纳米工艺

摘要： 摩磁通称,得益于博通与Meta的交易,以及与Alphabet和微软的合作伙伴关系,ASIC(专用集成电路)芯片今年将为博通带来20亿美元至25亿美元的收入。分析师哈兰.苏尔(HarlanSur)称:"我们认为,这些合同主要是5纳米和3纳米工艺,将用于支持Mela的元宇宙硬件架构。"当前,Mela正在元宇宙领域投入巨资,包括为硬件增加新功能,以作为其元宇宙的入口。

摘要： 10月28日,下午三点三十六分。车规级7纳米智能座舱芯片“龍鹰一号”成功流片返回。这颗凝结着300余位工程师心血,历时两年多开发周期的7纳米工艺车规级高算力多核异构智能座舱芯片,在抵达芯擎科技上海实验室后,仅不到半小时就被顺利点亮!

摘要： [中考真题]1.(2020·山东·青岛)2020年6月23日,中国第55颗北斗导航卫星成功发射,顺利完成全球组网.其中支持北斗三号新信号的22纳米工艺射频基带一体化导航定位芯片,已实现规模化应用,22纳米=0.000 000 022米,将0.000 000 022用科学记数法表示为().

摘要： 5月15日,半导体代工巨头台积电宣布,计划在美国亚利桑那州建设和运营一家半导体工厂。该工厂将采用5纳米的先进制程工艺,计划在2021年开工建设,2024年投产。台积电表示,这座新工厂每月将生产20000个半导体晶圆,直接创造1600多个高科技专业工作岗位,并在半导体生态系统中创造数千个间接工作岗位。

摘要： 在5纳米工艺的大规模量产上,三星电子落后于台积电。据业内消息人士称,为了追赶台积电,三星已经决定放弃后续的4纳米工艺,直接从5纳米跳到3纳米工艺。这一举措也将节省三星大量的开发资源。在李在镕的带领下,三星电子开始了战略转型,在半导体业务上,三星开始开拓两个新业务——传统存储芯片之外的处理器芯片以及对外代工业务。据科技媒体最新消息,为了和中国台积电公司争夺半导体代工订单,三星电子对制造工艺路线图进行了修改,将绕开4纳米工艺,直接从5纳米跳跃到3纳米工艺。

摘要： 台积电是全球唯一有能力实现5纳米工艺量产的芯片制造企业,且不愿放弃华为这个第二大客户,希望以“在美国建厂”换“不受制裁继续向华为供货”。

摘要： 据外媒报道,苹果还将为2018年型号iPhone开发A12 Fusion,为2019年型号开发A13 Fusion,它们将由台积电采用7纳米工艺制造。制造工艺的进步,意味着这些处理器在面积、性能和能耗方面将均优于以往的产品。消息人士还透露,台积电联席首席执行官刘德音表示,公司将于2019年完成7纳米工艺开发,然后2018年对生产线进行改造,2019年完成5纳米工艺开发。据悉,台积电披露了7纳米工艺细节,与16纳米工艺相比,7纳米工艺速度将提升40%,能耗将降低逾65%,芯片面积只相当于原来的0.43倍。

摘要： 国内首颗采用40nm CMOS工艺的射频基带一体化北斗多模导航系统级芯片(SoC)“航芯一号(HX102)”已于2014年在上海北伽导航科技有限公司研发成功,其优化改进版芯片HX103今年已投入量产,并投向市场.它具有体积小、功耗低、成本低和性能高的优点,可广泛地应用于手机、平板电脑、可穿戴式设备、物联网和车载终端等各种场合,这标志着制约北斗系统千万级甚至亿级大规模应用的重大瓶颈得到全面解决.本文介绍了该SoC芯片的总体架构及其射频和基带两部分电路的设计情况,分析了该芯片的低功耗、高性能设计与实现的理念及思路,探讨了SoC产品形态和40nm主流生产工艺的优越性.实验室测试和路测结果表明,该SoC芯片在首次定位所需时间、灵敏度、定位精度、抗干扰、抗多径、功耗等各指标方面有着与国际一流导航芯片同等水准的优良性能.

摘要： 国内首颗采用40nm CMOS工艺的射频基带一体化北斗多模导航系统级芯片(SoC)“航芯一号(HX102)”已于2014年在上海北伽导航科技有限公司研发成功,其优化改进版芯片HX103今年已投入量产,并投向市场.它具有体积小、功耗低、成本低和性能高的优点,可广泛地应用于手机、平板电脑、可穿戴式设备、物联网和车载终端等各种场合,这标志着制约北斗系统千万级甚至亿级大规模应用的重大瓶颈得到全面解决.本文介绍了该SoC芯片的总体架构及其射频和基带两部分电路的设计情况,分析了该芯片的低功耗、高性能设计与实现的理念及思路,探讨了SoC产品形态和40nm主流生产工艺的优越性.实验室测试和路测结果表明,该SoC芯片在首次定位所需时间、灵敏度、定位精度、抗干扰、抗多径、功耗等各指标方面有着与国际一流导航芯片同等水准的优良性能.

摘要： 国内首颗采用40nm CMOS工艺的射频基带一体化北斗多模导航系统级芯片(SoC)“航芯一号(HX102)”已于2014年在上海北伽导航科技有限公司研发成功,其优化改进版芯片HX103今年已投入量产,并投向市场.它具有体积小、功耗低、成本低和性能高的优点,可广泛地应用于手机、平板电脑、可穿戴式设备、物联网和车载终端等各种场合,这标志着制约北斗系统千万级甚至亿级大规模应用的重大瓶颈得到全面解决.本文介绍了该SoC芯片的总体架构及其射频和基带两部分电路的设计情况,分析了该芯片的低功耗、高性能设计与实现的理念及思路,探讨了SoC产品形态和40nm主流生产工艺的优越性.实验室测试和路测结果表明,该SoC芯片在首次定位所需时间、灵敏度、定位精度、抗干扰、抗多径、功耗等各指标方面有着与国际一流导航芯片同等水准的优良性能.

摘要： 国内首颗采用40nm CMOS工艺的射频基带一体化北斗多模导航系统级芯片(SoC)“航芯一号(HX102)”已于2014年在上海北伽导航科技有限公司研发成功,其优化改进版芯片HX103今年已投入量产,并投向市场.它具有体积小、功耗低、成本低和性能高的优点,可广泛地应用于手机、平板电脑、可穿戴式设备、物联网和车载终端等各种场合,这标志着制约北斗系统千万级甚至亿级大规模应用的重大瓶颈得到全面解决.本文介绍了该SoC芯片的总体架构及其射频和基带两部分电路的设计情况,分析了该芯片的低功耗、高性能设计与实现的理念及思路,探讨了SoC产品形态和40nm主流生产工艺的优越性.实验室测试和路测结果表明,该SoC芯片在首次定位所需时间、灵敏度、定位精度、抗干扰、抗多径、功耗等各指标方面有着与国际一流导航芯片同等水准的优良性能.

摘要： 本公开属于在半导体衬底(120)上制作纳米级场效应晶体管结构的方法。所述方法包括在多层衬底的半导体上层(122)上布置掩模，并在纳米线光刻工艺中去除上层(122)未被掩模覆盖的区域。掩模包括分隔一段距离的两个导电端子(132、134)以及跨所述距离与导电端子(132、134)接触的纳米线(110)。纳米线光刻使用深反应离子刻蚀执行，其导致纳米线掩模(110、132、134)与下方半导体层(122)的结合以形成场效应晶体管的纳米级的半导体沟道。

摘要： 本发明公开了一种基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明首先采用合成条件简单的硬模板法制备单层氧化锡纳米碗材料，然后采用原子层沉积技术和水热法相结合的工艺制备支化氧化锌纳米线，最终得到了单层氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线多级异质结构。本发明的制备方法具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产，与MEMS工艺兼容等优点。制得的多级复合气敏纳米材料能够对1 ppm级微量硫化氢实现超灵敏、高选择性探测，同时能够对有机挥发性气体进行微量检测，进而为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供坚实的技术支持。

摘要： 本发明提供由碳纳米管或碳纳米纤维制成的电极及其制备工艺。该电极包括集电器、作为粘合剂的硫纳米粒子或金属纳米粒子、和碳纳米管或碳纳米纤维，其特征在于，所述硫纳米粒子或金属纳米粒子结合、沉积或熔合在所述碳纳米管或碳纳米纤维的表面上，使得所述碳纳米管或碳纳米纤维彼此结合，并且还与所述集电器结合。根据本发明制备的电极展现出低内部电阻、强的耐久性和低的等效串联电阻，因此该电极可有效地应用于二次电池、超级电容器或燃料电池。

摘要： 本公开属于在半导体衬底(120)上制作纳米级场效应晶体管结构的方法。所述方法包括在多层衬底的半导体上层(122)上布置掩模，并在纳米线光刻工艺中去除上层(122)未被掩模覆盖的区域。掩模包括分隔一段距离的两个导电端子(132、134)以及跨所述距离与导电端子(132、134)接触的纳米线(110)。纳米线光刻使用深反应离子刻蚀执行，其导致纳米线掩模(110、132、134)与下方半导体层(122)的结合以形成场效应晶体管的纳米级的半导体沟道。

摘要： 本发明公开了一种基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化铁纳米棒结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明先采用合成条件简单的硬模板法制备单层氧化锡纳米碗材料，后采用水热法制备支化氧化铁纳米棒，最终得到了单层氧化锡纳米碗支化氧化铁纳米棒多级异质结构。与现有制备工艺相比，本发明具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产，与硅集成电路工艺兼容等优点。本发明构建的基于异质结的多级复合纳米结构，其应用于气体传感时灵敏度大幅提升，响应时间和恢复时间大幅缩减，展现了更加优异的气敏性能；其能够对微量甲醛能实现超灵敏、高选择性探测，为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。

摘要： 本发明公开了一种基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明首先采用合成条件简单的硬模板法制备单层氧化锡纳米碗材料，然后采用原子层沉积技术和水热法相结合的工艺制备支化氧化锌纳米线，最终得到了单层氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线多级异质结构。本发明的制备方法具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产，与MEMS工艺兼容等优点。制得的多级复合气敏纳米材料能够对1 ppm级微量硫化氢实现超灵敏、高选择性探测，同时能够对有机挥发性气体进行微量检测，进而为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供坚实的技术支持。

摘要： 本发明涉及可以由纳米纤维制造工艺制造的稳定的按照设计的金属氧化物纳米纤维和挠性的且稳定的纳米纤维膜。根据本发明的金属氧化物光催化剂纳米纤维具有二氧化钛和锌钨氧化物作为主要组成。纳米纤维的表面由贵金属纳米颗粒构成，并且能够在可见光、UV或太阳光下工作，所述的纳米颗粒以单层形式在锌钨氧化物纳米棒上修饰而成。所述的纳米级材料具有精细的孔隙率和高的表面积。本发明还可以克服WO3纳米纤维的脆性和不稳定性的问题。

摘要： 本发明公开了一种浮雕纳米涂料制备工艺及喷涂由该工艺制备的涂料的浮雕面板及制作工艺。包括以下步骤：S101将40‑60％(重量百分比)三氯化钛、10‑16％(重量百分比)g‑C

摘要： 本发明公开了一种聚苯胺/碳纳米管/银纳米线疏水电极及其制备工艺和应用。该疏水电极由聚苯胺、碳纳米管和银纳米线三者制备而得到。该疏水电极中银纳米线均匀分散在材料中，形成较为完整的导电网络；碳纳米管缠绕在聚苯胺表面，形成微纳米级的突出同时，碳纳米管也分布在整个银纳米线导电网络中，与银纳米线相接触；聚苯胺表面有碳纳米管缠绕附着，分散在整个复合材料中。本发明使用聚苯胺和碳纳米管混合之后再进入银纳米线，为增强疏水性，对复合材料做了高温加热处理，使之拥有低表面能，具有微纳米粗糙结构。本发明所涉及到的化学试剂较少，制备过程简单，安全性好，耗时短，不会产生有毒、污染性的气体，而且具有一定的防腐性能。

摘要： 本发明公开了一种基于Pt颗粒修饰的氧化锡/氧化锌核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明用化学溶液法制备氧化锡核层纳米片，再结合原子层沉积技术，得到氧化锡/氧化锌核壳结构纳米片，最后采用磁控溅射生长Pt薄膜，实现了MEMS基原位生长。本发明制备方法具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产等优点。本发明构建的气敏纳米材料应用于气体传感时灵敏度大幅提升，具有高选择性，展现了更加优异的气敏性能。本发明的气敏纳米材料能够对部分微量气体进行检测，并且对硫化氢气体具有优异的选择性，为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。