绝缘膜

摘要： 当前,随着军工产品逐渐向小型化、集成化的方向发展,微波器件的用量越来越大。由于微波器件自身工艺的特殊性,返修性较差,一旦出现质量问题,会导致内部精密器件报废,从而增加产品的制造成本与周期。该文主要针对微波器件中绝缘膜的质量提升进行研究,通过分析现有加工过程并找出问题根源,随后对比多种工艺提升方案并找出最优加工方案的方法,找出了导致短路现象的金属毛刺产生的根源,最终改进了工艺过程,提升了产品质量,并总结了相关经验。

摘要： 科思创研发的全新挤压工艺可以生产薄至15μm的模克福^(■)TF薄膜,能够替代至今仍在使用的溶剂流延膜,可用于实验室诊断、汽车和电子供应商等多个行业。薄膜可应用在工业和汽车通风系统、汽车内外照明、柔性印刷电路、绝缘膜和扬声器等领域。根据具体的应用,薄膜可以是单层结构,也可以复合成多层结构;或使用轨迹蚀刻薄膜工艺,进一步加工生成微孔结构。

摘要： 一种绝缘膜组合式石英压电传感器及其标定方法,传感器包括上层聚酰亚胺绝缘膜和下层聚酰亚胺绝缘膜之间设置有石英晶片,石英晶片的上下面布设铜箔引线;将石英晶片的负极面和正极面之间串联负载电阻R和示波器,得到压电传感器测量组件;将压电传感器测量组件中的石英晶片的负极面紧贴于靶,靶釆用铝的表面,用于测量靶表面上的冲击波应力σ(t)随时间的变化;由传感器测量的压电信号进行积分,最后得到每一炮实验的传感器动态压电灵敏度系数;取多次实验结果进行平均,得到压电传感器的动态压电系数;本发明具有抗干扰性能强、绝缘性能好、使用方便、制作工艺简单的优点。

摘要： 超高清显示器需要具有低的信号传输层,Cu膜取代Al膜.针对绝缘膜高温下,底栅Cu膜,在玻璃边缘小黑点的现象,通过OM和FIB分析,确认为Cu膜凸起.本文通过实验提出一种H2预处理方式,利用H2的还原性,去除Cu表面氧化物,释放Cu膜内部应力,降低Cu膜凸起的发生率,在实际生产过程中具有应用价值.

摘要： 本文结合一种空调器室内机使用的陶瓷PTC发热组件内部异响进行分析,研究造成陶瓷PTC发热组件内部异响的机理,进而通过各种整改尤其是关键部件绝缘膜的整改降低陶瓷PTC内部异响的故障率,进而达到降低空调器售后故障率的目的.

摘要： 针对地铁车站站台门常规绝缘措施中常见的绝缘电阻值不足的问题，从站台门绝缘保护原理、问题原因和解决思路等方面进行阐述，提出了站台门门体表面绝缘的新型安全措施，并重点分析了贴绝缘膜、涂/刷绝缘涂层和复合材料门体三种门体绝缘方案。

摘要： 通常在PI、PEN膜上由化学镀铜形成金属层有受热后结合力低下的问题，为此考虑对绝缘膜表面改性以提高金属层结合力。当PI膜上形成10nm的改性层时热负荷下剥离强度下降，而当改性层减少至仪有几个纳米时剥离强度上升。同样，PEN膜改性少量会结合力上升。

摘要： 针对电容吸附除盐法中电压低、处理效率低、电极易腐蚀等缺点,对活性炭纤维电极表面进行了覆膜绝缘处理. NaCl模拟溶液实验结果表明,覆膜电极电吸附除盐的最佳操作电压为20 V,最佳作用时间为30 min. 对低浓度NaCl溶液(<300 mg/L),溶液电导率去除率可达80%以上. 吸附等温线拟合结果表明,低电压(<10 V)时,吸附倾向于Langmuir模型;高电压时,吸附更加符合Freundlich模型.%Aiming at the disadvantages of capacitive adsorption desalination process,such as low voltage,low treat-ment efficiency,easily corrosive electrode,etc.,the surface of activated carbon fiber electrode has been treated by membrane-coated insulation. The results from NaCl simulated solution experiment shows that in the membrane-coated electrode electro-adsorption desalination process,the optimal operation voltage is 20 V,and optimal reaction time 30 min. When the low-concentration NaCl solution is less than 300 mg/L,the electrical conductivity removing rate of the solution are above 80%. The result of electro-adsorption isotherm fitting shows that when the low voltage is less than 10 V,the adsorption tends to Langmuir model. When the voltage is high, the adsorption is in accordance with Freundlich model.

摘要： 答：补镀铬时，造成背着阳极一面已镀上的铬层被退掉的原因有两种：（1）反电刻蚀所致。这通常是在工件单面（边）镀铬而非镀面不挂阳极的情况下造成的。如第一次镀铬用冲击电流，由于电流强度大，工件上背着阳极的一面（无阳极面）虽然电力线分布有困难，但该面因没有绝缘膜或挡板而极可能沉积上微薄铬层。补镀铬仍按同样方法，不同的是给电方法有了改变，即补镀时，先进行10～30s反电刻蚀（阳极腐蚀），使原有铬层表面达微观粗糙，此时往往把本来很薄的一层铬腐蚀了，随后以小电流转为阴极镀铬，由于背阳极一面的电力线分布少而造成表面钝化，

摘要： 硅钢片50W350叠压定子铁心用CO2气体保护焊进行焊接的工艺在进行调整改进后可以克服易产生气孔，熔深不均，表面未焊透，飞溅过大等缺陷。在保证效率的情况下，能够取代混合气体对硅钢片的焊接。

摘要： 绝缘膜是一种感光材料,被广泛使用在TFT-LCD 面板生产线上.绝缘膜的主要作用是隔开同一平 面内布线,成为立体布线,增加LCD的亮度,故要求绝缘膜有一定强度与硬度之外还须具有较高的透光率 和较低的介电常数.本实验包括聚合物树脂合成；光引发剂和光固化剂的筛选,探索合适的配方；确定具 有最好透光率的合适的工艺条件.并就预烘时间、曝光强度和退火时间等工艺条件与产品性能的关系进行 探讨.本实验主要采用丙烯酸类合成聚合物树脂,用沸点适中,电阻率较低的异丙醇,丁酮作为溶剂.（甲基）丙烯酸酯单体品种多,性能各异,其共聚物性能在相当宽广范围内调整,我们研制了以（甲基） 丙烯酸酯共聚物为成膜树脂的聚合物树脂,由此制得的绝缘膜的透光性能有显著提高.实验结果显示在最 佳工艺条件下,制备的绝缘膜透光性能良好,辐射亮度和透射率达符合显示器件用绝缘膜的透光性要求且 具备有一定得热稳定性,可以长期储存.

摘要： 本文开发出一种于Fe-Cr-Al电热合金表面原位生成耐高温绝缘膜的特种技术——负压气相反应原位生成耐高温绝缘膜.着重对绝缘膜进行透射电镜观察及研究绝缘膜生长动力学规律.

摘要： 聚碳酸酯无卤阻燃薄壁化技术应用在绝缘电气膜行业中,是材料轻量化、功能化、环保化发展趋势的一个具体的技术体现,本文以磺酸盐为主要的阻燃对象,对其阻燃行为表现缺陷进行修饰,突破了磺酸盐阻燃体系在1.6mm厚度等级以下的应用瓶颈,不仅实现0.4mmV-0阻燃等级的产品,同时还具备优异的成膜性能,电性能和表面质量,广泛应用在绝缘膜行业中,成为绝缘膜材料的新起之秀.

摘要： 本文概述了变频电机绝缘承受高频纳秒脉冲电压所引起的严重后果,提出以纳御纳的材料改性方法,即采用无机纳米材料在有机树脂中形成耐晕屏障,吸收纳秒脉冲放电能量,提高耐电晕寿命.同时采用耐电晕参数作为材料筛选的考核指标,并采用逐级升压近似简化法,求取耐电晕寿命方程,可大大减少试验工作量,缩短寿命评定时间,从而获得耐电晕寿命较长的聚酰亚胺漆膜和薄膜.

摘要： 一种新颖的传输线型高频变压器因采用细微颗粒Mn-Zn铁氧体已开发成功。该器件由细微颗粒Mn-Zn铁氧体铁心，聚酰亚胺绝缘膜，铜箔绕组和铜接地片组成，它作为分布常数电路工作。该文研究了在高阻抗终端负载下，具有大的电压增益的1/4波长传输线型变压器，并已用于高频功率转换。

摘要： 在NiTi合金表面采用微弧氧化得到一层致密的氧化膜.采用XRD分析了薄膜的结构.结果表明:在室温条件下在NaSiO电解液中通过微弧氧化可以在NiTi合金基体上得到一层氧化物膜层,具有硬度高、耐腐蚀性能强的特点,对于NiTi合金具有良好的保护作用.

摘要： 在NiTi合金表面采用微弧氧化得到一层致密的氧化膜.采用XRD分析了薄膜的结构.结果表明:在室温条件下在NaSiO电解液中通过微弧氧化可以在NiTi合金基体上得到一层氧化物膜层,具有硬度高、耐腐蚀性能强的特点,对于NiTi合金具有良好的保护作用.

摘要： 在NiTi合金表面采用微弧氧化得到一层致密的氧化膜.采用XRD分析了薄膜的结构.结果表明:在室温条件下在NaSiO电解液中通过微弧氧化可以在NiTi合金基体上得到一层氧化物膜层,具有硬度高、耐腐蚀性能强的特点,对于NiTi合金具有良好的保护作用.

摘要： 在NiTi合金表面采用微弧氧化得到一层致密的氧化膜.采用XRD分析了薄膜的结构.结果表明:在室温条件下在NaSiO电解液中通过微弧氧化可以在NiTi合金基体上得到一层氧化物膜层,具有硬度高、耐腐蚀性能强的特点,对于NiTi合金具有良好的保护作用.

摘要： 压敏胶及其制品的应用,近年各国蓬勃发展.木材工业中也已运用到木材切削,单板拼接及防裂.木制品与家具中封边、接合.木容器制造等领域中.因此,建议国内要重视压敏胶品种,胶种发展,并加强对该胶种的科研.

摘要： 本发明涉及一种生产绝缘膜的涂料组合物，一种使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜和包括该绝缘膜的半导体器件，更具体地说，本发明涉及一种生产具有低电介常数绝缘膜而且能够生产优异机械强度(弹性)绝缘膜的涂料组合物，使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜，和包括该绝缘膜的半导体器件。本发明的涂料组合物包括小分子量的有机硅氧烷树脂和水，可显著改进绝缘膜的低介电性和机械强度。

摘要： 本发明提供了以下述化学式(1)表示的等离子体CVD用绝缘膜材料，使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。根据本发明可以得到对半导体装置的层间绝缘膜等有用的、相对介电常数低且铜扩散阻挡性高的绝缘膜。在下述化学式(1)中，n是3～6的整数，R

摘要： 一种绝缘膜用材料，其特征在于它包括作为成膜组分的一种共聚物，通过使具有特定结构的聚酰胺与反应性低聚物反应而制备该共聚物；一种绝缘膜用罩光清漆，其包括该材料和有机溶剂；一种绝缘膜，其特征在于它包括一层以聚苯并噁唑作为主结构的树脂并且含有微孔，通过加热该材料或该罩光清漆以使经受缩合反应和交联反应而制备出该聚苯并噁唑；以及一种半导体装置，该装置包括包含该绝缘膜的多层线路用层间绝缘膜和/或表面保护层。该绝缘膜用材料的电学性能、热性能、机械性能等性能优异，其还可以用于制备具有降低的介电常数的绝缘膜。

摘要： 本发明根据在有机SOG中键合在硅原子上的有机取代基的含量和/或各个键合不同数量有机基团的硅原子的比率来评价用于形成绝缘膜的硅氧烷。本发明形成的绝缘膜具有优良的膜性能(如具有填满细小沟槽的能力、能使整个基体图案平整、能形成足够厚的膜以填充台阶)以及电性能(如形成的绝缘膜的介电常数)，具体地说，绝缘膜是一种利用涂布液形成的半导体器件用多层绝缘膜。该涂布液是根据上述评价结果由含一定比率的有一个Si-C键的硅原子的硅氧烷所组成或由以化学式(CH3)YSiO2.2/y(0.8≤y≤1.3)表示的、重均分子量不低于1500又不超过6000的无规结构甲基硅氧烷低聚物所组成的。因此，本发明为半导体器件的生产提供了一种具有优良膜性能的绝缘膜。此外，本发明是以键合在硅原子上的有机基团含量调整至总硅原子量的80％-130％的烷氧基硅烷和烷基烷氧基硅烷作为起始材料来制备如上所讨论的涂布液的。

摘要： 本发明提供一种用于形成兼具低介电常数、高耐热性及高机械强度的绝缘膜的聚合物及组合物、以及由其得到的绝缘膜及具有该绝缘膜的电子器件。本发明的绝缘膜形成用聚合物，其特征在于，通过聚合用下述通式(1)表示的反应性化合物而得到。本发明的绝缘膜，其是使用含有上述聚合物的绝缘膜形成用组合物形成，其中，该绝缘膜具有平均空隙直径是0.7nm～5nm的分子空隙并且其介电常数是2.3以下。本发明的电子器件，具有上述绝缘膜。通式(1)中，R

摘要： 本发明涉及一种生产绝缘膜的涂料组合物，一种使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜和包括该绝缘膜的半导体器件，更具体地说，本发明涉及一种生产具有低电介常数绝缘膜而且能够生产优异机械强度(弹性)绝缘膜的涂料组合物，使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜，和包括该绝缘膜的半导体器件。本发明的涂料组合物包括小分子量的有机硅氧烷树脂和水，可显著改进绝缘膜的低介电性和机械强度。

摘要： 本发明的等离子体CVD用绝缘膜材料由具有彼此键合并与硅原子一起形成环状结构的两个烃基或一个以上支链烃基的硅化合物构成，所述支链烃基中，作为与硅原子键合的碳原子的α碳构成亚甲基，且作为与该亚甲基键合的碳原子的β碳或作为与该β碳键合的碳原子的γ碳为分支点。

摘要： 本发明提供了以下述化学式(1)表示的等离子体CVD用绝缘膜材料，使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。在式(1)中，m和n是3～6的整数，m和n在一个分子中可以相同，也可以相互不同。

摘要： 本发明提供了以下述化学式(1)表示的等离子体CVD用绝缘膜材料，使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。根据本发明可以得到对半导体装置的层间绝缘膜等有用的、相对介电常数低且铜扩散阻挡性高的绝缘膜。在下述化学式(1)中，n是3～6的整数，R

摘要： 一种绝缘膜用材料，其特征在于它包括作为成膜组分的一种共聚物，通过使具有特定结构的聚酰胺与反应性低聚物反应而制备该共聚物；一种绝缘膜用罩光清漆，其包括该材料和有机溶剂；一种绝缘膜，其特征在于它包括一层以聚苯并噁唑作为主结构的树脂并且含有微孔，通过加热该材料或该罩光清漆以使经受缩合反应和交联反应而制备出该聚苯并噁唑；以及一种半导体装置，该装置包括包含该绝缘膜的多层线路用层间绝缘膜和/或表面保护层。该绝缘膜用材料的电学性能、热性能、机械性能等性能优异，其还可以用于制备具有降低的介电常数的绝缘膜。