自传体记忆

摘要： 目的探讨改良电休克治疗(modified electroconvulsive therapy,MECT)对精神分裂症患者自传体记忆的影响。方法选取急性期精神分裂症患者92例为研究对象,分为MECT组(40例)和非MECT组(52例)。非MECT组单用抗精神病药物治疗,MECT组在服药的基础上联合MECT治疗10次。两组在基线期、第4周末、第6周末采用经典自传体记忆测验(autobiographical memory test,AMT)的范式评估自传体记忆功能。对不同测量点的数据采用重复测量方差分析和协方差分析的方法进行比较。结果与非MECT组相比,MECT组在第4周末中性词、积极词、消极词诱导的自传体记忆回忆时间更长(F=13.662,P0.05)。结论MECT治疗可能加重精神分裂症患者的自传体记忆过度概括化程度,延长回忆的时间,特别是对中性词诱导的自传体记忆,但影响短暂而且可逆。

摘要： 目的探究童年虐待与非童年虐待经历者在特异性自传体记忆线索(量表)提取下的眼动模式。方法结合量表及访谈法,确定虐待组34人,对照组32人,以《儿童期创伤量表》为自传体记忆提取线索,采用独立样本t检验和两因素方差分析的方法对眼动数据进行分析。结果虐待组和对照组在量表总分(t=13.81,P<0.01)及五个分量表(t_(EA)=5.56,P_(EA)<0.01;t_(EN)=10.64,P_(EN)<0.01;t_(PA)=8.25,P_(PA)<0.01;t_(PN)=11.36,P_(PN)<0.01;t_(SA)=6.03,P_(SA)<0.01)均有显著统计学差异;在眼动指标上,总注视时长(F=16.07,P<0.01)、注视点个数(F=12.41,P<0.01)、眼跳个数(F=10.66,P<0.01)以及回视个数(F=6.59,P<0.05),两组被试在三个兴趣区的交互作用均存在显著差异;在瞳孔直径变化值上,两组被试无显著统计学差异(t=0.81,P=0.42)。结论相比于对照组,虐待组在特异性自传体记忆线索(量表)提取下产生了更复杂的认知加工过程,其眼动模式也表现出了沉浸式的阅读。

摘要： 自传体记忆过度概括化是指个体不能按照要求在特定时间内提取出具体的记忆,而倾向于提取出概括化的记忆的现象。针对其产生机制,研究者们从情绪情感、认知资源以及自我调节三个不同的角度进行了解释。近年来,很多研究者对Williams提出的CaR-FA-X模型进行验证,大多数研究都在一定程度上证明了此模型。在研究方法上,目前主要有自传体记忆测试和过去句子完成测试两种。其影响因素主要有创伤性事件、反刍等。未来还有待进行更多的干预研究。

摘要： 目的:探讨复发抑郁症患者自传体记忆与临床特征的关系,以及自传体记忆损害是否是抑郁症复发的风险因素. 方法:对65例复发抑郁症患者(复发组)以及54例首发抑郁症患者(首发组)采用汉密尔顿抑郁量表(Hamilton depression scale,HAMD-17)及汉密尔顿焦虑量表(Hamilton anxiety scale,HAMA)评定抑郁与焦虑症状,采用自传体记忆测验评定自传体记忆水平. 结果:①与首发组相比,复发组起病年龄更早、病程更长、抑郁症家族史比例更高、认知障碍更严重、概括性记忆更多(P<0.05或P<0.01);②相关分析显示复发组概括性记忆与起病年龄、阳性家族史、认知障碍、迟缓因子呈正相关(r=0.45,0.38,0.39,0.39;P均<0.01);③多因素Logistic回归分析显示概括性记忆是与抑郁症复发相关的危险因素. 结论:复发抑郁症患者概括性记忆较多,其与起病年龄、阳性家族史、认知障碍与迟缓因子相关,对预测抑郁症复发具有一定的参考价值.

摘要： 为了捕捉自传体记忆和受开发类人智能的启发,给出一种可实现记忆检索和回忆中漫游的自传体记忆模型.该模型是一个3层网络结构,其底层将由5W1H构成的特定事件知识进行编码,提供检索线索;中间层通过关联特定事件知识对事件进行编码;顶层通过关联相关事件对事件集进行编码.模型按照自下而上的记忆搜索过程,可以分别在中间层和顶层识别相应的事件和事件集,还能通过规则记忆检索过程模仿人在回忆中漫游的现象.实验结果表明:与基于关键字查询方法的记忆检索模型相比,该模型对含噪记忆检索线索具有更好的响应性能,同时还能够模仿回忆中的漫游现象.

摘要： 目的 编制过度概括化自传体记忆问卷(overgeneral autobiographical memory questionnaire,OGMQ),并检验其信效度.方法 通过文献检索、专家论证形成问卷初始项目.选取大学生被试1911人进行初测.有效数据1 840份随机分为两等份,920份用于探索性因素分析,920份用于验证性因素分析和信效度分析.选取抑郁症被试和配对正常被试各30人以检测效标效度.结果 过度概括化自传体记忆问卷包含19个项目,二维度(搜寻构建、精加工)四因子(时空构建、控制构建、情境精加工、情绪精加工)结构.探索性分析提取了4个因子19个条目,KMO(Kaiser-Meyer-Olkin)系数为0.905,Bartlett球形检验:近似x2=4728.134,df=171,P＜0.001).验证性分析显示时空构建因子、控制构建因子在构建维度上的因子负荷分别为0.770、0.539;情境精加工因子、情绪精加工因子在精加工维度上的因子负荷分别为0.911、0.800.问卷具有良好的内部一致性信度(Cronbach α=0.870)、结构效度(x2/df=3.550,RMSEA=0.053,GFI=0.944,CFI=0.970,NFI=0.958,IFI=0.970)和效标效度[r(OGMQ,AMT)=0.870;r(OGMQ,BDI)=0.507],能够有效区分抑郁症和正常群体(AUC=0.795).结论 本研究编制的过度概括化自传体记忆问卷信度和效度良好,可用于抑郁相关的研究与实践.

摘要： 自传体记忆障碍是阿尔茨海默症的核心症状之一,改善这种记忆障碍可以增强阿尔茨海默症患者的自我意识,从而提高生活质量.已有研究表明,参加歌唱训练或聆听背景音乐均能改善阿尔茨海默症患者的自传体记忆能力.这既可能与音乐能够增强唤醒度和注意功能有关,还可能与音乐能够诱发情绪有关.今后应开展歌唱训练和背景音乐的干预效果及作用机制的对比研究来澄清该问题.

摘要： 目的:探讨无抽搐电休克治疗精神分裂症患者临床疗效,及对自传体记忆的影响.方法:从我院2018年1月—2020年1月的病患选出符合纳入标准的研究对象100例,随机均分为研究组和对照组,各50例,分别给予抗精神病药物附加无抽搐电休克治疗和单纯抗精神病药物治疗.观察指标主要有:观察治疗前、治疗第4周末,第8周末,第12周末的PANSS评分及自传体记忆,并对比结果.结果:治疗前两组所有指标均无显著差异(P>0.05);治疗第4周末,第8周末,第12周末的PANSS评分均显著下降,且研究组的下降幅度更高,两组比较,差异有统计学意义(P<0.05);而就自传体记忆而言,相较对照组,治疗第4周末的评分显著上升,第8周末,第12周末的时间下降,两组比较,差异有统计学意义(P<0.05).结论:无抽搐电休克治疗对精神分裂症的疗效佳,值得应用,但对自传体记忆具有短暂的损伤.

摘要： 目的：探索复发抑郁症患者自传体记忆与其临床特征的关系,以及自传体记忆损害是否是抑郁症复发的风险因素. 方法：对65例复发性抑郁症患者以及54例首发性抑郁症患者,采用汉密尔顿抑郁量表测评(Hamilton Depression Scale,HAMD-17)及汉密尔顿焦虑量表(Hamilton Anxiety Scale,HAMA)评定抑郁与焦虑症状,采用自传体记忆测验(autobiographical memory test,AMT)评定自传体记忆水平. 结果：①复发性抑郁症患者组的概括性记忆(5.58±2.74)比首发抑郁症患者组的概括性记忆(3.78±3.23)更高;②概括性记忆与起病年龄、阳性家族史、认知障碍、迟缓因子呈高度的正相关性(分别为(r=0.451,P=0.000)、(r=0.383,P=0.002)、(r=0.389,P=002)、(r=0.393,P=0.001);③多因素Logistic回归分析概括性记忆是与抑郁症复发的相关危险因素,优势比为4.33,其95％的置信区间为(3.35～5.59);④ROC曲线下的面积为0.76(P＜0.01),其95％的置信区间为(0.68～0.85). 结论：自传体记忆损害是抑郁症复发的风险因素,概括性记忆对预测抑郁症复发具有较高的参考价值.

摘要： 对高校学生的后悔自传体记忆进行的开放式研究结果显示,当代大学生在大学期间后悔事件的分布领域居前六位的是学业、自我、社会实践、精神层面、人际关系、健康;在做与不做效应上,大学生对没做过的事件表示更多的后悔;在具体与概括水平上,大学生对具体事件表示更多的后悔;大学临近毕业生在具体与概括水平上与其他年级学生差异有统计学意义(P＜0.05).

摘要： 抑郁症是人类心理失调的最主要和最经常出现的问题之一。本课题以正常个体和抑郁个体为研究对象，采用在自传体记忆研究范式中经典的Williams自传体记忆测验的线索词作为研究材料，分析和验证正性、负性线索词诱导下的正常个体和抑郁个体的自传体记忆的特点，结合功能性磁共振技术(fMRI ),采集并分析抑郁症患者自传体记忆的大脑激活区域、激活强度及激活范围，进一步探讨不同自传体记忆任务下正常个体和抑郁症患者脑区激活特点，以期初步阐明抑郁症患者过度概括化自传体记忆的脑机制，得出了一些结论。

摘要： 以标准CMOS逻辑工艺制作的接面二极管可作为单次可编程(OTP)元件的编程选择器，此OTP元件例如为电性熔丝。此电性熔丝的至少一部分具有至少一扩展区以加速编程。编程选择器可为至少一二极管或一MOS，其可以由MOS通道或源极/漏极二极管导通。OTP元件可有至少一OTP元素耦接至一记忆体单元中的至少一二极管。本发明也揭露编程此电性熔丝的方法。藉由维持编程电流低于一临界电流，可有利达成稳定编程。依据另一实施例，可编程电阻元素也可使用至少一MOS组件作为编程选择器，或藉由导通MOS的源极/漏极二极管或是MOS通道而读取。

摘要： 本发明是有关于一种记忆体的程序化方法及记忆体阵列中记忆胞的程序化方法。该记忆体具有第一记忆胞，其具有第一S/D区并与第二记忆胞共用第二S/D区。第二记忆胞具有与第二S/D区相对的第三S/D区。在程序化第一记忆胞时，施加第一电压到第一记忆胞的控制栅极；施加第二电压到第二记忆胞的控制栅极，使第二记忆胞的通道区处于微开启状态；及施加第三电压到第一S/D区，使第二S/D区浮置，施加第四电压到第三S/D区，且第三电压与第四电压使得载子从第三S/D区流至第一第S/D区，以利用源极侧注入效应将载子注入第一记忆胞的电荷储存层。由于所施加的偏压较低，因此可提升程序化速度、提高元件集积度及获得较大的记忆体裕度。

摘要： 一种记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列，记忆体装置包括记忆体阵列，记忆体阵列具有：记忆体阵列的第一列中的第一记忆体单元；记忆体阵列的第一列中的第二记忆体单元；第一读取位元线，在列方向上延伸且连接至第一记忆体单元以自第一记忆体单元读取数据；及第二读取位元线，在列方向上延伸且连接至第二记忆体单元以自第二记忆体单元读取数据。

摘要： 以标准CMOS逻辑工艺制作的接面二极管可作为单次可编程(OTP)元件的编程选择器，此OTP元件例如为电性熔丝。此电性熔丝的至少一部分具有至少一扩展区以加速编程。编程选择器可为至少一二极管或一MOS，其可以由MOS通道或源极/漏极二极管导通。OTP元件可有至少一OTP元素耦接至一记忆体单元中的至少一二极管。本发明也揭露编程此电性熔丝的方法。藉由维持编程电流低于一临界电流，可有利达成稳定编程。依据另一实施例，可编程电阻元素也可使用至少一MOS组件作为编程选择器，或藉由导通MOS的源极/漏极二极管或是MOS通道而读取。

摘要： 在本揭示文件的一些态样中，揭示一种记忆体装置、一种记忆体系统以及一种记忆体装置的操作方法。在一些态样中，记忆体装置包含第一电压调节器，用于接收提供至记忆体阵列的字元线电压；耦接至第一电压调节器以提供抑制电压至记忆体阵列的电阻器网络，其中电阻器网络包含多个电阻器，且其中电阻器中的各者串联并耦接至多个电阻器中的相邻者；及包含多个开关的开关网络，其中开关中的各者耦接至多个电阻器中的相应者且透过第二电压调节器耦接至记忆体阵列。

摘要： 本揭示文件的一些态样提出一种记忆体装置、记忆体系统以及操作记忆体装置的方法。此记忆体装置包含以多个行与多个列所排列的多个记忆体单元；多条字元线各自耦接至相对应的一行上的记忆体单元；多条位元线各自耦接至相对应的一列上的记忆体单元；以及多条第二字元线各自耦接至相对应的一列的记忆体单元。

摘要： 本揭示文件揭示了一种记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的制造方法。该记忆体装置包括多个记忆体单元，记忆体单元中各自包括彼此串联耦合的存取晶体管与电阻器。记忆体单元的电阻器各自形成为设置于基板上方的多个互连结构中的一者。记忆体单元的存取晶体管设置相对于第一金属化层，此第一金属化层含有来自基板的多个互连结构。

摘要： 本揭露是一种记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元的寿命的方法。在一个态样中，记忆体控制器向记忆体单元施加具有第一振幅的第一脉冲以将输入数据写入至记忆体单元。在一个态样中，记忆体控制器向记忆体单元施加具有大于第一振幅的第二振幅的第二脉冲以延长记忆体单元的寿命。记忆体单元可包括电阻式记忆体装置或相位变化随机存取记忆体装置。在一个态样中，响应于判定记忆体单元已故障，记忆体控制器向记忆体单元施加第二脉冲以修复记忆体单元。在一个态样中，在记忆体单元故障之前，记忆体控制器周期性地向记忆体单元施加第二脉冲。

摘要： 本发明是有关于一种记忆体的程序化方法及记忆体阵列中记忆胞的程序化方法。该记忆体具有第一记忆胞，其具有第一S/D区并与第二记忆胞共用第二S/D区。第二记忆胞具有与第二S/D区相对的第三S/D区。在程序化第一记忆胞时，施加第一电压到第一记忆胞的控制栅极；施加第二电压到第二记忆胞的控制栅极，使第二记忆胞的通道区处于微开启状态；及施加第三电压到第一S/D区，使第二S/D区浮置，施加第四电压到第三S/D区，且第三电压与第四电压使得载子从第三S/D区流至第一第S/D区，以利用源极侧注入效应将载子注入第一记忆胞的电荷储存层。由于所施加的偏压较低，因此可提升程序化速度、提高元件集积度及获得较大的记忆体裕度。

摘要： 本申请提供了具备温度自传感功能的形状记忆合金软体驱动器的制备方法，其包括：提供形状记忆合金丝；提供柔性温度传感器，将柔性温度传感器抵触于形状记忆合金丝，柔性温度传感器用于测量形状记忆合金丝的温度；提供预拉伸层柔性基底和封装层柔性基底，将形状记忆合金丝和柔性温度传感器封装于预拉伸层柔性基底和封装层柔性基底之间，其中，在封装前，对预拉伸层柔性基底进行预拉伸，在封装之后，释放对预拉伸层柔性基底施加的预拉伸，使封装后的驱动器呈现卷曲状态，形状记忆合金丝受到电流加热后，驱动器能够展开，形状记忆合金丝冷却后，驱动器能够恢复卷曲状态。