纳米晶体管

摘要： 据报道，近期，瑞士联邦材料科学与技术实验室联合马克斯普朗克聚合物研究中心和加州大学伯克利分校，共同开发出由石墨烯纳米带构建的纳米晶体管，向实现下一代纳电子器件研发迈出重要一步。

摘要： 据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。

摘要： 9月5日，据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网日前报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。

摘要： 2013年，马克斯·舒拉克尔（MaxShulaker）和他的同事们在《自然》杂志上发表了一篇文章，描述了第一台采用碳纳米晶体管的计算机，引起了轰动。但同许多研究项目一样，那篇论文也是大量艰苦而乏味的工作的产物。例如，几个月之前，团队成员熬了一个通宵，把包括一台探针台（上图）在内的检测设备打包好，并连夜向北30英里，

摘要： 如今半导体圈最棘手的事莫过于摩尔定律即将终结，研究人员不得不寻找硅材料的替代者来提升半导体的性能，而碳纳米管就被认为是最有可能取代硅的材料之一。

摘要： 科技日报北京9月5日电（记者聂翠蓉）据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道,该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管,首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑,将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。碳纳米管管壁只有一个原子厚,是最好的导电材料之一。

摘要： III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用,是当前国际研究的热点。特别是,三元合金InA sS b纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外,其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。

摘要： 提供了纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、制造该纳米器件的方法，以及制造包括该纳米器件的晶体管的方法。该纳米器件包括衬底、位于衬底上并具有至少一个开口的掩模层，以及穿过所述开口沿开口的边缘在衬底上形成的纳米管。所述纳米管在与衬底的表面基本垂直的方向延伸穿过开口。

摘要： 通过在半导体衬底上形成氧化层(S10，S20)，涂覆抗蚀剂(S30)，使用压印平版印刷术图案化抗蚀剂以形成沿第一方向对准的图案(S40)，在该图案上涂覆第一离子掩膜材料(S50)，和选择性剥离第一离子掩膜材料以留下形成栅极的第一离子掩膜(S60)，通过注入适合的掺杂剂形成掺杂区(S70)，涂覆另一抗蚀剂层(S90)和使用压印平版印刷术图案化第二抗蚀剂层以形成沿着第二方向对准的第二图案(S100)，在第二图案上涂覆第二离子掩膜材料，和选择性地除去第二离子掩膜材料以留下由第二图案限定的第二离子掩膜(S120)，和通过根据第二离子掩膜选择地注入适合的第二掺杂剂在衬底上形成第二掺杂区(S130)来制造纳米级晶体管(20)。该方法也可用于制造纳米级晶体管(20)的阵列(10或15)。

摘要： 提供了一种纳米线(130)晶体管，其包括具有用于使替代金属栅极(405)与寄生沟道绝缘的局部隔离区域(120)的阱注入以及在延伸区域中的氧化帽，其抑制寄生的栅极到源极和栅极到漏极电容。用于制作器件的方法包括形成交替的选择性可蚀刻的层(例如，Si和SiGe)的鳍；用蚀刻停止掺杂剂(碳)来掺杂这些层的(源极/漏极)延伸区域；执行针对一种材料的选择性蚀刻；以及选择性氧化对应于牺牲层的延伸区域(215)，由此形成氧化帽(125)。

摘要： 提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。

摘要： 提供了纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、制造该纳米器件的方法，以及制造包括该纳米器件的晶体管的方法。该纳米器件包括衬底、位于衬底上并具有至少一个开口的掩模层，以及穿过所述开口沿开口的边缘在衬底上形成的纳米管。所述纳米管在与衬底的表面基本垂直的方向延伸穿过开口。

摘要： 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供衬底，该衬底包括用于形成第一环绕栅极(GAA)晶体管的沟道的第一堆叠翅片结构和用于形成第二GAA晶体管的沟道的第二堆叠翅片结构，第一堆叠翅片结构包括初始体积的第一沟道材料，第二堆叠翅片结构包括初始体积的第二沟道材料；将第二沟道材料的所述初始体积相对于第一沟道材料的初始体积减小预定量，该预定量对应于第一GAA晶体管的延迟；相应地围绕所述第一沟道材料和所述第二沟道材料形成第一GAA栅极结构和第二GAA栅极结构。

摘要： 提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。

摘要： 本申请是关于一种金刚石纳米线场效应晶体管制造方法及其晶体管。该方法包括：在金刚石薄膜上刻蚀出第一微米线阵列，得到待处理薄膜；在所述待处理薄膜上覆盖绝缘层，并在所述绝缘层对应所述第一微米线阵列的位置刻蚀出外接电路窗口；采用两种不同质量的离子束，在所述外接电路窗口中刻蚀出第一纳米线阵列；在所述第一纳米线阵列上制作微纳台阶，并控制所述微纳台阶的表面晶界数量，得到第二纳米线阵列；将所述第二纳米线阵列浸入盐溶液中并施加栅极电压，得到金刚石纳米线场效应晶体管。本申请提供的方案，能够调控探针分子修饰位点密度，提高目标分子的检测精度。

摘要： 提供了一种纳米线(130)晶体管，其包括具有用于使替代金属栅极(405)与寄生沟道绝缘的局部隔离区域(120)的阱注入以及在延伸区域中的氧化帽，其抑制寄生的栅极到源极和栅极到漏极电容。用于制作器件的方法包括形成交替的选择性可蚀刻的层(例如，Si和SiGe)的鳍；用蚀刻停止掺杂剂(碳)来掺杂这些层的(源极/漏极)延伸区域；执行针对一种材料的选择性蚀刻；以及选择性氧化对应于牺牲层的延伸区域(215)，由此形成氧化帽(125)。

摘要： 本实用新型涉及一种用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器。该器件包括：以SOI为衬底，表面有一单晶硅层；在表面硅层中刻蚀出一个碳纳米管晶体管结构，它包括一个作为源极的电极、一个作为漏极的电极和一个栅极，一根单壁碳纳米管设置在两个电极上形成欧姆接触，其中栅极处在源、漏两个电极的中间，碳纳米管的一侧；另一根具有2个以上隧穿结结构的碳纳米管设置在栅极和碳纳米管晶体管的源或漏极的电极上形成欧姆接触。该器件制备方法易于操做。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正常工作，并且不受随机背景电荷的影响；同时，器件每一个存储单元只具有两个电极引线，容易实现器件的高度集成和实现低功耗下信息的超高密度存储。