硅器件

摘要： 目前全球能源需求的三分之一左右是用电需求,能源需求的日益增长,化石燃料资源的日渐耗竭,以及气候变化等问题,要求我们去寻找更智慧、更高效的能源生产、传输、配送、储存和使用方式。在整个能源转换链中,第三代半导体技术的节能潜力可为实现长期的全球节能目标做出很大贡献。除此之外,宽禁带产品和解决方案有利于提高效率、提高功率密度、缩小尺寸、减轻重量。

摘要： 与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外,SiC让设计人员能够减少元器件的使用,从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗,从而有助于设计出能够减少CO_(2)排放量的环保型产品和系统。

摘要： 基于M asterGaN平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻(RDS(on))分别是150mn和225mn,每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器,使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。集成了先进的驱动功能和GaN本身固有性能优势,Master-GaN2可进一步提升有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效、小体积和轻量化优势。

摘要： 在利用旋涂掺杂工艺制备基于硅单晶薄膜条带的PN结结构基础上,通过将条带转印至预拉伸柔性基底的方法,使具有PN结结构的硅单晶条带在柔性基底预应变释放后受力屈曲,得到了具有波纹结构的可延展柔性PN结器件.三维轮廓表征结果表明,非规则对称梯形硅单晶薄膜条带在柔性基底被释放后形成了振幅和波长渐变分布的梯度波纹结构.通过对不同退火时间所制备的PN结进行I-V特性表征,观察到PN结正向电流与掺杂时间呈正相关,但过长的掺杂时间会导致PN结单向导通性能下降.最后,在不同宏观拉伸应变下对具有梯度波纹结构的可延展柔性PN结进行了I-V特性表征,测试结果表明梯度波纹结构能够在一定的宏观拉伸应变下保持器件性能稳定,展示了该结构在柔性电子领域的应用潜力.

摘要： 目前碳化硅在充电桩市场中渗透率不高,主要原因归根到底还是在于成本。业内资深专家袁工向《华强电子》记者表示:"在功率器件领域,电压等级不同器件价格有所差异。在同电压等级下,碳化硅功率器件的价格大概是传统硅器件的1.5倍到2倍之间。"

摘要： 在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。对于新技术而言,GaN本质上比其将取代的技术(硅)成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每个晶片可以生产更多的器件,从而降低了每个晶片的成本。

摘要： 化合物半导体是区别于硅（Si）和锗（Ge）等传统单质的一类半导体材料，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等。相对于硅材料，化合物半导体性能更加优异，制作出的器件相对于硅器件具有更优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和高辐射等特征。

摘要： 正现代电子产品生产,会使用到各类电子器件,这些电子器件的制造又大都是以半导体硅为主要原材料。如今,随着硅器件生产所遵循的摩尔定律实现愈发困难,开发新型电子材料就是业界当务之急,而石墨烯材料正是在此种情况下,以其优异的电子性能进入业界视线之中。

摘要： 正东芝公司旗下的半导体&存储产品公司日前宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650 V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调

摘要： 碳纳米管具有非凡的电学特性，单壁碳纳米管场效应晶体管（SWNT-FET）已经表现出比同等沟道尺寸的硅器件更优良的电学特征参数。然而，受碳管手性、直径、排布、

摘要： 介绍了氟化锂热释光探测器在复杂屏蔽体中硅器件X射线吸收剂量测量中的应用.分析了该屏蔽体内X射线剂量分布特点,介绍了热释光探测器的特点及使用情况,进行了氟化锂和硅材料吸收剂量的换算,给出了屏蔽体内硅器件吸收剂量的测量结果.此方法可用于加屏蔽体的半导体器件X射线辐照在线考核.

摘要： 光感生电流测量技术是一种可用于分析半导体中p-n结分布的非破坏性方法.光感生电流测量技术通过测量光电流的变化,可以在微米尺度上直接观察到反向电压作用下高压p-n结电场的变化.本文通过测量p-n结表面耗尽区的扩展,利用电场模拟计算,研究分析了硅器件表面钝化保护材料与硅界面间电荷对表面耗尽区宽度的影响,并对该电荷的大小进行了计算.界面等效电荷对p-n结电场集中的影响给出了实验结果.

摘要： 本文通过采用光感生电流法(OBIC)分析了大功率硅半导体p-n结表面定态光电导下耗尽区的扩展,分析了OBIC曲线所反映的高压硅器件台面造型的耐压特性,以及曲线本身的变化代表的与器件表面钝化保护效果相关的信息.

摘要： 使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si:H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等.

摘要： 本文研究了掺杂入聚苯胺的聚酯改性硅漆SP的介电特性.通过研究不同配比下的聚苯胺掺入有机硅漆的介电特性,并对其结构的分析,结果表明聚苯胺掺入高纯SP后,其电阻率随温度的关系表现出与纯SP硅漆的不同,显示出不同的电导机制.聚苯胺掺杂后的SP硅漆仍可按照纯SP固化流程获得高质量的漆膜.

摘要： 本文简要分析了SiC MOSFET与Si MOSFET的物理特性及静态特性,从而得到了SiC MOSFET具有更小的功率损耗和更适合应用在高压高频场合等优点.并针对其动态特性如开关速度、损耗等,通过双脉冲测试平台进行对比试验,试验结果表明:SiCMOSFET与Si MOSFET相比,具有开关延迟时间短,开关速度快,开关损耗小等优点.

摘要： 本文简要分析了SiC MOSFET与Si MOSFET的物理特性及静态特性,从而得到了SiC MOSFET具有更小的功率损耗和更适合应用在高压高频场合等优点.并针对其动态特性如开关速度、损耗等,通过双脉冲测试平台进行对比试验,试验结果表明:SiCMOSFET与Si MOSFET相比,具有开关延迟时间短,开关速度快,开关损耗小等优点.

摘要： 本文简要分析了SiC MOSFET与Si MOSFET的物理特性及静态特性,从而得到了SiC MOSFET具有更小的功率损耗和更适合应用在高压高频场合等优点.并针对其动态特性如开关速度、损耗等,通过双脉冲测试平台进行对比试验,试验结果表明:SiCMOSFET与Si MOSFET相比,具有开关延迟时间短,开关速度快,开关损耗小等优点.

摘要： 本文简要分析了SiC MOSFET与Si MOSFET的物理特性及静态特性,从而得到了SiC MOSFET具有更小的功率损耗和更适合应用在高压高频场合等优点.并针对其动态特性如开关速度、损耗等,通过双脉冲测试平台进行对比试验,试验结果表明:SiCMOSFET与Si MOSFET相比,具有开关延迟时间短,开关速度快,开关损耗小等优点.

摘要： CMOS一MEMS and 3D integration are well recognized as the ultimate technology solutions forfurther miniaturized, low cost MEMS system IC manufacturing particularly to meet the ever stringenttechnical and economic requirements for smart phones, tablets and portable electronics as well asfuture wireless sensor network (WSN) applications. Under an expanded definition, the CMOS-MEMStechnology provides a series of silicon-based MEMS device fabrication technologies by leveraging quitebroad existing CMOS and/or CMOS compatible wafer processing toolset, capability and large scalemanufacturing infrastructure at low cost with high efficient and quality.

摘要： 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。

摘要： 本申请公开了一种硅光器件的制造方法、硅光器件及光子集成线路，硅光器件包括两个输入波导、两个输出波导和由多个像素块组成的矩形模块，输入波导与输出波导相对设置于矩形模块的两侧，矩形模块用于对由输入波导输入的信号进行处理，其中，硅光器件的制造方法包括：获取目标传输矩阵；将目标传输矩阵输入到结构生成模型中进行预测以得到二维码结构；根据二维码结构对矩形模块进行刻蚀处理。本申请实施例通过结构生成模型获取目标传输矩阵对应的二维码结构，并根据该二维码结构对矩形模块进行刻蚀处理，从而得到具有特定功能的硅光器件，同时，减少了模拟器件花费的时间和资源，能够有效缩短硅光器件的设计制造周期。

摘要： 本发明的实施例提供了一种硅麦器件封装结构和硅麦器件封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，硅麦器件封装结构包括基板、硅麦芯片、控制芯片以及封装盖板，封装盖板包括内封装盖和外封装盖，内封装盖具有第一腔室，外封装盖具有第二腔室，第一腔室和第二腔室导通，增大了音腔空间，提升硅麦芯片的灵敏度和信噪比。第一导音孔设置在内封装盖的侧壁上，从而避免了声音直接进入第一腔室与硅麦芯片相接触，避免了声压冲击导致硅麦芯片受损。此外，在第一导音孔处设置有振动胶膜，并设置排水孔，实现了排水，避免了水汽与硅麦芯片相接触，也避免了水汽在第二腔室内聚集，进一步保证了产品的可靠性。

摘要： 本发明提供了一种双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件，该双层硅基光子器件的制作方法包括以下步骤：提供第一层波导结构绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成第一层波导结构；采用介质材料回填第一层；在非第一层波导结构的所述介质材料区域形成凹槽；采用各向同性腐蚀工艺腐蚀所述凹槽，以在所述凹槽上形成斜面；沉积第二层波导材料，所述第二层波导材料在所述凹槽处与所述第一层波导结构耦合。采用各向同性腐蚀方法将层间介质形成斜坡，使第二层波导材料与第一层波导结构在同一层次实现耦合，增加耦合效率，降低层间串扰。

摘要： 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。

摘要： 本发明提供一种硅基液晶器件的制作方法及硅基液晶器件、波长选择开关。所述硅基液晶器件的制作方法在覆盖底电极及相邻底电极之间间隔的钝化层上形成液态材料膜，液态材料膜填充钝化层上的凹陷，而后对液态材料膜进行固化形成固态覆膜，并对固态覆膜进行蚀刻，形成填充所述凹陷的填充部，而后再在硅片上形成覆盖钝化层及填充部的配向膜，通过利用填充部填充钝化层表面的凹陷，能够提升后续制作的配向膜的表面平坦性，进而使得液晶层中的液晶分子具有连续的排列方向，保证液晶特性均匀，提升波长选择开关等产品品质。

摘要： 本申请提供了一种硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件，涉及半导体器件技术领域。该硅基半导体器件的切割后钝化方法，包括以下步骤：利用切割工艺对所述硅基半导体器件的预设区域进行切割以形成与所述预设区域相关的第一表面；对所述第一表面进行光滑处理以调整所述第一表面的表面形貌，使得所述第一表面上非边缘区域的凸起和凹陷高度差小于20nm；对所述光滑处理后的所述第一表面进行钝化处理以在所述第一表面上形成第一钝化层。本申请能减少或避免硅基半导体器件因切割而导致的效率降低问题，有助于获得更高效率的硅基半导体器件。

摘要： 本发明公开硅基显示器件的自测试装置，包括：测试电源输入端口；外部控制引脚，设置于硅基显示器件，用于自测试时接收外部的自测控制信号；信号发生器模块，内置于硅基显示器件的驱动电路中，用于收到外部控制引脚所接收到的自测控制信号时产生与自测控制信号相对的测试图像信号；信号选择模块，内置于硅基显示器件的驱动电路中，用于收到外部控制引脚所接收到的自测控制信号时将信号发生器模块与图像处理模块之间传输测试图像信号的传输路径导通。还公开自测试方法及硅基显示器件。其不需外接测试信号发生设备、测试控制装置等，有利于提高生产效率，在硅基显示器件的所有制程工序完成前就通过光电性能测试筛选出不良品，避免不良品流入后工序。

摘要： 本实用新型提出一种硅基器件的半导体高低温测试装置及硅基器件光学测试系统，包括盒体、密封盖及设置在盒体和密封盖构成密封空腔内的高低温测试治具；高低温测试治具包括从下往上依次设置的底座、半导体高低温块和测试夹持座；所述底座设置在盒体空腔的底部，所述半导体高低温块内设有可调整温度的半导体，所述半导体高低温块侧部插设有温度传感器，所述测试夹持座供待测试的硅基器件安装。本实用新型提出的硅基器件的半导体高低温测试装置，能够实现在高低温情况下测试硅基器件，提高测试效率，且操作简单，设备成本低。

摘要： 本发明公开了一种嵌入式锗硅器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一半导体衬底，在所述衬底上形成栅极结构及掩膜层；步骤S2，对掩膜层进行高温热处理；步骤S3，图案化蚀刻半导体衬底，并形成凹陷区；步骤S4，在所述凹陷区中生长种子层、主体层、盖帽层。本发明有利于提升逻辑区的性能，同时能有效改善SRAM区域生长不足的问题。