维普
维普的相关文献在1983年到2022年内共计243篇,主要集中在自动化技术、计算机技术、信息与知识传播、科学、科学研究
等领域,其中期刊论文243篇、专利文献154376篇;相关期刊118种,包括法音、财会学习、英语教师等;
维普的相关文献由92位作者贡献,包括本刊编辑部、老年医学研究编辑部、兵团教育学院学报编辑部等。
维普—发文量
专利文献>
论文:154376篇
占比:99.84%
总计:154619篇
维普
-研究学者
- 本刊编辑部
- 老年医学研究编辑部
- 兵团教育学院学报编辑部
- 国外测井技术编辑部
- 姚惠萍
- 李月婷
- 石油工业计算机应用编辑部
- 隔凡
- C·N·布鲁克
- 丁怡玮
- 严谨
- 主编
- 任天棋
- 任胜利
- 何江
- 佳木斯职业学院学报
- 净因
- 刘光牛
- 刘敏
- 刘晖
- 刘江涛
- 利燕红
- 劳飞
- 司莉
- 吴淑平
- 周斌
- 周晓政
- 周锐
- 唯唐
- 姚炜
- 姚远
- 孟庆武
- 宋梦婷
- 工业微生物编辑部
- 应用海洋学学报编辑部
- 张志
- 张敏
- 张珊
- 张素萍
- 徐心
- 慎志浩
- 拾文
- 新科学
- 方雅青1杨丽静2刘艳丽1
- 施玲琳
- 智慧轨道交通编辑部
- 曹忠
- 曹燕
- 李敬维
- 李曼宁
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国外测井技术编辑部
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摘要:
《国外测井技术》已许可维普期刊网、中国知网全文收录以数字化方式复制、汇编、发行、信息网络传播《国外测井技术》全文。《国外测井技术》支付的稿酬巳包含维普期刊网、中国知网著作权使用费,所有署名作者向《国外测井技术》提交文章发表之行为视为同意上述声明。如有异议,请在投稿时说明,《国外测井技术》将按作者说明处理。
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本刊编辑部
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摘要:
本刊已被中国知网、万方、维普、超星等数据库收录,如无特殊申明,即视为投稿者同意授权本刊及本刊合作媒体以数字化方式复制,并通过信息网络传播和发行。本刊支付的稿酬已包括上述所有使用方式的报酬。作者向本刊提交文章发表的行为视为同意我刊上述声明。
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无
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摘要:
作者同志:您好!感谢您对本刊的信任与支持。本刊与中国知网、万方数据库、维普咨询等多家网络传播数据库(以下简称:数据库)合作,双方自合作以来关系甚为融洽。然而近年来,因期刊中文献作者授权引起的著作权争议案件时有发生,且大多因作者授权不完善而致使本刊与合作的数据库单位承担责任。
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摘要:
《西北药学杂志》的唯一投稿方式:将文章以附件形式发送至本刊电子邮箱E-mail:xbyxzz@xjtu.edu.cn;唯一电话:029-82655134。本刊目前只与知网、万方、维普、超星4家机构合作制作《西北药学杂志》网络版,从未委托任何机构或个人征稿。网上以本刊名义征稿的网址等信息均为假冒,特此敬告作者,仔细甄别,谨防上当。
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摘要:
作者同志:您好!感谢您对本刊的信任与支持。本刊与中国知网、万方数据库、维普咨询等多家网络传播数据库(以下简称:数据库)合作,双方自合作以来关系甚为融洽。然而近年来,因期刊中文献作者授权引起的著作权争议案件时有发生,且大多因作者授权不完善而致使本刊与合作的数据库单位承担责任。
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摘要:
作者同志:您好!感谢您对本刊的信任与支持。本刊与中国知网、万方数据库、维普咨询等多家网络传播数据库(以下简称:数据库)合作,双方自合作以来关系甚为融洽。然而近年来,因期刊中文献作者授权引起的著作权争议案件时有发生,且大多因作者授权不完善而致使本刊与合作的数据库单位承担责任。
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无
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摘要:
作者同志:您好!感谢您对本刊的信任与支持。本刊与中国知网、万方数据库、维普咨询等多家网络传播数据库(以下简称:数据库)合作,双方自合作以来关系甚为融洽。然而近年来,因期刊中文献作者授权引起的著作权争议案件时有发生,且大多因作者授权不完善而致使本刊与合作的数据库单位承担责任。
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摘要:
本刊免费全文开放存取网址:http://www.zgylxtb.cn;还可查阅http://yaol.chinajournal.net.cn(中国知网);http://zgylxtb.periodicals.net.cn(万方数据),及维普数据。从1999年起,本刊连续获中国科学技术协会和国家自然科学基金专项资金资助。2006-2018年获中国科协精品期刊工程示范项目及学术创新引领项目资金资助。
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摘要:
本刊免费全文开放存取网址:http://www.zgylxtb.cn;还可查阅http://yaol.chinajournal.net.cn(中国知网);http://zgylxtb.periodicals.net.cn(万方数据),及维普数据。从1999年起,本刊连续获中国科学技术协会和国家自然科学基金专项资金资助。2006~2018年获中国科协精品期刊工程示范项目及学术创新引领项目资金资助。
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- 南昌大学
- 公开公告日期:2022-03-18
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摘要:
本发明公开了一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法,属于半导体异质结材料制备领域。本发明的半导体异质结例如MoS2/FeS,MoS2/CoS,MoS2/MnS,MoS2/ZnS,Mo(SxSe1‑x)2/ZnSxSe1‑x,Mo(SxSe1‑x)2/CdSxSe1‑x(x代表原子百分比)等。以下用TMDCs代表层状过渡金属硫属化合物MoS2和Mo(SxSe1‑x)2,用XN代表FeS、CoS、MnS、ZnS、ZnSxSe1‑x、CdSxSe1‑x。本发明提供的制备方法为化学气相沉积法,采用Si/SiO2作为衬底,所制备的异质结表面均匀,单晶性好,TMDCs厚度约2nm,XN的厚度为100至200nm。
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