蓝移

摘要： 提出了一种利用非对称波形激光脉冲与原子相互作用在隧穿区发射高次谐波谱的大频移方案.通过数值求解偶极近似下的三维含时薛定谔方程,研究了该激光驱动氢原子发射的高次谐波特性.结果表明,利用上升沿与下降沿不同的非对称激光驱动氢原子所发射的高次谐波在截止位置附近发生了大的频率红移和蓝移,通过改变激光脉冲的上升沿或下降沿,能调控谐波的频移量.产生频移的原因是激光脉冲上升沿或下降沿对谐波贡献的不同所致,当下降沿发射谐波的贡献大于上升沿的贡献时,谐波发生红移,反之则发生蓝移.通过改变激光脉冲波形,在隧穿电离区能够调控截止位置附近原子发射的高次谐波频率,对于给定的某一阶谐波,调控的范围可从奇次阶到邻近偶次阶之间的任意频率处.

摘要： 为探讨芳基基团对聚酰亚胺光谱学性能的影响,采用Suzuki偶联反应对分子结构进行修饰,制备具有不同电荷特性芳基取代基的5种聚酰亚胺分子,并对制备的化合物进行核磁表征.结果表明,引入的基团影响了分子中的各向异性,导致制备的聚酰亚胺的特征峰核磁氢谱化学位移存在差异.对制备的聚酰亚胺进行紫外-可见光谱测试结果显示,引入的基团影响了分子的共轭效应,致使最大吸收峰波长发生红移或蓝移.

摘要： 利用密度泛函理论探究受限于纳米通道内的水分子结构、集体振动频率以及电子特性。研究表明受限于直径为0.677~1.086nm的纳米通道内的水分子,它们在太赫兹频段存在两种典型的振动模式,一种是平行于通道的轴向集体振动,另一种是受限水分子间的氢键拉伸振动。通过对比不同受限域下,受限水的这两种典型的振动模式所对应的特征频率,发现它们的数值变化存在一定的规律。对于受限水的轴向集体振动,随着通道的管径从0.677增大到0.815nm,它所对应的特征频率整体发生了红移,然而随着管径继续增大,该特征频率的变化发生了分化,即一部分发生了红移,另一部分发生了蓝移。对于受限水的氢键拉伸振动,随着管径从0.677增大到0.815nm,它所对应的特征频率整体发生了蓝移,然而随着管径继续增大,该特征频率的变化也发生了分化。其内在机理通过电子密度拓扑分析揭示为:水分子与通道或水分子间所形成H…π键和O…H键的键临界点电子密度ρ值的减小造成了键振动的红移,反之造成蓝移。鉴于细胞的动力学平衡,例如渗透压和体积变化,它们与受限水在水通道中的结构和动力学特性紧密相关,本研究将有助于在分子层次加深太赫兹波与受限水相互作用的理解,进而促进太赫兹技术在生物医学方面的应用。

摘要： 对环形赝谐势中二次谐波产生的影响进行了理论研究。在有效质量近似、迭代方法和密度矩阵理论基础上,得到了能级、波函数及二次谐波的表达式。环形赝谐势对二次谐波产生有显著影响。结果表明:二次谐波产生系数峰值随着化学势和无量纲参数的减小或赝谐势零点的增大而增大,化学势的增大二次谐波发生蓝移现象,而赝谐势零点增大发生红移现象。

摘要： 对环形赝谐势中二次谐波产生的影响进行了理论研究.在有效质量近似、迭代方法和密度矩阵理论基础上,得到了能级、波函数及二次谐波的表达式.环形赝谐势对二次谐波产生有显著影响.结果表明:二次谐波产生系数峰值随着化学势和无量纲参数的减小或赝谐势零点的增大而增大,化学势的增大二次谐波发生蓝移现象,而赝谐势零点增大发生红移现象.

摘要： 为了研究配位聚合物的结构对其荧光性能的影响,选用低对称的2,6-二(2',4'-二羧基苯基)吡啶为有机配体,采用溶剂热法与Cd(NO3)2·4H2O在105°C下合成了一种新型金属有机荧光材料[(Cd2 L)·DMF3·(H2 O)2]n.通过X射线单晶衍射、热重分析、红外光谱,X射线粉末衍射对配合物的组成和晶体结构进行表征.结果表明,该配合物为单斜晶系,P21/c空间群,独立单元中包含2个Cd2+离子的二维层状结构,同时该配合物具有较高的热稳定性.通过荧光光谱仪,在激发波长334 nm条件下,对配体和该配合物的荧光性能研究发现,配合物的荧光发射峰相对于配体荧光发射峰发生了53 nm的蓝移,这是由于金属到配体的电荷跃迁(MLCT)导致在这一波长范围的变化.

摘要： 本文定义电磁波是一种最小能量光子α常数值的光子列队,确定白光有固定频率段,白光不是复色光而是单色光,电磁波的多样性是由一种α常数值光子的频率不同而引起的.牛顿的光学微粒说的理论“判决性实验”的定义是“色的种类和折射的程度是光线所固有的,不会因折射、反射或任何其他原因而改变”.对此笔者提出了新见解,即物理实验能做到单色光变为其他频率光谱,对牛顿的概念不同实验:“康普顿效应,拉曼效应,红移,蓝移,荧光的物理现象和电磁波多普勒效应.”

摘要： 利用四维波矢变换可以严格推导狭义相对论多普勒效应的计算公式.但四维波矢变换中涉及两个光波,两个光波之间的关系非常容易混淆.因此本文讨论了四维波矢变换的物理意义并给出它们的关系。结果表明常见教科书和文献中关于横向多普勒效应的定义和计算公式是不正确的.准确定义被测光波的传播方向与观察者相对光源运动方向之间的角度,结论是横向多普勒频移为蓝移而非常说的红移.

摘要： 利用红外光谱分析和量子化学计算相结合的方法对二乙胺中氮原子形成N…H氢键对亚甲基的C-H伸缩振动频率的影响进行了研究.二乙胺-氘代氯仿、二乙胺-四氯化碳两个体系的全浓度范围内红外光谱的对比分析表明,氘代氯仿中的氢与二乙胺中的氮原子形成N…H氢键会使二乙胺中亚甲基CH伸缩振动频率发生蓝移.量子化学计算的频率分析也得到了与实验一致的结果.自然键轨道分析和带静电场的量化计算表明,静电效应在其中起了重要的作用。

摘要： 利用RF共溅射的方法，制备了SiC/SiO2多层膜，测量了样品的光致发光(PL)谱和光激发(PLE)谱，并观察到室温下的蓝光发射现象。改变势阱层的厚度，观察430nm的蓝光峰的蓝移现象。我们又进行了光致发光峰(PL)在外加偏压前后情况的测试。样品在加上10伏(电流为0.5mA)偏压后，发光峰有明显的蓝移和加强现象，通过测量PLE谱，认为样品在加偏压后引起自由激子的辐射复合使发光峰发生蓝移。

摘要： 采用超声喷雾热解法,在Si(100)和石英玻璃衬底上,生长出没有相偏析、结晶质量好、不同组分比的Zn1-xMgxO薄膜(x=0.06,0.12,0.19,0.24,0.27).采用X射线衍射(XRD)、透过率(Transittance)等分析方法,对Zn1-xMgxO薄膜的晶体结构及透光性进行了表征.结果表明:随着Mg含量的增多,Zn1-xMgxO薄膜仍然保持ZnO的纤锌矿结构,没有MgO相生成,证明Mg可以有效地溶入ZnO的晶格中.Zn1-xMgxO薄膜具有极好的透明性,在紫外-可见波段(400nm～800nm)的光透过率在85％以上;此外,随着Mg的增多,Zn1-xMgxO的吸收边出现明显的蓝移现象。

摘要： 为探索热处理温度对纳米TiO性能的影响,研究了不同温度下处理的纳米TiO的光学性能和微观结构,并进行了纳米TiO光催化性能的实验.实验表明,所用的纳米TiO溶胶可以在紫外光照射下分解甲基紫;由于粒子纳米化导致晶格畸变,纳米TiO粒子的结晶峰出现宽化现象;热处理温度决定纳米TiO的结晶程度和晶体类型,同时还影响粒子的粒径和分散;热处理温度越高,粒子颗粒越大,同时团聚增加;粒子纳米化导致量子尺寸效应的出现,纳米TiO薄膜对紫外线的吸收具有"蓝移"效应;随着热处理温度的升高,"蓝移"效应减弱,TiO薄膜的紫外吸收边出现了"温升红移"现象.

摘要： 本文用再沉淀的方法制备了一系列尺寸的TPA-PPV纳米粒子(20-100nm),用场发射扫描电镜对粒子的尺寸和形貌进行了表征,研究了不同尺寸纳米粒子紫外-可见吸收光谱和荧光光谱,结果表明随着纳米粒子尺寸的减小,紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱均发生了蓝移.

摘要： 本文以HTiO,NH,HO以及Sr(NO)为原料,用化学共沉淀法制备了纳米级的SrTiO粉体,分析和讨论了反映的机理和纳米粒子形成的过程.对不同粒径的SrTiO进行了红外光谱的研究,并发现随着颗粒变大,其吸收峰明显蓝移,对蓝移的原因进行了合理的解释.

摘要： 对21种芳香胺在不同极性的溶剂中测定了红外光谱,并对不同取代基对氨基的对称伸缩振动和非对称伸缩振动吸收峰峰位的影响进行了讨论.甲基在不同极性的溶剂中表现不同的电子效应;甲氧基处于氨基的邻位的电子效应和处于间位时不同.氯和硝基取代基使氨基的两吸收峰均向蓝移,氨基取代基使氨基的两吸收峰向红移。

摘要： 对21种芳香胺在不同极性的溶剂中测定了红外光谱，并对不同取代基对氨基的对称伸缩振动和非对称伸缩振动吸收峰峰位的影响进行了讨论。甲基在不同极性的溶剂中表现不同的电子效应；甲氧基处于氨基的邻位的电子效应和处于间位的不同。氯和硝基取代基使氨基的两吸收峰均向蓝移，氨基取代基使氨基的两吸收峰向红移。

摘要： 本发明提供与机电系统显示装置相关的系统、方法和设备。在一个方面中，一种设备包含显示组合件、传感器和处理器。所述显示组合件可包含机电系统显示装置阵列。所述传感器可经配置以提供信号，所述信号指示相对于垂直于所述显示组合件的线的照明角度、观看角度或两者。所述处理器可经配置以：从所述传感器接收所述信号；确定所述照明角度和/或观看角度；及处理图像数据以补偿所述所确定的照明角度和/或观看角度。在一个实施方案中，处理所述图像数据以补偿从所述机电系统显示装置中的至少一者反射的光的波长的移位，所述移位将由于非正交照明角度和/或观看角度而发生。

摘要： 本发明提供与机电系统显示装置相关的系统、方法和设备。在一个方面中，一种设备包含显示组合件、传感器和处理器。所述显示组合件可包含机电系统显示装置阵列。所述传感器可经配置以提供信号，所述信号指示相对于垂直于所述显示组合件的线的照明角度、观看角度或两者。所述处理器可经配置以：从所述传感器接收所述信号；确定所述照明角度和/或观看角度；及处理图像数据以补偿所述所确定的照明角度和/或观看角度。在一个实施方案中，处理所述图像数据以补偿从所述机电系统显示装置中的至少一者反射的光的波长的移位，所述移位将由于非正交照明角度和/或观看角度而发生。

摘要： 本发明公开了一种腔内反斯托克斯拉曼激光器以及受激拉曼蓝移波长最大化输出方法，所述激光器包括：激光晶体；泵浦源，其用以使得激光晶体发出受激拉曼泵浦光；波导，其用以使得泵浦光均匀分布到激光晶体上；拉曼池；其用以受激产生一阶斯托克斯激光以及一阶反斯托克斯激光；平凸镜组件，其用以形成谐振腔使得一阶斯托克斯激光在所述谐振腔内振荡并与受激拉曼泵浦光相互作用产生一阶反斯托克斯激光并输出所述一阶反斯托克斯激光；可饱和吸收体；以及用以反射受激拉曼泵浦光的高反镜。本发明还公开了受激拉曼蓝移波长最大化输出方法。本发明解决了受激拉曼变频的应用中红移的比重较大，而受激拉曼蓝移波长不能实现最大化输出的问题。

摘要： 基于电控晶体管的太赫兹蓝移调制器及制备方法，属于电磁功能器件技术领域，本发明包括半导体衬底、外延层、正电压加载电极、调制单元阵列、负电压加载电极；外延层设置于半导体衬底上，调制单元阵列、正电压加载电极和负电压加载电极设置于外延层上；所述调制单元阵列包括M×N个调制单元，其中，M>3，N>3；每个调制单元包括谐振单元和高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管源极和漏极与谐振单元结构中的电容片连接。本发明可同时对两个频点的太赫兹波进行通断控制。可实现对太赫兹波的快速幅度调制。

摘要： 采用光谱蓝移获得蓝光发射的方法、蓝光OLED器件及其制备方法和应用，其中，采用光谱蓝移获得蓝光发射主要采用的手段为：a)以绿色TADF材料4CzIPN为发射体掺杂在BCPO材料中作为OLED器件的发光层且限定4CzIPN的掺杂浓度在合适范围；b)选择合适材料作为OLED器件的其它结构层；c)将OLED器件的各结构层的厚度限定在合适范围；由上述a)～c)引起OLED器件通电工作时的发射峰蓝移，从而发射出蓝光。本发明在不利用蓝光材料的前提下获得了蓝光发射，为高效蓝色OLED的材料缺乏问题提供一种可行的解决方案。

摘要： 本发明提供了一种光谱蓝移的夜光纤维的制备方法，包括如下步骤：(1)活化处理：将SrAl2O4:Eu2+，Dy3+发光粉和发光增强剂按照0.5‑5∶1重量比混合，在微波煅烧炉中烘焙后得到复合粉体，再用偶联剂对复合粉体进行活化处理；(2)发光复合母粒的制备：将10‑90重量份PET聚酯切片、1‑20重量份感光变色粉、1‑30重量份活化的SrAl2O4:Eu2+，Dy3+发光粉、0.5‑1.5重量份功能性助剂混合，采用双螺杆造粒机造粒；(3)发光复合纤维的制备。通过本发明获得的发光复合纤维出现了双发射光谱现象，分别位于425nm和520nm处，双光谱叠加后波长位于480nm左右的蓝色区域，获得了光谱蓝移的夜光纤维，此外，发光复合纤维耐水洗性能较好，水洗后的发光复合纤维余辉亮度仅略有下降。

摘要： 本申请公开了一种减少LED发光波长蓝移量的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱发光层依次包括生长InGaN阱层、掺Si预处理、生长In渐变减少InXGa1‑X层、生长In渐变增加InyN1‑y层、生长In恒定InzAl1‑z层、Mg扩散处理、生长GaN垒层和InGaN：Mg/Si保护层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长中存在的LED发光波长蓝移量较大的问题，同时提高LED的发光效率，降低工作电压，增强抗静电能力。

摘要： 本发明公开了一种腔内反斯托克斯拉曼激光器以及受激拉曼蓝移波长最大化输出方法，所述激光器包括：激光晶体；泵浦源，其用以使得激光晶体发出受激拉曼泵浦光；波导，其用以使得泵浦光均匀分布到激光晶体上；拉曼池；其用以受激产生一阶斯托克斯激光以及一阶反斯托克斯激光；平凸镜组件，其用以形成谐振腔使得一阶斯托克斯激光在所述谐振腔内振荡并与受激拉曼泵浦光相互作用产生一阶反斯托克斯激光并输出所述一阶反斯托克斯激光；可饱和吸收体；以及用以反射受激拉曼泵浦光的高反镜。本发明还公开了受激拉曼蓝移波长最大化输出方法。本发明解决了受激拉曼变频的应用中红移的比重较大，而受激拉曼蓝移波长不能实现最大化输出的问题。

摘要： 本发明涉及一种竞争性葡萄糖结合亲和测定，该竞争性葡萄糖结合亲和测定包括用测定荧光团标记的葡萄糖受体(通常为甘露聚糖结合凝集素)以及用基准荧光团标记的改性葡萄糖类似物(通常为葡聚糖)。在某些实施方案中，葡萄糖类似物是葡聚糖，并且其偶联到基准荧光团和淬灭剂染料(例如，六甲氧基结晶紫‑1)两者。任选地，基准荧光团相对于测定荧光团蓝移。

摘要： 基于电控晶体管的太赫兹蓝移调制器及制备方法，属于电磁功能器件技术领域，本发明包括半导体衬底、外延层、正电压加载电极、调制单元阵列、负电压加载电极；外延层设置于半导体衬底上，调制单元阵列、正电压加载电极和负电压加载电极设置于外延层上；所述调制单元阵列包括M×N个调制单元，其中，M>3，N>3；每个调制单元包括谐振单元和高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管源极和漏极与谐振单元结构中的电容片连接。本发明可同时对两个频点的太赫兹波进行通断控制。可实现对太赫兹波的快速幅度调制。