研磨

摘要： 锂离子除盐器正常运行期间其滤头的滤片间隙设计值小于树脂的颗粒度,从而确保树脂可以保留在除盐器内,而一回路介质在流经树脂后,可通过滤头的滤片间隙流向下游,从而实现其除锂功能。当除盐器滤头的滤片间隙变大至大于树脂的颗粒度时,树脂就会通过滤片间隙,进入一回路系统,导致除盐床不可用。本文主要介绍了除盐器树脂泄漏后的原因分析,处理措施,以及实施后的效果。

摘要： 通过研磨法对粉煤灰纳米颗粒进行制备研究。采用不同配比钢球作为介质、不同粉煤灰的量、不同研磨时间和不同研磨速率等条件下在研磨机中对粉煤灰进行研磨。研究表明,优化的研磨条件为粉煤灰的研磨量为60 g、钢球质量配比为3∶11∶9∶5,研磨时间为30 min,研磨速率为200 r/min时,粉煤灰主要粒度分布由60~100μm下降到3.7~6.5μm之间,其中达到纳米级粉煤灰占比1.92%,大大改善了粉煤灰的流变等应用性能。

摘要： 硬脆材料具有膨胀系数低、强度高以及化学性质稳定等优点,被广泛应用于航空航天、光学器件和集成电路等重要领域。但其因高硬度、低韧性,在加工过程中极易发生脆性断裂,影响加工效率和表面质量。因此,实现硬脆材料的高效去除以获得低损伤的加工表面是当前硬脆材料加工面临的主要难题。研磨抛光加工是实现硬脆材料表面平坦化的常用加工方式,可以在保证较高材料去除率的同时获得纳米级的表面粗糙度。研磨加工时,工件材料在磨粒的切削、耕犁、挤压及划擦作用下被去除,该方式作用下的材料去除率较高,但容易造成严重的亚表面损伤。因此在后续的抛光加工中,通常利用化学抛光液与工件材料之间的化学反应来进一步消除损伤,提升表面加工质量。然而,研磨抛光工艺的加工系统复杂,影响因素众多,为了合理地调控加工工艺参数,需要对材料去除机理进行深入的研究。目前硬脆材料研磨抛光加工的材料去除机理大体可分为机械作用和化学-机械协同作用两个方面。其中机械作用下的材料去除形式表现为塑性域去除和脆性去除,化学-机械协同作用下的化学反应类型又可分为由摩擦作用引起的固相化学反应以及由化学抛光液导致的化学成键与断裂。本文介绍了硬脆材料平面研抛的常用加工方法,从机械作用和化学-机械协同作用两个角度综述了硬脆材料平面研抛的材料去除机理,指出了现阶段研究中存在的问题并对未来的研究方向进行了展望。

摘要： 120.平印时胶辊表面出现龟裂细纹的原因与对策?此为橡胶的干皮现象,已不能使用,应尽早将墨辊送厂研磨。121.平印时胶辊表面发生凹陷现象的原因与对策?胶辊在保存中碰到硬物,或橡胶之接触不良,或许是放置在印刷机上过久,这种情况只有将墨辊送厂研磨。122.平印时胶辊面膨胀胶面软化发黏的原因与对策?胶辊被油墨或清洗剂侵蚀后表面产生膨胀,则应更换新墨辊并重新调整墨辊间隙,而旧墨辊可送胶辊厂加工研磨成较小墨辊备用。

摘要： 通过加工实践,针对抽蓄和大中型发电机镜板镜面加工中出现的“拖尾”现象进行研究,通过不断试验,优化加工工艺,解决了镜板“拖尾”问题,为镜板加工积累了宝贵的经验。

摘要： 宁强县中坝外围预查区岩心钻探ZK1102钻孔地层裂隙发育,钻孔漏失严重。由于送浆时间不足,冲洗液未到达孔底即开始钻进,导致钻孔发生严重烧钻事故。烧钻事故发生后,通过尝试传统起拔、旋转等方法均无效后,结合便携式全液压钻机装备特点和地层条件现状,在能够确保找矿成果和事故处理的安全性、经济性以及可靠性的前提下,进行科学分析研判,甄选出了最佳事故处理方案,即利用BTW钻杆连接水力割刀切割事故段钻具,而后下入NTW钻具连接磨铣钻头研磨剩余钻具钻头,高效、经济、稳妥地解决了烧钻事故。在水力割刀实际应用中,分析总结了在不同操作顺序和切割参数下切割失败的原因,为施工人员积累了丰富的经验,为烧钻事故顺利处理打下了坚实的技术基础。本文对利用水力割刀处理岩心钻探烧钻事故进行了积极探索,为其他地区使用水力割刀处理类似复杂钻孔事故提供了参考。

摘要： 为解决煤泥难浮选的问题,亿成选煤厂以原生煤泥为试验样品,通过分析煤质特性和煤泥可浮性,探讨了煤泥研磨脱泥浮选的可行性。试验结果表明:煤泥最佳磨矿时间为90 s,磨矿脱泥浮选工艺可以使浮选精煤产率从29.85%提高至36.87%,浮选精煤灰分从11.43%降至11.16%,为后续浮选工艺改造提供了参考。

摘要： 本文主要对“Y”型截止阀出现的密封泄漏的现象及针对“Y”型截止阀(自紧式阀盖)现场维修过程进行分析介绍,主要阐述了在加氢高温高压状态下,阀门起跳造成阀门密封系统泄漏问题。此类进口阀门更换成本高且难于维修,通过对“Y”型截止阀精密检查检验、细致维修、结合阀门维修经验,经过实际应用与现场勘察,此次检修一次性成功,在保障了阀门使用可靠性的前提下,大大降低了设备使用成本。

摘要： 采用α-Al_(2)O_(3)为研磨组分、乳化固体石蜡为修补组分、乳化液体石蜡为润滑组分,按m(研磨组分)∶m(修补组分)∶m(润滑组分)=1∶3∶5复配,并添加2%的防锈组分,制备了一种适用于钢模的MR型水性脱模剂。该脱模剂可以有效降低旧模板表面的粗糙度,达到新模的使用要求;可有效隔离混凝土与模板,改善了乳化油类水性脱模剂易粘模的缺点;可消除色斑污染,有效促进混凝土中气泡、水泡的排出,提高混凝土表面的平整光滑度,从而提高混凝土的表观质量。

摘要： 通过分析磨粒与工件表面的作用过程,建立了硬脆性材料柔性磨具加工表面粗糙度的理论预测模型。以橡胶结合剂金刚石研磨盘为柔性磨具、蓝宝石衬底为工件,在不同弹性模量、磨粒浓度、磨粒粒度和研磨压力下开展研磨试验,将不同研磨条件下的表面粗糙度试验值与理论预测值进行比较,发现试验结果与理论模型预测结果的趋势一致,且预测误差为7.71%~10.1%,验证了所建立理论模型的可靠性。

摘要： 为了获得具有平整Si面的SiC晶片,使用线切割和机械磨抛的方法对6H-SiC(0001)晶锭进行加工.本文采用SEM和AFM对加工后获得的SiC晶片样品进行测试分析,结果表明:根据初步的加工工艺参数,可以使样品Si面的粗糙度小于0.4μm.结合切割和磨抛机理,本文还提出进一步改善加工效率和精度的方法,包括切割时x轴向进给速度上限、晶锭自转和研磨主盘转速下限和改善金刚石粒度均匀性.

摘要： 通过对浮动块研磨抛光机工作时的运动学分析，发现研磨时任意磁头上任意一点的运动轨迹是周期性的，这种运动周期的重复性与工作圆环的角速度ω2和研磨盘的角速度ω1之比有关。当浮动块研磨抛光机工作在理想状态下时，ω1=ω2,此时任意磁头上的任意一点移动的路程相等，表明磁头表面去除率相同，缺点是其轨迹的重复性太强。实际工作中，由于理想状态难以存在，磁头表面能取得均化的研磨条纹，而整个研磨平面的平整精度却不一定很高。分析中还发现任意一点每周期移动的路程长度与ω、e有关，ω、e越大，周期路程越长。而较短的岗期路程表明轨迹的方向改变愈频繁，有利于获得好的表面质量，只是去除率会降低。分析结果表明，粗研磨时宜取较高的转速以提高效率，而精研磨时宜取较低的转速以提商表面质量。

摘要： 本文针对一种精密检测设备主轴套研磨工序,介绍了一种适用于长跨距高精度轴套研磨用的新型组合研具的设计.对传统研具与新型组合研具进行了性能对比,并给出了实际加工过程中,采用该研具进行研磨后工件达到的精度数据,说明该研具具有较强的可靠性和实用性.

摘要： @@本文是作者所在科学研究群体借助超声波、高速搅拌、微波和研磨应力诱导反应制备一些难以一般方法合成的嵌段，接枝共聚物和高分子纳米材料，探索高分子材料高性能化高效途径等方面研究工作简介。

摘要： 提出3M减速机低速轴颈表面被腐蚀的问题，分析问题，选择修复的方案，确定手工研磨，以及研磨操作的工艺过程。

摘要： 介绍金属丝剥皮的工艺和经验：同心切削要求所有的工模具，从进丝模具到出丝模具，乃至导槽和切削模具，都排列在一条线上，轴心偏差不超过0.01mm或0.02mm。展示模通公司金属丝剥皮的效果，对剥皮机和拉丝模研磨机的选用提出建议。

摘要： 印制电路板成品时需进行表面处理数次的研磨才能形成,如何控制每道表面处理工序研磨的压力和选择合适的刷轮才能使铜箔的阻值变化值最小,保证导线阻值在规定的范围,满足顾客的需求.

摘要： 用气流磨加工碳化硅磨料时,约有5﹪-15﹪的物料变成了尾尘.这部分碳化硅微粉由于粒度分布范围很宽,无法直接利用.本实验研究对气流磨碳化硅尾尘用搅拌磨粉碎进行了探讨.实验研究了不同研磨时间粉尘的纯度变化;分散剂对粒度变化的影响以及不同研磨时间,微粉的粒度、粒度分布的变化关系,实验结果证明:气流磨尾尘经过搅拌磨研磨可以得到分布窄、单峰的理想微细粉体;随着研磨时间的增加,粉体纯度下降;磷酸盐水分散剂可以促进研磨的进程.

摘要： 大型回转淬火轴类零件外圆表面的圆柱度、粗糙度等几项关键精度,我们通过工艺手段改进,在普通卧车(CW6163X6)得到保证,其成本低、效果好,很值得推广借鉴.

摘要： 大型回转淬火轴类零件外圆表面的圆柱度、粗糙度等几项关键精度,我们通过工艺手段改进,在普通卧车(CW6163X6)得到保证,其成本低、效果好,很值得推广借鉴.

摘要： 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO

摘要： 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO

摘要： 本发明的课题在于提供一种适用于包含含钴层的被研磨体的CMP时，在被研磨面难以产生凹陷及缺陷的研磨液。并且，本发明的另一课题在于提供一种研磨液的制造方法、研磨液原液、研磨液原液收容体及化学机械研磨方法。本发明的研磨液为化学机械研磨用研磨液，所述研磨液含有：缔合度1～3的胶体二氧化硅；有机酸；唑系化合物；及过氧化氢，使上述研磨液与钴基板接触24小时时，在上述钴基板上形成含有钴原子且厚度0.5～20nm的反应层。

摘要： 本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为0.005μm～0.1μm的一次粒子的球形度为0.5～0.75的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径为1μm～30μm的研磨用磨料的研磨液。

摘要： 本发明提供了用于面朝上式的研磨装置的研磨头、具备该研磨头的研磨装置及使用了该研磨装置的研磨方法。在面朝上式的研磨装置中，不经由旋转接头就供给研磨液。作为一实施方式，本申请公开了一种研磨头，该研磨头在下表面安装研磨垫来使用，该研磨头用于面朝上式的研磨装置，该研磨头具备：液体贮存部，该液体贮存部设于研磨头的旋转轴的周围，且用于接收液体；及液体排出口，该液体排出口设于研磨头的下表面，且用于排出由液体贮存部接收到的液体，在研磨头的上部形成有以研磨头的旋转轴为中心的环状的开口，液体贮存部经由开口而研磨头的外部的空间连通。

摘要： 本发明的研磨磨粒是由表面被添加剂覆盖、且在pH为8以下时电动电位为正的无机研磨粒子形成的研磨磨粒。而且，上述添加剂优选为皮考啉酸或谷氨酸。上述无机研磨粒子优选为氧化铈粒子。由表面被皮考啉酸或谷氨酸覆盖、且在pH为8以下时电动电位为正的氧化铈粒子形成的研磨磨粒是通过具有在皮考啉酸或谷氨酸的存在下将氧化铈进行湿式粉碎的工序的研磨磨粒的制造方法来制造的研磨磨粒。

摘要： 本发明的课题在于提供一种适用于包含含钴层的被研磨体的CMP时，在被研磨面难以产生凹陷及缺陷的研磨液。并且，本发明的另一课题在于提供一种研磨液的制造方法、研磨液原液、研磨液原液收容体及化学机械研磨方法。本发明的研磨液为化学机械研磨用研磨液，所述研磨液含有：缔合度1～3的胶体二氧化硅；有机酸；唑系化合物；及过氧化氢，使上述研磨液与钴基板接触24小时时，在上述钴基板上形成含有钴原子且厚度0.5～20nm的反应层。

摘要： 本发明涉及用于研磨待研磨材料的研磨系统(10)，其包括至少一个研磨设备(12、16)和筛选设备(14)，所述筛选设备(14)连接至至少一个研磨设备(12、16)用于筛选研磨材料并且具有静态筛选机和动态筛选机，其中静态筛选机被设置成至少部分地围绕动态筛选机，其中筛选设备(14)具有：至少一个粗材料出口(24)，所述粗材料出口(24)用于排出具有粗粒部分的粗材料，至少一个砂砾出口(26)，所述砂砾出口(26)用于排出具有中粒部分的砂砾，和至少一个成品材料出口(28)，所述成品材料出口(28)用于排出具有细粒部分的成品材料，其中研磨系统具有控制/调节设备从而对前往至少一个研磨设备(12、16)的至少一部分待研磨材料流量进行控制/调节。本发明还涉及用于研磨待研磨材料的方法，包括至少如下步骤：在至少一个研磨设备(12、16)中研磨待研磨材料，在筛选设备(14)中将研磨材料筛选成粗材料、砂砾和细材料，其中筛选设备(14)具有静态筛选机和动态筛选机，其中静态筛选机被设置成至少部分地围绕动态筛选机，并且其中通过控制/调节设备控制/调节前往至少一个研磨设备(12、16)的待研磨材料流量。

摘要： 一种研磨垫，能对具有由平面和曲面组合而成的表面形状的工件实施镜面加工。研磨垫(3)安装在可旋转的研磨台(4)上。工件(W)保持在托架(1)上，并被按压在研磨垫(3)上。研磨垫(3)具有：具有用于研磨工件(W)的研磨面的弹性垫(31)；支承弹性垫(31)的变形自如的基层(32)；以及将弹性垫(31)与基层(32)接合的粘接层(33)。

摘要： 本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为0.005μm～0.1μm的一次粒子的球形度为0.5～0.75的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径为1μm～30μm的研磨用磨料的研磨液。