有这种类型的壳体的激光器二极管器件。

摘要： 一种制造激光二极管基座的方法包括提供底座的步骤，底座配置有陶瓷载体和在衬底上沉积的金属层。该方法还包括使用脉冲激光器，脉冲激光器操作为产生多个脉冲，所述多个脉冲在金属层表面上以预定的图案选择性排列，从而将金属层的所需区域烧蚀至所需深度。随后，将底座分割为多个基座，每一个基座均支撑激光二极管。金属层包括在陶瓷上沉积的并且厚度足以有效地促进散热的银子层。

摘要： 本发明涉及一种用于激光二极管(7)的控制设备(1)，所述控制设备具有第一驱动装置(3)和分析处理电路(2)，所述第一驱动装置设计用于产生经高频调制的控制信号(5a)并且为了抑制散斑将所述控制信号馈入所述激光二极管(7)中，所述分析处理电路与所述第一驱动装置(3)耦合，并且所述分析处理电路设计用于输出指示由所述激光二极管(7)发射的光的强度(7a)的强度信号(2b)并且根据所述强度信号(2b)向所述第一驱动装置输出调节信号(3a)来调节所述经高频调制的控制信号(5a)。

摘要： 一种激光二极管(1)，包括：‑表面发射的半导体激光器(10)，其设置用于发射电磁辐射(E)；和‑光学元件(20)，其沿放射方向(L)设置在半导体激光器(10)下游，其中‑光学元件(20)包括衍射结构(200)或元光学结构(200)或透镜结构(200)，并且‑光学元件(20)和半导体激光器(10)材料配合地彼此连接。

摘要： 本发明提供一种GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法，包括依次层叠设置的P型电子阻挡层、P覆盖层、P接触层，P接触层的上表面处开设有两条平行的沟槽，两条平行的沟槽之间形成脊条，沟槽外侧的P接触层的上表面处开设有凹槽，凹槽深度等于沟槽深度，P型电子阻挡层和P接触层的上表面、沟槽与凹槽的内底壁和内侧壁设有第一钝化层，脊条上表面处的第一钝化层开设第一通孔，在第一钝化层和脊条的上表面处设有P电极；或者，凹槽和沟槽内均填充有第二金属层，P接触层、第二金属层的上表面设置有第二钝化层，脊条上表面处的第二钝化层开设第二通孔，在第二钝化层和脊条的上表面处设置有P电极。其改进散热，降低封装要求。

摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4)，其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22)，所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10)，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。