积气

摘要： 振动分析已广泛应用于设备故障诊断,在设备故障诊断过程中,难点在于一种振动频率分量可能对应多种不同故障的特征频率,最典型、最常见的即为1倍工频分量,其来源较多。大部分文献中介绍的案例主要聚焦在设备本身故障造成的1倍工频振动,而来源于系统外部造成的1倍工频分析和案例很少,本文介绍了某核电厂胶球泵由于出口管道积气而导致的1倍工频振动案例。

摘要： 病例资料患者,男,79岁,患者5 h前无明显诱因出现腹部疼痛不适,腹痛位于脐周。为持续性胀痛,伴恶心,肛门排气少,病后患者未行相关治疗,腹痛症状逐渐加重。为求进一步诊断于急诊科就诊。查血:白细胞计数16.57×10^(9)/L,中性粒细胞百分率90%,往有高血压、冠心病、糖尿病病史多年。入院查体:脐周压痛(+),反跳痛(+),肠鸣音正常。

摘要： 原发性支气管肺癌(以下简称肺癌)是最常见的恶性肿瘤之一,其发病率和病死率在全球范围内高居不下,越来越引起世界各国及广大学者的关注.肺癌病因繁多,病机复杂,现代医家多从虚、痰、瘀、毒论治,又有阴虚、气阴两虚、阳虚、阴阳两虚、痰瘀论、癌毒论、伏气学说、络病学说等,诸说纷纭.近年来,中医药在肺癌治疗及康复中发挥了重要作用,但往往扮演着辅助治疗的角色.历史上,中医学中并无"肺癌"之称谓,但诸多经典著述均有其病因、病状和治疗的专述.深入钻研中医学经典,挖掘经文深意,将有助于对肺癌成病机制及证治方药有更深刻更系统的认识.围绕唐代孙思邈《备急千金要方·卷第十七·肺脏·积气第五》展开了系统论述,分析了寒、热、怒、恚、喜、忧、愁等七气积聚导致肺癌发生的病机及其临床表现的异同;并结合其临床用药,阐述"积(积聚)气致癌"原理.七气中寒气、热气属外感邪气,怒气、恚气、喜气、忧气、愁气属内伤情志,与历代医家所论之六淫邪气(风、寒、暑、湿、燥、火)、七情内伤等相合,是对肺癌成因做出的高度概括.寒邪是肺癌发生的首要致病因素,邪积日久,正气亏虚,因虚致实,因实致虚,痰瘀毒互结,积久致癌,据此提出了"积气致癌"的假说,并探讨肺癌形成的中医学理论基础和可能机制,以期为肺癌的认识和治疗提供新思路.

摘要： 某北方核电厂重要海水系统的海水泵(SEC泵),在冬季备用状态下发生积气而无法启动,针对该现象,开展了静态条件下低温海水受环境加热析气特性的理论研究;建立了模拟实验系统,研究SEC泵的泵腔积气形成过程、海潮涨落下泵腔积气的演化特征、不同排气管倾角下气液两相流特征;在此基础上,分析了现场条件、排气系统缺陷等导致泵腔积气的机理,提出了SEC泵排气系统改造方案.研究结果表明,环境温度、海水的初始温度对海水中溶解氧总析出速率和氧气析出总量影响较大、盐度对海水中溶解氧总析出速率影响较小;SEC泵的泵腔积气形成过程具有明显的阶段性特征;在某核电厂重要厂用海水系统的布置方式下,SEC泵区域海水的赋存量、SEC泵运行状态切换周期及运行环境等因素,均有利于冬季SEC泵备用期间海水溶解气体的大量析出;海潮的涨落,均有助于积气的排放;排气管倾角对气液两相流动特征有显著影响,该排气系统存在的设计缺陷,导致海水析出气体在泵腔区域的积聚而形成体积可观的气腔.基于上述研究结论,提出的排气系统改造方案并在4台机组上应用,成功解决了该核电厂冬季备用期间SEC泵积气无法启动而可能丧失核岛热阱的风险.

摘要： 针对某电厂定冷水泵出力不足进行分析与试验，对离心泵的出力不足的原因和泵内气体的来源进行了简要分析，并通过试验最终查找到了问题所在。

摘要： 针对某600 MW电厂汽轮机组闭式冷却水在正常运行时由于积气多母管压力突降,分析了现场检查、处理的结果,对比故障前后的数据,找出发生故障的原因为疏水器故障、省煤器发送罐圆顶阀故障和凝汽器补水阀内漏.通过更换缺陷设备,制定相应的防范措施,解决了闭式水积气的问题,保障了机组的安全运行.

摘要： 本发明揭示了一种用于化学气相淀积的反应器和一种使用该反应器进行化学气相淀积的方法。该反应器有一种圆柱形反应腔，腔内有一种圆柱形顶盖支撑和一种环形气体扩散盘。该圆柱形反应腔能实现多股气流沿着与衬底表面平行或与衬底表面成一定角度的径向方向和另一股气流沿着与衬底表面垂直的方向进入反应腔。该反应器具有结构简单，操作与维修方便，制造和使用成本低等优点，使用该反应器进行化学气相淀积具有效率高，耗源少，重复性，再现性和一致性好等优点。

摘要： 本发明涉及由反应气体混合物在工件上淀积层膜的化学气相淀积反应器，包括：长条形竖立的反应室(10)，它由反应器壁板(11)和反应器底板(12)界定；用于使反应气体流入反应室(10)的进气管(34)，该进气管在该反应器底板(12)的区域内通入反应室(10)；用于使耗用反应气体从反应室(10)流出的固定不动的排气管(31)，该排气管在反应器底板区域内伸出该反应室(10)；层状的工件支座(21)，它居中设置在反应室(10)中并能绕其中心轴线转动。

摘要： 一种金属有机化学气相淀积装置，包括原料细颈瓶、液体微型泵、装置有溶剂供应装置的蒸发器及反应器。溶于溶剂中的反应物在原料细颈瓶中经液体微型泵送至蒸发器中，足够量的溶剂和送进来的反应物同时经由溶剂供应装置被另外供应至蒸发器中。在蒸发器中蒸发后，反应物经由载体气体注射至反应器中，且在半导体基板形成高介电薄膜。因为另外供应溶剂，可防止反应物的再凝结。除此之外，反应物的残留物也可被清洗掉。

摘要： 本发明涉及化学气相淀积设备和化学气相淀积法中清洗履带的方法。本发明的化学气相淀积设备包括：腔体；将处理气体供给所述腔体的进气装置；将处理后的气体导出所述腔体的排气装置；移动载置被处理圆片的履带；用于对所述履带上的被处理圆片进行加热的加热块；对所述履带表面喷淋气化腐蚀液的喷淋装置；利用超声波对所述履带表面进行清洗的超声波清洗装置；以及对所述履带表面进行烘干的烘干装置。根据本发明，能够有效地清除履带上积累的SiO2，能够解决圆片表面颗粒问题，提高了圆片表面质量，而且还能够提高化学气相淀积设备的使用效率。

摘要： 本发明揭示了一种用于化学气相淀积的反应器和一种使用该反应器进行化学气相淀积的方法。该反应器有一种圆柱形反应腔，腔内有一种圆柱形顶盖支撑和一种环形气体扩散盘。该圆柱形反应腔能实现多股气流沿着与衬底表面平行或与衬底表面成一定角度的径向方向和另一股气流沿着与衬底表面垂直的方向进入反应腔。该反应器具有结构简单，操作与维修方便，制造和使用成本低等优点，使用该反应器进行化学气相淀积具有效率高，耗源少，重复性，再现性和一致性好等优点。

摘要： 一种气相轴向淀积装置。所述气相轴向淀积装置包括第一喷灯、生长尺寸检测单元以及控制单元。所述第一喷灯将烟灰淀积到与第一轴线排成直线的烟灰预制件的远端上并且与第二轴线排成直线。所述生长尺寸检测单元检测包括烟灰预制件的生长点以及所述第一喷灯的末端的图像。所述控制单元从所检测到的图像计算出烟灰预制件与所述第一喷灯之间的沿着所述第二轴线的距离，并且根据所计算出的距离使烟灰预制件向上移动。

摘要： 本发明一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法，方法包括如下步骤：步骤1，将待淀积的硅片传入缓冲腔，待缓冲腔的真空度小于300mTorr后，再将待淀积的硅片传入工艺腔中；步骤2，在底压小于100mTorr的工艺腔中通入WF6、SiH4和载气，之后进行低压化学气相淀积反应，在待淀积的硅片上生成一层钨硅；步骤3，将淀积有一层钨硅的硅片传入步骤1所述的缓冲腔中，待工艺腔完成自清洁工艺后，将淀积有一层钨硅的硅片传入工艺腔中按照步骤2进行第二次低压化学气相淀积反应，得到淀积有两层钨硅的硅片，从而有效降低MOS产品的多晶电阻，同时提高产品器件的开关速度。

摘要： 本发明提供一种化学气相淀积（LPCVD）装置及其薄膜淀积方法，属于半导体薄膜制备技术领域。该LPCVD的反应炉的炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路，在薄膜沉积时，每种反应气体同步地从所述炉口部分处的输入管路和所述炉尾部分处的输入管路通入所述反应炉内。使用该LPCVD装置制备的同批次晶圆的薄膜的一致性好，特别是晶粒尺寸一致性好，同时生产效率高、生产成本低。

摘要： 本发明涉及用于衬底上的薄膜层的持续淀积和处理的气相淀积过程。提供了一种用于使升华的源材料作为薄膜而气相淀积到光伏模块衬底上以及进行后续气相处理的一体化设备。该设备可包括装载真空室、第一气相淀积室和第二气相淀积室，它们一体地连接成使得输送通过设备的衬底保持在小于大约760托的系统压力处。传送器系统可以可操作地设置在设备内，并且构造成以串行布置来以受控的速度将衬底输送到装载真空室中且输送通过其中，输送到第一气相淀积室中且输送通过其中，以及输送到第二气相淀积室中且输送通过其中。还提供了用于制造薄膜碲化镉薄膜光伏装置的过程。

摘要： 本发明涉及由反应气体混合物在工件上淀积层膜的化学气相淀积反应器，包括：长条形竖立的反应室(10)，它由反应器壁板(11)和反应器底板(12)界定；用于使反应气体流入反应室(10)的进气管(34)，该进气管在该反应器底板(12)的区域内通入反应室(10)；用于使耗用反应气体从反应室(10)流出的固定不动的排气管(31)，该排气管在反应器底板区域内伸出该该反应室(10)；层状的工件支座(21)，它居中设置在反应室(10)中并能绕其中心轴线转动。